The utility model provides a mould for growing transistor by heat exchange method, the mould is an inverted convex hollow cylinder structure crucible, the bottom end of the crucible is a seed crystal area, the top end is a transistor growth area and a cylinder; the cylinder is arranged in the middle of the whole structure along the central axis of the crucible, the transistor growth area is arranged between the cylinder and the crucible; the circle The column is detachable and installed in the crucible. The transistor growth method comprises: charging, vacuuming and introducing the protective gas, heating the material, transistor growth, annealing and taking out the transistor, and controlling the temperature change and the furnace environment by controlling the heating power and the protective gas flow. Compared with the traditional processing technology, the utility model uses the heat exchange method to directly grow the transistor, effectively improves the crystal utilization rate and reduces the production cost; moreover, the size of the transistor is controllable, and the processing procedure can be simplified.
【技术实现步骤摘要】
一种热交换法生长晶体管的模具
本技术属于晶体生长领域,特别涉及一种热交换法生长晶体管的模具。
技术介绍
晶体相对玻璃及陶瓷等具有许多优异的特性,例如物理化学性能稳定,较好的热学性能,且具有高的光学、电学性能,可制成多种特殊性能的关键材料而得到广泛应用。尤其蓝宝石单晶,因其相对优越的综合性能成为理想的中红外窗口材料,在军用光电设备中得到了广泛的应用。而且它具备极高的硬度和极低的摩擦系数,仅次于金刚石;在超宽波段具有优异光谱透过性能;并且,蓝宝石单晶具有较强的抗酸碱腐蚀能力,一般酸碱常温下甚至熔融状态下都无法侵蚀。故具有特殊性能的晶体在屏幕材料、各种光学检测仪器以及各种可视仪表窗口界面的应用已经成为行业发展趋势,具有特殊性能的晶体管在激光泵浦灯、室外照明高压钠灯的包壳、高效激光装置等方面具有很大的应用前景。目前晶体管主要采用机械加工的方法,但是金刚石单线切割尺寸定位误差大,晶体管同心度不佳;同时激光打孔在晶体表面留下损伤层,不利于孔内壁抛光。中国专利(201210519922.4)蓝宝石管的成型方法,避免了上述缺陷,但是不适用于尺寸较长或者较小的晶体管的加工,且晶体利用率低,加工程序繁多。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中传统加工方法,晶体材料利用率低等问题,进行改进,涉及了一种结构简单,易于加工的优点,可生长不同种类的晶体管的模具。本技术提供了一种热交换法生长晶体管的模具,所述模具为倒置的凸字形空心圆柱体结构坩埚,所述坩埚底端为籽晶区,上端为晶体管生长区和圆柱体;所述圆 ...
【技术保护点】
1.一种热交换法生长晶体管的模具,其特征在于:所述模具为倒置的凸字形空心圆柱体结构坩埚(1),所述坩埚(1)底端为籽晶区(4),上端为晶体管生长区(3)和圆柱体(2);所述圆柱体(2)沿所述坩埚(1)中心轴线设置在整个结构的中间,所述晶体管生长区(3)设置在圆柱体(2)、坩埚(1)之间;所述圆柱体(2)可拆卸安装在坩埚(1)内。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种热交换法生长晶体管的模具,其特征在于:所述模具为倒置的凸字形空心圆柱体结构坩埚(1),所述坩埚(1)底端为籽晶区(4),上端为晶体管生长区(3)和圆柱体(2);所述圆柱体(2)沿所述坩埚(1)中心轴线设置在整个结构的中间,所述晶体管生长区(3)设置在圆柱体(2)、坩埚(1)之间;所述圆柱体(2)可拆卸安装在坩埚(1)内。
技术研发人员:薛艳艳,徐军,吴锋,徐晓东,李东振,王东海,王庆国,
申请(专利权)人:南京同溧晶体材料研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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