一种中红外非线性光学晶体POC及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种中红外非线性光学晶体POC及其制备方法。所述晶体POC为一种熔融化合物，该晶体的熔点为526℃，属于正交晶系，其空间群为Fmm2(42)，晶胞参数为

【技术实现步骤摘要】
一种中红外非线性光学晶体POC及其制备方法
本专利技术涉及一种中红外非线性光学晶体POC(Pb17O8Cl18)及其制备方法，具体涉及到半封闭体系下的坩埚下降法，属于晶体生长

技术介绍
红外非线性光学晶体具有非常广泛的应用。波长范围3～20μm的中远红外相干光源在军事领域，如激光红外对抗、激光通讯、红外遥感、红外测距、激光瞄准等，以及在民用领域，如环境中痕量气体探测、医学诊疗、分子光谱等方面都有着相当广泛的应用。一般来说，性能优异的非线性光学晶体除了必须具有非中心对称结构以外，还应该具有以下基本条件：(1)大的非线性光学系数；(2)适当的双折射率；(3)较宽的透过波段范围；(4)宽的位相匹配范围；(5)高的激光损伤阈值；(6)良好的物理化学性能和机械稳定性；(7)容易获得大尺寸晶体；(8)高的倍频效应。虽然没有一种晶体能够同时满足以上所有条件，但是晶体工作者始终希望得到一种晶体，能够尽量多的满足以上优异的条件。这种中红外非线性光学晶体POC具有高损伤阈值，是AgGaS2晶体的12.5倍；同时，Pb17O8Cl18晶体具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中红外非线性光学晶体POC，其特征在于，为一种熔融化合物，该晶体的熔点为526℃，属于正交晶系，其空间群为Fmm2(42)，晶胞参数为

【技术特征摘要】
1.一种中红外非线性光学晶体POC，其特征在于，为一种熔融化合物，该晶体的熔点为526℃，属于正交晶系，其空间群为Fmm2(42)，晶胞参数为Z＝3。


2.权利要求1所述的中红外非线性光学晶体POC的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1)：原料合成：将PbCl2与PbO按比例置于玛瑙研钵中，研磨0.5～2小时；将混合均匀后的粉末装入到坩埚中，加盖置于马弗炉中，在400℃～460℃的条件下保温48小时以上，自然冷却至室温后取出，进行充分研磨后，得到POC晶料；
步骤2)：晶体生长采用以下方法中的任意一种：
方法一：将装料后的坩埚置于下降炉中6～12h，将晶体炉升温至500℃～600℃，并保温8～14小时，让坩埚内的晶料完全充分熔融；控制炉温为500℃～600℃，调整坩埚位置，开始晶体生长，下降速度为0.05～1mm/h，固液界面的温度梯度为5～45℃/cm；
方法二：在POC晶料中直接加入过量PbCl2，然后装入坩埚中置于炉内，将晶体炉升温至500℃～600℃，并保温4～12小时；逐渐提升引下管，达到500℃～600℃时保温8～14h，调整坩埚位置，让坩埚内的晶料完全充分熔融；以0.05～1mm/h的速度下降引下管，进行晶体生长；
步骤3)：退火处理：待晶体完全生长后，将坩埚转移至炉内恒温区，在350℃～400℃下保温10～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彦，罗宽宽，徐家跃，储耀卿，田甜，申慧，王洪超，袁军平，黄礼武，余枭，
申请(专利权)人：上海应用技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31