一种中光陶瓷砖制备方法技术

本发明专利技术公开了一种中光陶瓷砖制备方法，它是通过将陶瓷砖采用表面处理剂处理制得，所述的表面处理剂包括A、B、C三种组分，其中A组分为N‑甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的混合物；B组分为钛溶胶改性硅树脂；C组分为聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的混合物，本发明专利技术的陶瓷砖光度在70‑85范围内，外观亮丽，且具有很好的耐磨性和抗污性，耐腐蚀性好，品质较高。

A preparation method of medium Gloss Ceramic brick

【技术实现步骤摘要】
一种中光陶瓷砖制备方法
本专利技术属于瓷砖领域，具体涉及一种中光陶瓷砖制备方法。
技术介绍
瓷砖作为一种建筑装饰材料，不仅可以用于装饰建筑物，使建筑物美观、艳丽；而且，在建筑物表面贴上一层瓷砖可以隔绝外界环境对建筑物表面的侵蚀，使建筑物更加经久耐用。“超洁亮技术”是目前普遍采用的一种高精度瓷砖表面处理方法，它通过抛光磨头对瓷砖进行反复施压、打磨、抛光，将纳米液中的纳米二氧化硅颗粒更好的渗透到抛光砖的毛孔内部，堵塞了瓷砖的毛孔及微裂纹，形成一种特殊的、连续的纳米膜，从而使瓷砖具有亮丽的表面，并且该表面能有效阻止污染物的入侵，具有较好的防污性能。然而，过亮的瓷砖产生光反射，会对视网膜产生刺激，长期生活在墙面、地面太过光亮的家居环境中，不仅会使眼睛疲劳，甚至会导致视觉功能下降。70度中光瓷砖与高光瓷砖相比，光反射系数低，不会造成光污染，使用中光砖则能避免上述问题的发生，但中光砖的耐污性能一直是行业内公认的诟病，中光砖相对亮面砖更容易吸脏，防污性能很难达到市场要求，从而限制了它的应用，尤其是国内普遍生产30度左右的低光砖，但该产品光度较差，表面效果不够靓丽，使用上也有一定的局限性。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种中光陶瓷砖制备方法。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种中光陶瓷砖制备方法，它是通过将陶瓷砖采用表面处理剂处理制得，所述的表面处理剂包括A、B、C三种组分，其中A组分为N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的混合物；B组分为钛溶胶改性硅树脂；C组分为聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的混合物。所述表面处理剂由按照重量百分数计的如下组分制成：B组分10％-25％，C组分5％-30％，A组分余量；所述各组分的总重量份为百分之百。所述A组分中N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的重量比为1-2:17-20。所述C组分中聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的重量比为1:20-30。所述B组分包括下述重量百分比的各原料：钛酸四丁酯4-6%、硅树脂50-60%、酯单体10-15%、引发剂0.2-0.3%、聚氧丙烯甘油醚1-2%、剩余的为去离子水。所述硅树脂为甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷的共混物。所述甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷的重量比为3-4：10-15：1-2。所述酯单体为重量比为5-6:2-3的甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯的共混物。所述引发剂为过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸钾中的一种。所述B组分的制备方法为：（1）取引发剂，加入到其重量10-20倍的去离子水中，搅拌均匀，得引发剂溶液；（2）取酯单体、钛酸四丁酯混合，加入到剩余的去离子水中，搅拌均匀，送入到反应釜中，通入氮气，调节反应釜温度为55-60℃，保温搅拌4-6小时，出料，冷却至常温，加入硅树脂、聚氧丙烯甘油醚，搅拌2-3小时，脱水，即得。本专利技术的优点：本专利技术的陶瓷砖光度在70-85%围内，外观亮丽，且具有很好的耐磨性和抗污性，耐腐蚀性好，品质较高；本专利技术加入的钛溶胶改性硅树脂，以钛酸四丁酯为前驱体，以丙烯酸类酯为单体，在引发剂作用下聚合并水解，将水解后的溶胶聚合物乳液分散到硅树脂表面，从而提高了硅树脂的表面抗性，增强了防水、抗腐蚀、抗划伤等性能，而钛溶胶又具有很好的抗污性能，进一步提高了成品瓷砖的品质。具体实施方式实施例1一种中光陶瓷砖制备方法，它是通过将陶瓷砖采用表面处理剂处理制得，所述的表面处理剂包括A、B、C三种组分，其中A组分为N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的混合物；B组分为钛溶胶改性硅树脂；C组分为聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的混合物。所述表面处理剂由按照重量百分数计的如下组分制成：B组分10％，C组分5％，A组分余量；所述各组分的总重量份为百分之百。所述A组分中N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的重量比为1:17。所述C组分中聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的重量比为1:20。所述B组分包括下述重量百分比的各原料：钛酸四丁酯4%、硅树脂50%、酯单体10%、引发剂0.2%、聚氧丙烯甘油醚1%、剩余的为去离子水。所述硅树脂为甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷的共混物。所述甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷的重量比为3：10：1。所述酯单体为重量比为5:2的甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯的共混物。所述引发剂为过硫酸铵。所述B组分的制备方法为：（1）取引发剂，加入到其重量10倍的去离子水中，搅拌均匀，得引发剂溶液；（2）取酯单体、钛酸四丁酯混合，加入到剩余的去离子水中，搅拌均匀，送入到反应釜中，通入氮气，调节反应釜温度为55℃，保温搅拌4小时，出料，冷却至常温，加入硅树脂、聚氧丙烯甘油醚，搅拌2小时，脱水，即得。实施例2一种中光陶瓷砖制备方法，它是通过将陶瓷砖采用表面处理剂处理制得，所述的表面处理剂包括A、B、C三种组分，其中A组分为N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的混合物；B组分为钛溶胶改性硅树脂；C组分为聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的混合物。所述表面处理剂由按照重量百分数计的如下组分制成：B组分25％，C组分30％，A组分余量；所述各组分的总重量份为百分之百。所述A组分中N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的重量比为1:18。所述C组分中聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的重量比为1:30。所述B组分包括下述重量百分比的各原料：钛酸四丁酯6%、硅树脂60%、酯单体15%、引发剂0.3%、聚氧丙烯甘油醚2%、剩余的为去离子水。所述硅树脂为甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷的共混物。所述甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷的重量比为4：15：2。所述酯单体为重量比为6:3的甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯的共混物。所述引发剂为过硫酸钾。所述B组分的制备方法为：（1）取引发剂，加入到其重量20倍的去离子水中，搅拌均匀，得引发剂溶液；（2）取酯单体、钛酸四丁酯混合，加入到剩余的去离子水中，搅拌均匀，送入到反应釜中，通入氮气，调节反应釜温度为60℃，保温搅拌6小时，出料，冷却至常温，加入硅树脂、聚氧丙烯甘油醚，搅拌3小时，脱水，即得。实施例3一种中光陶瓷砖制备方法，它是通过将陶瓷砖采用表面处理剂处理制得，所述的表面处理剂包括A、B、C三种组分，其中A组分为N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的混合物；B组分为钛溶胶改性硅树脂；C组分为聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的混合物。所述表面处理剂由按照重量百分数计的如下组分制成：B组分17％，C组分13％，A组分余量；所述各组分的总重量份为百分之百。所述A组分中N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的重量比为1:19。所述C组分中聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的重量比为1:24。所述B组分包括下述重量百分比的各原料：钛酸四丁酯4%、硅树脂56%、酯单体12%、引发剂0.23%、聚氧丙烯甘油醚1%、剩余的为去离子水。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中光陶瓷砖制备方法，其特征在于，它是通过将陶瓷砖采用表面处理剂处理制得，所述的表面处理剂包括 A、B、C 三种组分， 其中A 组分为N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的混合物；B 组分为钛溶胶改性硅树脂；C 组分为聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的混合物。/n

【技术特征摘要】
1.一种中光陶瓷砖制备方法，其特征在于，它是通过将陶瓷砖采用表面处理剂处理制得，所述的表面处理剂包括A、B、C三种组分，其中A组分为N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的混合物；B组分为钛溶胶改性硅树脂；C组分为聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的混合物。


2.根据权利要求1所述的一种中光陶瓷砖制备方法，其特征在于，所述表面处理剂由按照重量百分数计的如下组分制成：B组分10％-25％，C组分5％-30％，A组分余量；所述各组分的总重量份为百分之百。


3.根据权利要求1所述的一种中光陶瓷砖制备方法，其特征在于，所述A组分中N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺的重量比为1-2:17-20。


4.根据权利要求1所述的一种中光陶瓷砖制备方法，其特征在于，所述C组分中聚甘油脂肪酸酯、二甲基硅油的重量比为1:20-30。


5.根据权利要求1所述的一种中光陶瓷砖制备方法，其特征在于，所述B组分包括下述重量百分比的各原料：
钛酸四丁酯4-6%、硅树脂50-60%、酯单体10-15%、引发剂0.2-0.3%、聚氧丙烯甘油醚1-2%、剩余的为去离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：张中明，
申请(专利权)人：广东纳德新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44