发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供发光装置及其制造方法，发光元件与波长转换部件的接合部中的光的损失较少。发光装置包含发光元件、以及与该发光元件的发光面接合的透光性部件，在上述发光装置中，上述发光元件与上述透光性部件经由接合区域接合，上述接合区域由上述发光元件的一部分以及上述透光性部件的一部分构成，且包含从由He、Ne、Ar以及Kr构成的组中选择的至少一种稀有气体元素，在上述发光元件以及上述透光性部件中的至少一方，上述稀有气体元素的分布在远离上述发光面的位置具有峰值。

Luminescent device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法
本专利技术涉及发光装置及其制造方法。
技术介绍
使用有以下这种发光装置，即、具备发光二极管等发光元件、和被来自发光元件的光激发而发出与来自发光元件的光不同波长的光的波长转换部件。例如，在专利文献1中公开有通过表面活性化接合法来接合发光元件与波长转换部件亦即荧光部而得的发光装置。通过那样的发光装置的制造方法能够以低成本制成，且能够获得良好的发光特性。专利文献1：日本特开2012-142326号公报然而，近年，发光装置的高亮度化在推进，要求发光元件与波长转换部件的接合部中的光的损失较少的发光装置。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供发光元件与透光性部件的接合部中的光的损失较少的发光装置及其制造方法。为了实现以上目的，本专利技术所涉及的一个实施方式的发光装置包含发光元件、以及与该发光元件的发光面接合的透光性部件，在上述发光装置中，上述发光元件与上述透光性部件经由接合区域接合，上述接合区域由上述发光元件的一部分以及上述透光性部件的一部分构成，且包含从由He、Ne、Ar、以及Kr构成的组中选择的至少一种稀有气体元素，在上述发光元件以及上述透光性部件中的至少一方，上述稀有气体元素的分布在远离上述发光面的位置具有峰值。本专利技术所涉及的一个实施方式的发光装置的制造方法的特征在于，包含：发光元件准备工序，准备发光元件；透光性部件准备工序，准备透光性部件；以及接合工序，通过表面活性化接合法，将上述发光元件与上述透光性部件接合，<br>上述接合工序包含：第一表面活性化工序，通过照射从由He、Ne、Ar以及Kr构成的组中选择的至少一种稀有气体元素的离子束，来使上述发光元件的供上述透光性部件接合的第一接合面的表面活性化；第二表面活性化工序，通过照射从由He、Ne、Ar以及Kr构成的组中选择的至少一种稀有气体元素的离子束，来使上述透光性部件的供上述发光元件接合的第二接合面的表面活性化；以及接触工序，通过使表面被活性化了的上述第一接合面与表面被活性化了的上述第二接合面接触，来将上述发光元件与上述透光性部件接合，在上述第一表面活性化工序以及上述第二表面活性化工序中的至少一个工序中，针对上述第一接合面的表面或者上述第二接合面的表面按照规定的角度以使比该表面附近深的位置的稀有气体元素的分布密度变高的方式照射上述稀有气体元素的离子束。根据以上这样构成的本专利技术所涉及的一个实施方式的发光装置，能够提供发光元件与透光性部件的接合部中的光的损失较少的发光装置。另外，根据本专利技术所涉及的一个实施方式的发光装置的制造方法，能够制造发光元件与透光性部件的接合部中的光的损失较少的发光装置。附图说明图1A是表示实施方式的发光装置的一个具体例的剖视图。图1B是将图1A的一部分放大来表示的剖视图。图2A是实施方式的发光装置的制造方法的工序流程图。图2B是实施方式的发光装置的制造方法中的接合工序的工序流程图。图3(A)-图3(C)是实施方式的发光装置的制造方法中的接合工序的示意图。图4是实施例的包含蓝宝石基板和YAG陶瓷的各自的一部分的区域的剖面的透射电子显微镜图像。图5(a)-图5(d)是在图4的TEM像中以NBD1、NBD2、NBD3、以及NBD4的符号表示的各区域的电子衍射图像。图6(a)是实施例的包含蓝宝石基板与YAG陶瓷的各自的一部分的区域的剖面的高角度散射环状暗场扫描透射显微镜像，图6(b)是同一区域的ArK线的EDX分布图，图6(c)是图6(b)所示的剖面的ArK线的谱线轮廓。附图标记说明10…发光元件；11…基板；11a…第一接合区域；12a…n侧半导体层；12b…活性层；12c…p侧半导体层；12…半导体层叠部；13…n电极；14…p电极；14a…扩散电极；14b…p垫片电极；20…透光性部件；20a…第二接合区域；21…透光性部件板；30…接合区域；40…中继基板；41…基板；42…硅树脂；51…第一高速离子束枪；52…第二高速离子束枪。具体实施方式本专利技术所涉及的实施方式的发光装置包含发光元件和透光性部件，且是透光性部件通过表面活性化接合而接合于发光元件的发光面的发光装置，发光元件与透光性部件经由接合区域接合。这里，接合区域是指在接合后位于发光元件的发光面的两侧的由发光元件的一部分与透光性部件的一部分构成的区域，以下这样规定。构成接合区域的发光元件的一部分是包含用于使发光元件的发光面活性化的离子束照射中所使用的稀有气体元素的自发光面规定深度的区域。构成接合区域的透光性部件的一部分是包含用于使透光性部件的接合表面活性化的离子束照射中所使用的稀有气体元素的自接合表面规定深度的区域。另外，离子束照射中使用的稀有气体元素是He、Ne、Ar、以及Kr中的至少一种。而且，在实施方式的发光装置中，特别是，将接合区域的发光元件的一部分的表面活性化时的稀有气体元素以在远离发光面的位置具有峰值的方式分布。以上这样构成的实施方式的发光装置能够减少发光元件与透光性部件的接合部中的光的损失。另外，能够进一步提高接合强度。有时照射了离子束的面及其附近的结晶的排列相比原本的发光元件以及透光性部件的结晶的排列紊乱、产生变形，即便是通过离子束照射引起所含有的稀有气体元素的密度较高也可能引起这些现象发生。在实施方式的发光装置中，稀有气体元素的分布的峰值位于远离发光面的位置，因此能够在发光面及其附近抑制稀有气体元素存在所导致的结晶的紊乱等，能够相对地维持结晶性。另外，能够在远离发光面的位置配置结晶已经变形的区域。即、首先，能够认为因在发光元件以及/或者透光性部件的发光面及其附近没有稀有气体元素的分布的峰值，发光面及其附近的发光元件的一部分以及/或者透光性部件的一部分的结晶的取向难以相对紊乱。因此，能够减小发光元件与透光性部件的接合区域的光的损失。即、若接合界面附近例如是非晶质(非晶体)等、结晶的取向紊乱，则光容易散射，但能够通过使接合区域的结晶的取向相对地一致从而抑制光的散射。若散射被抑制，则多重散射导致的光吸收被抑制，因此能够使光提取效率提高。另外，对实施方式的发光装置而言，稀有气体元素以在远离发光面的位置具有峰值的方式分布，通过含有该稀有气体元素能够使结晶变形。由此，即便在元件的发热或者环境温度的变化引起接合部中热变形的应力反复作用的情况下也能够维持较高的接合强度。即、若结晶的排列紊乱的区域仅集中于紧靠接合界面(发光面)的附近(例如，自接合界面±2nm左右的厚度的部分)，则能够认为外力或者热应力集中于该较薄的区域。相对于此，若像实施方式的发光装置这样，使稀有气体元素以在远离发光面的位置具有峰值的方式分布，则因为含有位于远离发光面的位置的稀有气体元素而能够形成结晶变形的区域。由此，能够使应力不仅分散于紧靠接合界面(发光面)的附近也分散于该变形区域。因此，能够提高接合强度。在以上的实施方式的发光装置中，透光性部件例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，包含发光元件、以及与该发光元件的发光面接合的透光性部件，/n其中，/n所述发光元件与所述透光性部件经由接合区域接合，所述接合区域由所述发光元件的一部分以及所述透光性部件的一部分构成，且包含从由He、Ne、Ar以及Kr构成的组中选择的至少一种稀有气体元素，/n在所述发光元件以及所述透光性部件中的至少一方，所述稀有气体元素的分布在远离所述发光面的位置具有峰值。/n

【技术特征摘要】
20180614 JP 2018-113833;20190218 JP 2019-0265061.一种发光装置，包含发光元件、以及与该发光元件的发光面接合的透光性部件，
其中，
所述发光元件与所述透光性部件经由接合区域接合，所述接合区域由所述发光元件的一部分以及所述透光性部件的一部分构成，且包含从由He、Ne、Ar以及Kr构成的组中选择的至少一种稀有气体元素，
在所述发光元件以及所述透光性部件中的至少一方，所述稀有气体元素的分布在远离所述发光面的位置具有峰值。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在所述接合区域，在发光元件侧以及透光性部件侧分别包含变形层。


3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，
所述发光元件包含基板和层叠于所述基板上的半导体层叠部，所述发光元件侧的接合区域由所述基板的一部分构成。


4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，
所述基板由蓝宝石构成。


5.根据权利要求1～4中的任一项所述的发光装置，其中，
所述透光性部件具有荧光体。


6.根据权利要求1～5中的任一项所述的发光装置，其中，
所述透光性部件是YAG陶瓷。


7.根据权利要求1～6中的任一项所述的发光装置，其中，
所述稀有气体元素是Ar。


8.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包含：
发光元件准备工序，准备发光元件；
透光性部件准备工序，准备透光性部件；以及
接合工序，通过表面活性化接合法，将所述发光元件与所述透光性部件接合，
所述接合工序包含：
第一表面活性化工序，通过照射...

【专利技术属性】
技术研发人员：七条聪，佐川治信，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP