具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，包括芯层，芯层包括若干介电胶层，介电胶层包括第一介电胶层和第二介电胶层中的至少一种，第一介电胶层是指Dk值6‑30且Df值0.002‑0.020的胶层，第二介电胶层是指Dk值15‑100且Df值0.002‑0.020的胶层，且所第二介电胶层的Dk值大于第一介电胶层的Dk值；芯层的总厚度≤20mil；第一介电胶层和第二介电胶层的厚度均为5‑75μm。本发明专利技术的激光钻孔工艺更佳、小孔径不易有内缩的状况、较低的吸湿性、较高的绝缘性、高尺寸安定性、优异的热稳定性、高Dk及低Df特性、电性更佳，具备厚膜制作技术，另外接口更为单纯、成本更为低廉以用于多层FPC结构中。

High frequency and high speed adhesive sheet with high Dk and low DF characteristics and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片及制备方法
本专利技术涉及线路板用纯胶、粘结片及其制备
，特别涉及一种高频高传输用粘结片，主要用于高频高速传输FPC领域，比如汽车雷达、全球定位卫星天线、蜂窝电信系统、无线通信天线、数据链接电缆系统、直播卫星、电源背板等。
技术介绍
随着信息技术的飞跃发展，无线通信已成为生活之必需。无线通信系统由发射、接受及天线所组成，其中天线是负责电路与空气中电磁能量值转换，为通讯系统不可或缺的基本配备。在天线相关的电路设计中，有时会依赖电容或电感等被动组件来进行天线的匹配。为满足电子产品高功能化、信号传送高频高速化的需求，相关设计的主动组件和被动组件必须增加，电路与组件密度势必增加，这就会造成电磁干扰与噪声增加。为了解决此问题，具有高介电常数及低介电损耗的复合式纯胶与bondply(又称粘结膜、粘结片)材料是此种设计的的最佳选择。目前市场上高频高速印刷电路板用纯胶与bondply，其实现途径及缺点有：1、加入低介电常数及低介电损耗的氟系树脂、环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂和双马来酰亚胺系树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种，其介电常数太低无法符合高频段(>10GHz)印刷电路板使用。2、加入低介电常数及低介电损耗树脂的纯胶与bondply，由于额外添加的粉体不能太多，否则会影响接着强度，所以在下游FPC厂激光钻孔制程时，胶层内缩的情况会较为严重(内缩量>10μm)。另外，在FPC制程使用高频高速材料领域，当前业界主要使用的高频接着材料较多的为LCP膜。LCP的DK值在2.9-3.3不够高，达不到高Dk的需求。且LCP膜较为昂贵，必须要在较高温度(>280℃)才可操作，又面临了不能使用快压机设备，导致加工困难，高温压合后，FPC的厚度均匀度也不佳(不良率>10％)，与其它接口的接着强度也不佳，反弹力也比一般树脂高，不利于高密度组装的FPC板。而其它树脂类膜虽然没有上述问题，但面临电性不佳、接着力太弱或者机械强度不好等问题。举凡于第CN205105448U中国专利则提出复合式叠构高频低介电性胶膜，CN205255668U中国专利则提出低介电性能胶膜，CN105295753B中国专利则提出高频黏着胶水层结构及其制备方法，前期专利仍仅是Dk介于2.0-3.5的高频接着材料，而无法满足highDk(Dk>8.0)的需求。
技术实现思路
为了满足市场对高频高速可绕性纯胶与bondply的需求，本专利技术提供了一种高DK、低DF、高绝缘性、优异的热稳定性的可绕性高频高速单层粘结片与复合式的多层粘结片。本专利技术提供的高频高速粘结片，制作FPC工序流程简单、激光钻孔工艺更佳、(小孔径<0.05mm)不易有内缩(内缩量≤10μm)的状况、较低的吸湿性、较高的绝缘性、高尺寸安定性、厚度均匀性佳、优异的热稳定性、高Dk及低Df特性、电性更佳，可以使用正常压合参数搭配快压机设备或传压机设备，避免280℃以上的高温作业，且具有成本优势，具备厚膜制作技术，厚度可达20mil，另外接口更为单纯、成本更为低廉以用于多层FPC结构中，实现多个FPC之间的粘结和叠加，用以生产多层结构的FPC。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：本专利技术提供了一种具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，包括芯层，所述芯层包括若干介电胶层，所述介电胶层包括第一介电胶层和第二介电胶层中的至少一种，所述第一介电胶层是指Dk值6-30且Df值0.002-0.020的胶层，所述第二介电胶层是指Dk值15-100且Df值0.002-0.020的胶层，且所述第二介电胶层的Dk值大于所述第一介电胶层的Dk值；所述芯层是指Dk值6-100且Df值0.002-0.020的芯层；所述芯层的总厚度≤20mil；所述第一介电胶层和所述第二介电胶层的厚度均为5-75μm。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的进一步技术方案是：所述芯层还包括高分子聚合物薄膜层，所述介电胶层具有至少两层，所述高分子聚合物薄膜层位于所述介电胶层之间；所述高分子聚合物薄膜层的厚度为5-200μm。进一步地说，所述粘结片为下列三种结构中的一种：一、所述粘结片为单层结构，所述芯层由一层所述第一介电胶层组成；二、所述粘结片为三层结构，所述芯层还包括高分子聚合物薄膜层，且所述芯层由两层所述第一介电胶层和一层所述高分子聚合物薄膜层组成，所述高分子聚合物薄膜层位于两层所述第一介电胶层之间；三、所述粘结片为五层结构，所述芯层还包括高分子聚合物薄膜层，所述芯层由两层所述第一介电胶层、两层所述第二介电胶层和一层所述高分子聚合物薄膜层组成，且所述芯层依次为第一介电胶层、第二介电胶层、高分子聚合物薄膜层、第二介电胶层和第一介电胶层。进一步地说，所述粘结片还包括离型层，所述离型层位于所述芯层的表面。进一步地说，所述第一介电胶层和所述第二介电胶层的厚度均为15-50μm；所述高分子聚合物薄膜层的厚度为5-25μm；所述芯层的总厚度为2-10mil。本专利技术的一种实施方式中，所述粘结片是吸水率为0.01-0.5％且接着强度>0.8kgf/cm的粘结片。进一步地说，所述第一介电胶层和所述第二介电胶层皆包括组分A和组分B中的至少一种；所述组分A的比例之和为介电胶层的总固含量的5-98％(重量百分比),所述组分B为介电胶层的总固含量的5-80％(重量百分比)；所述组分A包括烧结二氧化硅、强介电性陶瓷粉体、导电性粉体、铁氟龙、氟系树脂和磷系耐燃剂中的至少一种；所述组分B包括高分子聚合物树脂和高分子树脂中的至少一种。进一步地说，所述强介电性陶瓷粉体为BaTiO3、SrTiO3和Ba(Sr)TiO3中的至少一种；其中强介电性陶瓷粉体比例之和为介电胶层的总固含量的0-90％(重量百分比)；所述导电性粉体为过渡金属粉体、过渡金属的合金粉体、碳黑、碳纤维和金属氧化物中的至少一种，其中导电性粉体的比例之和为介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)。更进一步地说，所述第一介电胶层中的强介电性陶瓷粉体比例之和为第一介电胶层的总固含量的0-75％(重量百分比)；所述第二介电胶层中的强介电性陶瓷粉体比例之和为第二介电胶层的总固含量的30-90％(重量百分比)；所述第一介电胶层中的导电性粉体比例之和为第一介电胶层的总固含量的0-15％(重量百分比)；所述第二介电胶层中的导电性粉体比例之和为第二介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)。进一步地说，所述第一介电胶层和所述第二介电胶层的烧结二氧化硅的比例为介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述铁氟龙的比例为介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述氟系树脂的比例为介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述磷系耐燃剂的比例为介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)。本专利技术的一较佳实施方式中，所述高分子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，其特征在于：包括芯层，所述芯层包括若干介电胶层，所述介电胶层包括第一介电胶层和第二介电胶层中的至少一种，所述第一介电胶层是指Dk值6-30且Df值0.002-0.020的胶层，所述第二介电胶层是指Dk值15-100且Df值0.002-0.020的胶层，且所述第二介电胶层的Dk值大于所述第一介电胶层的Dk值；所述芯层是指Dk值6-100且Df值0.002-0.020的芯层；/n所述芯层的总厚度≤20mil；/n所述第一介电胶层和所述第二介电胶层的厚度均为5-75μm。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，其特征在于：包括芯层，所述芯层包括若干介电胶层，所述介电胶层包括第一介电胶层和第二介电胶层中的至少一种，所述第一介电胶层是指Dk值6-30且Df值0.002-0.020的胶层，所述第二介电胶层是指Dk值15-100且Df值0.002-0.020的胶层，且所述第二介电胶层的Dk值大于所述第一介电胶层的Dk值；所述芯层是指Dk值6-100且Df值0.002-0.020的芯层；
所述芯层的总厚度≤20mil；
所述第一介电胶层和所述第二介电胶层的厚度均为5-75μm。


2.根据权利要求1所述的具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，其特征在于：所述芯层还包括高分子聚合物薄膜层，所述介电胶层具有至少两层，所述高分子聚合物薄膜层位于所述介电胶层之间；所述高分子聚合物薄膜层的厚度为5-200μm。


3.根据权利要求1所述的具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，其特征在于：所述粘结片为下列三种结构中的一种：
一、所述粘结片为单层结构，所述芯层由一层所述第一介电胶层组成；
二、所述粘结片为三层结构，所述芯层还包括高分子聚合物薄膜层，且所述芯层由两层所述第一介电胶层和一层所述高分子聚合物薄膜层组成，所述高分子聚合物薄膜层位于两层所述第一介电胶层之间；
三、所述粘结片为五层结构，所述芯层还包括高分子聚合物薄膜层，所述芯层由两层所述第一介电胶层、两层所述第二介电胶层和一层所述高分子聚合物薄膜层组成，且所述芯层依次为第一介电胶层、第二介电胶层、高分子聚合物薄膜层、第二介电胶层和第一介电胶层。


4.根据权利要求1所述的具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，其特征在于：还包括离型层，所述离型层位于所述芯层的表面。


5.根据权利要求2所述的具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，其特征在于：所述第一介电胶层和所述第二介电胶层的厚度均为15-50μm；所述高分子聚合物薄膜层的厚度为5-25μm；所述芯层的总厚度为2-10mil。


6.根据权利要求1所述的具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，其特征在于：所述第一介电胶层和所述第二介电胶层皆包括组分A和组分B中的至少一种；所述组分A的比例之和为介电胶层的总固含量的5-98％(重量百分比),所述组分B为介电胶层的总固含量的5-80％(重量百分比)；
所述组分A包括烧结二氧化硅、强介电性陶瓷粉体、导电性粉体、铁氟龙、氟系树脂和磷系耐燃剂中的至少一种；
所述组分B包括高分子聚合物树脂和高分子树脂中的至少一种。


7.根据权利要求6所述的具有高Dk和低Df特性的高频高速粘结片，其特征在于：所述强介电性陶瓷粉体为BaTiO3、SrTiO3和Ba(Sr)TiO3中的至少一种；其中强介电性陶瓷粉体比例之和为介电胶层的总固含量的0-90％(重量百分比)；
所述导电性粉体为过渡金属粉体、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建辉，林志铭，杜伯贤，李莺，
申请(专利权)人：昆山雅森电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32