LED芯片的转移方法、基板及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种LED芯片的转移方法、基板及系统，LED芯片的转移方法包括：LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内，LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽；将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入缓冲液中，第一LED芯片包括第一形状基部，第二LED芯片包括第二形状基部，第三LED芯片包括第三形状基部；驱动缓冲液流动，以将第一形状基部对位至第一凹槽内，第二形状基部对位至第二凹槽内，第二形状基部对位至第三凹槽内，第一凹槽和第一LED芯片之间、第二凹槽和第二LED芯片之间，和/或第三凹槽和第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。达到了进行LED芯片巨量转移时，有效区分红光、绿光和蓝光LED芯片，提高了转移时的效率和准确率。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片的转移方法、基板及系统
本专利技术实施例涉及LED芯片转移技术，尤其涉及一种LED芯片的转移方法、基板及系统。
技术介绍
在Micro-LED显示器件制作过程中，由于Micro-LED芯片尺寸小，制作显示器件往往需要大量的LED芯片。对于一个4K电视而言，单个屏幕所需Micro-LED芯片829.4万个，需要转移的红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片一共多达2488.2万个，而每一个Micro-LED像素直径又仅为30μm，目前设备加工速度约为25000个单位/小时，加工一个4K屏幕就需要1个多月。因此巨量转移技术成为Micro-LED显示发展生产技术的难点，尤其是对红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片同时进行巨量转移时还需要将红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片进行准确区分。
技术实现思路
本专利技术提供一种LED芯片的转移方法、基板及系统，以实现在进行红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片同时进行巨量转移过程，对红光LED芯片、绿光LED芯片、蓝光LED芯片进行有效区分和准确转移。第一方面，本专利技术实施例提供了一种LED芯片的转移方法，包括：将LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内，所述缓冲液浸没所述LED芯片转移基板，所述LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽为第一形状，所述第二凹槽为第二形状，所述第三凹槽为第三形状；将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入所述缓冲液中，所述第一LED芯片包括第一形状基部，所述第二LED芯片包括第二形状基部，所述第三LED芯片包括第三形状基部；驱动所述缓冲液流动，以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内，所述第一凹槽和所述第一LED芯片之间、所述第二凹槽和所述第二LED芯片之间，和/或所述第三凹槽和所述第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。可选的，驱动所述缓冲液流动，以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内之后，还包括：将所述LED芯片转移基板上的所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片固定在目标基板上。可选的，将所述LED芯片转移基板上的所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片固定在目标基板上，还包括：将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离。可选的，所述第一形状基部的第一表面包括第一磁极，所述第二形状基部的第二表面包括第二磁极，所述第三形状基部的第三表面包括第三磁极，所述第一磁极、第二磁极和第三磁极均同时为N磁极或S磁极。可选的，所述第一凹槽还包括第一线圈、所述第二凹槽还包括第二线圈，所述第三凹槽还包括第三线圈，所述驱动所述缓冲液流动之时还包括：控制所述第一线圈的第一端生成第四磁极，所述第四磁极与所述第一磁极之间为磁性吸引力；控制所述第二线圈的第二端生成第五磁极，所述第五磁极和所述第二磁极之间为磁性吸引力；控制所述第三线圈的第三端生成第六磁极，所述第六磁极和所述第三磁极之间为磁性吸引力。可选的，所述将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离包括：断开所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈的电源，以将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离。可选的，所述第一凹槽还包括第七磁极、所述第二凹槽还包括第八磁极，所述第三凹槽还包括第九磁极，所述第七磁极与所述第一磁极之间为磁性吸引力，所述第八磁极与所述第二磁极之间为磁性吸引力，所述第九磁极与所述第三磁极之间为磁性吸引力。可选的，所述将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离包括：将所述LED芯片转移基板放置于基板溶解液中进行溶解，以将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离。第二方面，本专利技术实施例提供了一种LED芯片的转移基板，包括：基板本体与基板本体定义的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽为第一形状，所述第二凹槽为第二形状，所述第三凹槽为第三形状，所述第一凹槽用于与第一芯片的第一形状基部对位，所述第二凹槽用于与第二芯片的第二形状基部对位，所述第三凹槽用于与第三芯片的第三形状基部对位。第三方面，本专利技术实施例提供了一种LED芯片的转移系统，其特征在于，包括：溶液槽，用于盛放缓冲液；LED芯片转移基板，为前述LED芯片转移基板，浸没在所述缓冲液中。本专利技术技术方案，通过将所述第一形状基部对位至第一凹槽内，所述第二形状基部对位至第二凹槽内，所述第二形状基部对位至第三凹槽内，解决了在进行多种LED芯片同时转移时，难以区分不同种类芯片的问题，达到了进行LED芯片巨量转移时，有效区分红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片，提高了后续转移时的效率和准确率，也避免了红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片在后续安装中的错位，导致生产LED显示器显示紊乱。附图说明下面将通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本专利技术实施例的上述及其他特征和优点，附图中：图1是本专利技术实施例一中的LED芯片的转移方法的流程图；图2是本专利技术实施例一中的LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽的示意图；图3是本专利技术实施例一中的第一形状基部与第一凹槽内，第二形状基部与第二凹槽，第二形状基部与第三凹槽分别对位的示意图；图4是本专利技术实施例一中的LED芯片的转移方法的流程图；图5是本专利技术实施例一中的LED芯片的转移方法的流程图；图6是本专利技术实施例二中的LED芯片的转移方法的流程图；图7是本专利技术实施例二中的LED芯片转移基板的示意图；图8是本专利技术实施例二中的第一形状基部与第一凹槽内，第二形状基部与第二凹槽，第二形状基部与第三凹槽分别对位的示意图；图9是本专利技术实施例三中的LED芯片的转移方法的流程图；图10是本专利技术实施例三中的LED芯片转移基板、第一形状基部、第二形状基部和第三形状基部的示意图。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对专利技术的限定。另外还需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片的转移方法，其特征在于，包括：/n将LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内，所述缓冲液浸没所述LED芯片转移基板，所述LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽为第一形状，所述第二凹槽为第二形状，所述第三凹槽为第三形状；/n将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入所述缓冲液中，所述第一LED芯片包括第一形状基部，所述第二LED芯片包括第二形状基部，所述第三LED芯片包括第三形状基部；/n驱动所述缓冲液流动，以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内，所述第一凹槽和所述第一LED芯片之间、所述第二凹槽和所述第二LED芯片之间，和/或所述第三凹槽和所述第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的转移方法，其特征在于，包括：
将LED芯片转移基板置于盛放有缓冲液的溶液槽内，所述缓冲液浸没所述LED芯片转移基板，所述LED芯片转移基板包括基板本体与基板本体定义的凹槽，所述凹槽包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽为第一形状，所述第二凹槽为第二形状，所述第三凹槽为第三形状；
将第一LED芯片、第二LED芯片和第三LED芯片浸入所述缓冲液中，所述第一LED芯片包括第一形状基部，所述第二LED芯片包括第二形状基部，所述第三LED芯片包括第三形状基部；
驱动所述缓冲液流动，以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内，所述第一凹槽和所述第一LED芯片之间、所述第二凹槽和所述第二LED芯片之间，和/或所述第三凹槽和所述第三LED芯片之间通过磁性力相互吸附。


2.根据权利要求1所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，驱动所述缓冲液流动，以将所述第一形状基部对位至所述第一凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第二凹槽内，所述第二形状基部对位至所述第三凹槽内之后，还包括：
将所述LED芯片转移基板上的所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片固定在目标基板上。


3.根据权利要求2所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，将所述LED芯片转移基板上的所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片固定在目标基板上，还包括：
将所述LED芯片转移基板与所述第一LED芯片、所述第二LED芯片和所述第三LED芯片分离。


4.根据权利要求1所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一形状基部的第一表面包括第一磁极，所述第二形状基部的第二表面包括第二磁极，所述第三形状基部的第三表面包括第三磁极，所述第一磁极、第二磁极和第三磁极均同时为N磁极或S磁极。


5.根据权利要求4所述的LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一凹槽还包括第一线圈、所述第二凹槽还包括第二线圈，所述第三凹槽还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘召军，卢博，蒋府龙，莫炜静，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44