【技术实现步骤摘要】
直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法
本专利技术涉及单晶硅生产技术，特别涉及直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法。
技术介绍
在直拉法生长硅单晶过程中，为控制产品质量需要经常对从硅熔体生长出来的晶体直径进行校准。通常采用的测量晶体直径的方法是，使用望远镜与卡尺组合而成的测径仪。在将测径仪固定在炉体上的观察窗上后，操作人员将望远镜中的标尺首先对准晶体一侧边缘并读数，然后横向移动望远镜直到标尺对准晶体另一侧边缘，再次读数，两次读数的差值即为晶体直径。但是，该方法受操作人员主观影响和标尺本身误差影响，测量出的单晶直径存在误差，且不能对晶体直径进行实时测量，无法为单晶生产提供实时控制依据。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，克服现有技术中的不足，提供一种直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法。为解决技术问题，本专利技术的解决方案是：提供一种直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法，包括以下步骤：(1)在直拉法生长硅单晶炉的观察窗外设置CCD摄像机，CCD摄像机通过信号线...
【技术保护点】
1.一种直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)在直拉法生长硅单晶炉的观察窗外设置CCD摄像机，CCD摄像机通过信号线与计算机相连，CCD摄像机将拍摄到的参照物及硅熔体表面的图像信号传送至计算机，并进行数据转换和图像测量；其中，根据原始热场设计获得参照物直径Ф
【技术特征摘要】
1.一种直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在直拉法生长硅单晶炉的观察窗外设置CCD摄像机，CCD摄像机通过信号线与计算机相连，CCD摄像机将拍摄到的参照物及硅熔体表面的图像信号传送至计算机，并进行数据转换和图像测量；其中，根据原始热场设计获得参照物直径Ф1，晶体实际直径，记为Ф；
(2)晶体实际生长过程中，CCD摄像机拍摄硅单晶生长过程中某一时刻的图像后，计算得到图像中参照物直径记为φ1，参照物在硅熔...
【专利技术属性】
技术研发人员：傅林坚，高宇，夏泽杰，陈丽婷，叶刚飞，胡建荣，李林，沈文杰，曹建伟，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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