一种扇出型芯片封装结构及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种扇出型芯片封装结构及制备方法，结构包括：载片，一面设有凹槽，凹槽底部设置有通孔；芯片，其功能引出端面置于凹槽内，功能导出端置于通孔内；金属层覆盖通孔的侧壁，覆盖金属层后通孔的直径大于功能导出端直径，焊料层位于功能引出端与金属层间；第一绝缘层形成于芯片与凹槽的空隙，覆盖载片表面；第一介质层位于载片另一表面，在功能引出端的相应位置设有开口；重布线层位于第一介质层上，通过开口与功能引出端电连接。本发明专利技术将芯片功能导出端插入载片通孔内，利用熔化的焊点填充功能导出端及通孔间，起到电连接和固定芯片作用，增加封装件的可靠性；简化了工艺流程，降低了通孔的尺寸要求，节约成本，增加了工艺的适用范围。

A fanout chip packaging structure and preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种扇出型芯片封装结构及制备方法
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种扇出型芯片封装结构及制备方法。
技术介绍
在芯片封装过程中的芯片位置偏移会影响芯片封装的可靠性，严重时可直接导致失效，因此，芯片偏移一直是困扰封装业界的一大问题点。现有技术中通常采用粘片膜或阻流的方式来限制芯片偏移，采用粘片膜的方式会增加封装成本，且有机膜的加入会加剧封装件的翘曲，仅仅通过阻流来限制偏移，所达到的固定效果较为有限。
技术实现思路
因此，本专利技术实施例提供一种扇出型芯片封装结构及制备方法，解决了在芯片封装过程中的芯片位置偏移的问题。第一方面，本专利技术实施例提供的一种扇出型芯片封装结构，包括：载片，所述载片的第一表面设有凹槽，凹槽底部设置有通孔，贯穿所述载片的第二表面；芯片，所述芯片具有功能引出端，芯片具有功能引出端的一面置于所述凹槽内，芯片功能导出端置于所述通孔内；金属层，覆盖所述通孔的侧壁，所述覆盖金属层后通孔的直径大于所述芯片功能导出端的直径；焊料层，形成于芯片功能引出端与所述金属层之间；第一绝缘层，形成于所述芯片与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出型芯片封装结构，其特征在于，包括：/n载片，所述载片的第一表面设有凹槽，凹槽底部设置有通孔，贯穿所述载片的第二表面；/n芯片，所述芯片具有功能引出端，芯片具有功能引出端的一面置于所述凹槽内，芯片功能导出端置于所述通孔内；/n金属层，覆盖所述通孔的侧壁，所述覆盖金属层后通孔的直径大于所述芯片功能导出端的直径；/n焊料层，形成于芯片功能引出端与所述金属层之间；/n第一绝缘层，形成于所述芯片与凹槽的空隙，且覆盖所述载片的第一表面；/n第一介质层，形成于所述载片的第二表面，且在所述芯片功能引出端的相应位置设有第一开口；/n重布线层，形成于所述第一介质层上，通过所述第一开口与所述芯片功能引出...

【技术特征摘要】
1.一种扇出型芯片封装结构，其特征在于，包括：
载片，所述载片的第一表面设有凹槽，凹槽底部设置有通孔，贯穿所述载片的第二表面；
芯片，所述芯片具有功能引出端，芯片具有功能引出端的一面置于所述凹槽内，芯片功能导出端置于所述通孔内；
金属层，覆盖所述通孔的侧壁，所述覆盖金属层后通孔的直径大于所述芯片功能导出端的直径；
焊料层，形成于芯片功能引出端与所述金属层之间；
第一绝缘层，形成于所述芯片与凹槽的空隙，且覆盖所述载片的第一表面；
第一介质层，形成于所述载片的第二表面，且在所述芯片功能引出端的相应位置设有第一开口；
重布线层，形成于所述第一介质层上，通过所述第一开口与所述芯片功能引出端电连接。


2.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装结构，其特征在于，还包括：
第二介质层，形成于所述重布线层上，在所述第二介质层上设有多个第二开口；
焊球，形成于所述第二开口上，与所述重布线层电连接。


3.根据权利要求2所述的扇出型芯片封装结构，其特征在于，所述芯片功能导出端为带有焊点的导电柱。


4.根据权利要求3所述的扇出型芯片封装结构，其特征在于，还包括：
第二绝缘层，形成于所述通孔与所述金属层之间。


5.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装结构，其特征在于，还包括：
第三绝缘层，包覆芯片除了功能引出端的其他表面。


6.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装结构，其特征在于，所述凹槽为梯形截面的凹槽，该凹槽的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，曹立强，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31