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直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法技术
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文档序号:23095831
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本发明涉及单晶硅生产技术,特别涉及直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法。包括以下步骤:(1)设置CCD摄像机,根据原始热场设计获得参照物直径Ф...
该专利属于浙江晶盛机电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江晶盛机电股份有限公司授权不得商用。
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