一种应用于整流器的逆变测试校正装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种应用于整流器的逆变测试校正装置，包括直流输入，所述直流输入与整流桥接通且在直流输入两端连接有储能电容，所述整流桥与三项输出连接，所述三项输出，所述三项输出中有检测端子U、检测端子V、检测端子W，通过示波器能够观测检测端子U与电网电压U1、检测端子V与电网电压V1、检测端子W与电网电压W1的波形。所述整流桥包括三组并联接于直流输入的晶体管组。本实用新型专利技术可测得逆变电压与网侧电压的偏差值，进行相位补偿后，网侧输入电流与电网电压的相位一致，本实用新型专利技术在设计过程中考虑硬件耦合影响，将这一影响因素消除，实现单位功率因数。

An inverter test and correction device applied to rectifier

【技术实现步骤摘要】
一种应用于整流器的逆变测试校正装置
本技术属于整流器
，具体涉及一种应用于整流器的逆变测试校正装置。
技术介绍
变频器作为电机的驱动装置，为了保证电机长期可靠的运行，变频器的输出需保持稳定，既要求整流器输出直流稳定，又要求消除大部分电流谐波，网侧电流正弦化；且运行于单位功率因数，提高整流器的效率，真正实现“绿色电能变换”。应用SPWM脉宽调制技术的的整流器，在额定负载的情况下，直流稳定且输入电流失真度小于5％，性能良好，但未实现单位功率因数。现有的整流器在软件上虽然采用了锁相环技术，使电流追踪电压的相位，其相位差几乎为0，功率因数cosφ≈1，在理论上可以实现单位功率因数。但是受整流器升压电抗器等电感器件耦合的影响，软件控制效果未达到预期目标，功率因数仅为0.8左右，达不到1。
技术实现思路
本技术为解决现有技术存在的问题而提出，其目的是提供一种应用于整流器的逆变测试校正装置。本技术的技术方案是：一种应用于整流器的逆变测试校正装置，包括直流输入，所述直流输入与整流桥接通且在直流输入两端连接有储能电容，所述整流桥与三项输出连接，所述三项输出，所述三项输出中有检测端子U、检测端子V、检测端子W，通过示波器能够观测检测端子U与电网电压U1、检测端子V与电网电压V1、检测端子W与电网电压W1的波形。所述整流桥包括三组并联接于直流输入的晶体管组，晶体管包括晶体管Sa1、晶体管Sa2、晶体管Sb1、晶体管Sb2、晶体管Sc1、晶体管Sc2。晶体管Sa1的发射极与晶体管Sa2的集电极连接，且晶体管Sa1、晶体管Sa2之间连接引出线，所述晶体管Sa1的发射极与二极管Da1阳极连接，二极管Da1阴极与晶体管Sa1的集电极连接，所述晶体管Sa2的发射极与二极管Da2阳极连接，二极管Da2阴极与晶体管Sa2的集电极连接。晶体管Sb1的发射极与晶体管Sb2的集电极连接，且晶体管Sb1、晶体管Sb2之间连接引出线，所述晶体管Sb1的发射极与二极管Db1阳极连接，二极管Db1阴极与晶体管Sb1的集电极连接，所述晶体管Sb2的发射极与二极管Db2阳极连接，二极管Db2阴极与晶体管Sb2的集电极连接。晶体管SC1的发射极与晶体管SC2的集电极连接，且晶体管SC1、晶体管SC2之间连接引出线，所述晶体管SC1的发射极与二极管DC1阳极连接，二极管DC1阴极与晶体管SC1的集电极连接，所述晶体管SC2的发射极与二极管DC2阳极连接，二极管DC2阴极与晶体管SC2的集电极连接。晶体管Sa1、晶体管Sa2之间的引出线上依次串联有电感L、电阻R1、电容C1，检测端子U位于电阻R1、电容C1之间。晶体管Sb1、晶体管Sb2之间的引出线上依次串联有电感L、电阻R2、电容C2，检测端子V位于电阻R2、电容C2之间。晶体管SC1、晶体管SC2之间的引出线上依次串联有电感L、电阻R3、电容C3，检测端子W位于电阻R3、电容C3之间。本技术可测得逆变电压与网侧电压的偏差值，进行相位补偿后，网侧输入电流与电网电压的相位一致，本技术在设计过程中考虑硬件耦合影响，将这一影响因素消除，实现单位功率因数。附图说明图1是本技术的测试校正原理图；图2是本技术的测试校正流程图；其中：1直流输入2储能电容3整流桥4三项输出。具体实施方式以下，参照附图和实施例对本技术进行详细说明：如图1～2所示，一种应用于整流器的逆变测试校正装置，包括直流输入1，所述直流输入1与整流桥3接通且在直流输入1两端连接有储能电容2，所述整流桥3与三项输出4连接，所述三项输出4，所述三项输出4中有检测端子U、检测端子V、检测端子W，通过示波器能够观测检测端子U与电网电压U1、检测端子V与电网电压V1、检测端子W与电网电压W1的波形。所述整流桥3包括三组并联接于直流输入1的晶体管组，晶体管包括晶体管Sa1、晶体管Sa2、晶体管Sb1、晶体管Sb2、晶体管Sc1、晶体管Sc2。晶体管Sa1的发射极与晶体管Sa2的集电极连接，且晶体管Sa1、晶体管Sa2之间连接引出线，所述晶体管Sa1的发射极与二极管Da1阳极连接，二极管Da1阴极与晶体管Sa1的集电极连接，所述晶体管Sa2的发射极与二极管Da2阳极连接，二极管Da2阴极与晶体管Sa2的集电极连接。晶体管Sb1的发射极与晶体管Sb2的集电极连接，且晶体管Sb1、晶体管Sb2之间连接引出线，所述晶体管Sb1的发射极与二极管Db1阳极连接，二极管Db1阴极与晶体管Sb1的集电极连接，所述晶体管Sb2的发射极与二极管Db2阳极连接，二极管Db2阴极与晶体管Sb2的集电极连接。晶体管SC1的发射极与晶体管SC2的集电极连接，且晶体管SC1、晶体管SC2之间连接引出线，所述晶体管SC1的发射极与二极管DC1阳极连接，二极管DC1阴极与晶体管SC1的集电极连接，所述晶体管SC2的发射极与二极管DC2阳极连接，二极管DC2阴极与晶体管SC2的集电极连接。晶体管Sa1、晶体管Sa2之间的引出线上依次串联有电感L、电阻R1、电容C1，检测端子U位于电阻R1、电容C1之间。晶体管Sb1、晶体管Sb2之间的引出线上依次串联有电感L、电阻R2、电容C2，检测端子V位于电阻R2、电容C2之间。晶体管SC1、晶体管SC2之间的引出线上依次串联有电感L、电阻R3、电容C3，检测端子W位于电阻R3、电容C3之间。所述电网电压U1与位于串联的电感C4与电阻R4之间，所述电网电压V1与位于串联的电感C5与电阻R5之间，电网电压W1与位于串联的电感C6与电阻R6之间。所述直流输入1为DC直流电源。所述储能电容2为电容C。应用于整流器的逆变测试校正方法，括以下步骤：ⅰ.开始系统初始化；ⅱ.通讯读取相位补偿角度通过通讯方式读取相位补偿角度值；ⅲ.补偿角度限幅判断补偿角度范围：如果大于360°，补偿角度为0；如果大于180°，补偿角度为180°-θ；如果小于180°，补偿角度为θ；ⅳ.锁相环同步信号进行相位补偿将同步信号的计数周期值减去补偿角度值；ⅴ.计算锁相环同步信号与电网电压信号的相位差计算锁相环同步信号与电网电压信号的相位差；ⅵ.软件锁相调节软件锁相环PI控制；ⅶ.SPWM输出相频调整计算SPWM载波周期值，输出PWM脉冲；ⅷ.结束观察测得电压电流相位差。步骤ⅰ中系统初始化包括系统时钟初始化、中断向量初始化、串行通讯接口初始化。步骤ⅱ中相位补偿角度值通过与控制板相连接的触摸屏进行参数设置，将测量得到的补偿角度值输入，并采用串口通信的方式将其传送至控制板。步骤ⅳ中读取捕捉寄存器的计数值，即为电网电压周期计数值，将其与通信所得到的补偿角度值相减，即得到调整后的电网电压信号。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于整流器的逆变测试校正装置，包括直流输入(1)，其特征在于：所述直流输入(1)与整流桥(3)接通且在直流输入(1)两端连接有储能电容(2)，所述整流桥(3)与三项输出(4)连接，所述三项输出(4)，所述三项输出(4)中有检测端子U、检测端子V、检测端子W，通过示波器能够观测检测端子U与电网电压U1、检测端子V与电网电压V1、检测端子W与电网电压W1的波形。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于整流器的逆变测试校正装置，包括直流输入(1)，其特征在于：所述直流输入(1)与整流桥(3)接通且在直流输入(1)两端连接有储能电容(2)，所述整流桥(3)与三项输出(4)连接，所述三项输出(4)，所述三项输出(4)中有检测端子U、检测端子V、检测端子W，通过示波器能够观测检测端子U与电网电压U1、检测端子V与电网电压V1、检测端子W与电网电压W1的波形。


2.根据权利要求1所述的一种应用于整流器的逆变测试校正装置，其特征在于：所述整流桥(3)包括三组并联接于直流输入(1)的晶体管组，晶体管包括晶体管Sa1、晶体管Sa2、晶体管Sb1、晶体管Sb2、晶体管Sc1、晶体管Sc2。


3.根据权利要求2所述的一种应用于整流器的逆变测试校正装置，其特征在于：晶体管Sa1的发射极与晶体管Sa2的集电极连接，且晶体管Sa1、晶体管Sa2之间连接引出线，所述晶体管Sa1的发射极与二极管Da1阳极连接，二极管Da1阴极与晶体管Sa1的集电极连接，所述晶体管Sa2的发射极与二极管Da2阳极连接，二极管Da2阴极与晶体管Sa2的集电极连接。


4.根据权利要求3所述的一种应用于整流器的逆变测试校正装置，其特征在于：晶体管Sb1的发射极与晶体管Sb2的集电极连接，且晶体管Sb1、晶体管Sb2之间连接引出线，所述晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋涛，王伟强，赵秋毅，李俊扬，
申请(专利权)人：核工业理化工程研究院，
类型：新型
国别省市：天津;12