集成电路装置的形成方法制造方法及图纸

此处公开的鳍状物图案化方法可达优先切割鳍状物技术与最后切割鳍状物技术的优点，并提供不同数目的鳍状物于不同集成电路区中。例示性的方法实施间隔物微影技术，其形成的鳍状图案包括第一鳍状线与第二鳍状线于基板中。第一鳍状线与第二鳍状线在对应单一鳍状物的鳍状场效晶体管的第一区中具有第一空间，并在对应多鳍状物的鳍状场效晶体管的第二区中具有第二空间。第一空间大于第二空间，以缓解最后切割鳍状物时的制程容许范围，其部分地移除第二区中的第二鳍状线的一部分，以形成虚置鳍尖于第二区中。第二区中的虚置鳍尖与第一鳍状物之间的空间大于第二空间。

The forming method of integrated circuit device

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置的形成方法
本专利技术实施例一般关于集成电路装置，更特别关于鳍状场效晶体管装置。
技术介绍
集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(制程所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的制程通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小的制程亦增加集成电路的制程与处理的复杂性。为实现尺寸缩小的制程优点，集成电路制程与处理亦需类似发展。举例来说，集成电路通常实施具有不同数目的鳍状物的鳍状场效晶体管以最佳化效能，比如第一鳍状场效晶体管装置具有奇数的鳍状物(比如1个)，而相邻的第二鳍状场效晶体管装置具有偶数的鳍状物(比如2个)。多重图案化制程符合进阶集成电路技术节点所需的缩小鳍状物宽度及/或鳍状物间距，其通常制作偶数的鳍状线，因此必需进行鳍状物切割制程，以提供对应第一鳍状场效晶体管的集成电路区中奇数的鳍状线。鳍状物宽度及/或鳍状物间距缩小对鳍状物切割制程造成限制，并明显局限了图案化的制程容许范围。虽然现有的鳍状物图案化技术通常适于在集成电路的不同区域中达到不同数目的鳍状物，但仍无法完全满足所有方面的需求。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的集成电路装置的形成方法，包括：形成虚置图案于基板上，其中虚置图案在对应第一鳍状场效晶体管的第一区中具有第一宽度，并在对应第二鳍状场效晶体管的第二区中具有第二宽度，且第二宽度大于第一宽度；沿着虚置图案的侧壁形成多个间隔物；移除虚置图案，以形成间隔物图案，其中间隔物图案在第一区中具有第一空间于间隔物之间，并在第二区中具有第二空间于间隔物之间，且第二空间大于第一空间；将间隔物图案转移至基板，以形成第一鳍状物与第二鳍状物，第一鳍状物与第二鳍状物在第一区中隔有第一空间，并在第二区中隔有第二空间；以及自第二区部分地移除第二鳍状物，以形成虚置鳍尖。本专利技术一实施例提供的集成电路装置的形成方法，包括：形成第一间隔物与第二间隔物于基板上，其中第一间隔物与第二间隔物在对应第一鳍状场效晶体管的第一区中具有第一空间于两者之间，并在对应第二鳍状场效晶体管的第二区中具有第二空间于两者之间，其中第二空间大于第一空间；采用第一间隔物与第二间隔物图案化基板，以形成第一鳍状物与第二鳍状物，其中第一鳍状物与第二鳍状物在第一区中具有第一空间于两者之间，并在第二区中具有第二空间于两者之间；以及自第二区部分地移除第二鳍状物。本专利技术一实施例提供的集成电路装置，包括：第一鳍状场效晶体管，包括第一鳍状结构，且第一鳍状结构的第一鳍状物与第二鳍状物隔有第一空间；第二鳍状场效晶体管，包括第二鳍状结构，且第二鳍状结构的第三鳍状物与虚置结构隔有第二空间，其中第二空间大于第一空间；以及栅极结构，位于第一鳍状场效晶体管与第二鳍状场效晶体管之间，其中栅极结构设置以隔离第一鳍状结构与第二鳍状结构。附图说明图1是本专利技术多种实施例中，制作集成电路装置的方法的流程图。图2A至2C、3A至3C、4A至4C、5A至5C、6A至6C、7A至7C、8A至8C、9A至9C、10A至10C、11A至11F、与12A至12F是本专利技术多种实施例中，集成电路装置在方法如图1的方法的多种制作阶段中的部分附图。图13是本专利技术多种实施例中，采用图1的方法制作的另一集成电路装置的简化上视图。图14是本专利技术多种实施例中，采用图1的方法制作的又一集成电路装置的简化上视图。图15A至15F是本专利技术多种实施例中，采用图1的方法制作的另一集成电路装置的部分附图。图16A至16F是本专利技术多种实施例中，采用图1的方法制作的又一集成电路装置的部分附图。图17是本专利技术多种实施例中，部分或全部的集成电路设计布局的简化方框图。其中，附图标记说明如下：B-B、C-C、D-D、E-E、F-F剖线H1、H2高度L、R偏移S1、S2、S3、S4、S5空间T厚度W1、W2、W3、W4、W5、W6宽度X1、X2长度Y1、Y2宽度10方法20、30、40、50、60步骤100、300、400、500、600集成电路装置102基板104A、104B掺杂区106Ap型鳍状场效晶体管区106Bn型鳍状场效晶体管区110图案化层112垫层114第一遮罩层116第二遮罩层120图案化虚置层122、124虚置图案122’、124’部分130A、130B集成电路区140间隔物层140A间隔物150A、150B、150C、150D鳍状物150B’、150C’虚置鳍尖155沟槽160主动鳍状物区162虚置鳍状物区164鳍状物连接区170隔离层180A、180B、180C、180D、180E、180F栅极结构182A、182B、182C、182D、182E、182F栅极堆叠184A、184B、184C栅极介电层186A、186B栅极188栅极间隔物190A、190B外延的源极/漏极结构195、200层间介电层210A、210B、210C、210D、210E、210F、210G、210H、210I、210J装置级接点220A、220B、220C、220D、220E、220F、220G、220H、220I、220J通孔230硅化物层710A、710B、710C、710D、710E、710F、710G、710H、710I、710J标准单元720A、720Cn型井区720Bp型井区700集成电路设计布局具体实施方式下述内容提供的不同实施例或实例可实施本专利技术的不同结构。特定构件与排列的实施例是用以简化本专利技术而非局限本专利技术。举例来说，形成第一构件于第二构件上的叙述包含两者直接或物理接触，或两者之间隔有其他额外构件而非直接接触。此外，本公开的多种例子中可重复标号，但这些重复仅用以简化与清楚说明，不代表不同实施例及/或设置之间具有相同标号的单元之间具有相同的对应关系。此外，本专利技术实施例的结构形成于另一结构上、连接至另一结构、及/或耦接至另一结构中，结构可直接接触另一结构，或可形成额外结构于结构及另一结构之间。此外，空间性的相对用语如“下方”、“其下”、“较下方”、“上方”、“较上方”、或类似用语可用于简化说明某一元件与另一元件在图示中的相对关系。空间性的相对用语可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于图示方向。对进阶的集成电路技术节点而言，高效能及低漏电流应用中受欢迎且有希望的候选者为鳍状场效晶体管(又称作非平面晶体管)。集成电路通常采用具有不同数目的鳍状物的鳍状场效晶体管，以最佳化不同应用的效能。举例来说，单一鳍状物的鳍状本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路装置的形成方法，包括：/n形成一虚置图案于一基板上，其中该虚置图案在对应一第一鳍状场效晶体管的一第一区中具有一第一宽度，并在对应一第二鳍状场效晶体管的一第二区中具有一第二宽度，且该第二宽度大于该第一宽度；/n沿着该虚置图案的侧壁形成多个间隔物；/n移除该虚置图案，以形成一间隔物图案，其中该间隔物图案在该第一区中具有一第一空间于所述间隔物之间，并在该第二区中具有一第二空间于所述间隔物之间，且该第二空间大于该第一空间；/n将该间隔物图案转移至该基板，以形成一第一鳍状物与一第二鳍状物，该第一鳍状物与该第二鳍状物在该第一区中隔有该第一空间，并在该第二区中隔有该第二空间；以及/n自该第二区部分地移除该第二鳍状物，以形成一虚置鳍尖。/n

【技术特征摘要】
20180628 US 62/691,416;20190426 US 16/395,5521.一种集成电路装置的形成方法，包括：
形成一虚置图案于一基板上，其中该虚置图案在对应一第一鳍状场效晶体管的一第一区中具有一第一宽度，并在对应一第二鳍状场效晶体管的一第二区中具有一第二宽度，且该第二宽度大于该第一宽度；
沿着该虚置...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71