【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】温度测定装置以及温度测定方法
本专利技术涉及温度测定装置以及温度测定方法。
技术介绍
以往,提出了在抑制面积的增大的同时使温度的测定的精度提高的温度测定装置。作为其一个例子,以往,有具有生成成为温度测定的基准的电流的电流源部、基于电流值生成与绝对温度成比例的电压的传感器部、以及对电压进行A/D转换的ADC部的温度测定装置。在该温度测定装置中,已知通过利用开关动态地进行切换并测量温度,检测构成各电流源部、传感器部、ADC部的晶体管、电阻的失配并进行修正。并且,在该温度测定装置中,已知电流源部与传感器部分别具有流动与控制电压对应的第一电流的第一晶体管、和输出与第一电流不同的第二电流的第二晶体管。专利文献1:日本特开2015-190799号公报然而,在上述的以往的技术中,不能够修正电流源部具有的第一晶体管与传感器部具有的第一晶体管之间、以及电流源部具有的第二晶体管与传感器部具有的第二晶体管之间的失配。因此,在以往的技术中,为了维持温度测定的精度,在电流源部和传感器部各自中,需要使第一以及第二 ...
【技术保护点】
1.一种温度测定装置,具有:/n第一半导体元件以及第二半导体元件,它们具有PN结;/n晶体管组,具有源极与电源连接且各自的栅极彼此连接而构成电流源的多个晶体管,对上述第一半导体元件以及第二半导体元件输出第一电流和与上述第一电流不同的大小的第二电流;以及/n选择器,从上述多个晶体管选择至少一个第一晶体管和与上述第一晶体管不同的多个第二晶体管,将上述第一晶体管的漏极与上述第一半导体元件以及第二半导体元件中的一个连接,并将上述多个第二晶体管的漏极与上述第一半导体元件以及第二半导体元件中的另一个连接。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种温度测定装置,具有:
第一半导体元件以及第二半导体元件,它们具有PN结;
晶体管组,具有源极与电源连接且各自的栅极彼此连接而构成电流源的多个晶体管,对上述第一半导体元件以及第二半导体元件输出第一电流和与上述第一电流不同的大小的第二电流;以及
选择器,从上述多个晶体管选择至少一个第一晶体管和与上述第一晶体管不同的多个第二晶体管,将上述第一晶体管的漏极与上述第一半导体元件以及第二半导体元件中的一个连接,并将上述多个第二晶体管的漏极与上述第一半导体元件以及第二半导体元件中的另一个连接。
2.根据权利要求1所述的温度测定装置,其特征在于,具有:
AD转换器,将上述第一半导体元件的PN结的正向电压与上述第二半导体元件的PN结的正向电压的差分转换为数字值并输出;以及
运算部,基于从上述AD转换器输出的输出值输出运算结果。
3.根据权利要求2所述的温度测定装置,其特征在于,
上述运算部基于上述AD转换器的多个输出值,输出上述运算结果。
4.根据权利要求3所述的温度测定装置,其特征在于,
上述运算结果是上述多个输出值的平均值。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的温度测定装置,其特征在于,
具有放大器,该放大器将基于上述第一半导体元件的PN结的正向电压和上述第二半导体元件的PN结的正向电...
【专利技术属性】
技术研发人员:滨野宽之,宫崎敬史,
申请(专利权)人:株式会社索思未来,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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