一种金属硅化物的表征方法技术

本发明专利技术涉及一种金属硅化物的表征方法和表征装置，该表征方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括硅衬底、金属栅极层以及形成于该金属栅极层与该硅衬底之间的金属硅化物；生成该半导体结构的电子能量损失谱；根据该电子能量损失谱，生成不同能量损失位置和能量宽度下的该硅衬底的等离子体峰的强度与该金属硅化物的等离子体峰的强度的第一比值曲线、该金属栅极层的等离子体峰的强度与该金属硅化物的等离子体峰的强度的第二比值曲线；根据该第一比值曲线和该第二比值曲线，选取相应的能量损失位置和能量宽度作为检测参数；使用该检测参数对该半导体结构进行能量过滤透射电子显微镜检测，以表征该金属硅化物的表面形貌和分布情况。

A characterization method of metal silicide

【技术实现步骤摘要】
一种金属硅化物的表征方法
本专利技术主要涉及半导体检测领域，尤其涉及一种金属硅化物的表征方法。
技术介绍
在大规模集成电路中，金属和半导体之间存在的接触电阻会影响半导体器件的噪声频率特性、输出功率、热稳定性即可靠性等。因此，需要制备具有低电阻率的电极接触。金属硅化物是降低金属和半导体之间的接触电阻的关键材料。在金属硅化物中，硅化钛(TiSi2)以其优异的高温稳定性、低电阻率特性以及可以进行自对准接触处理过程等优点被广泛应用于MOS(MetalOxideSemiconductor)结构的源极、漏极和栅极中。TiSi2的成分和形貌对金属-硅接触电阻的阻值具有很大的影响，因此需要对金属-硅界面处的TiSi2的成分分布和形貌进行表征。目前，对于金属-硅界面处的金属硅化物的表征主要是利用透射电子显微镜(TEM,TransmissionElectronMicroscope)及其配备的X射线能谱仪(EDS,EnergyDispersiveSpectrometer)和电子能量损失谱仪(EELS,ElectronEnergyLossSpectroscop本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属硅化物的表征方法，该表征方法包括：/n提供半导体结构，所述半导体结构包括硅衬底、金属栅极层以及形成于所述金属栅极层与所述硅衬底之间的金属硅化物；/n生成所述半导体结构的电子能量损失谱；/n根据所述电子能量损失谱，生成不同能量损失位置和能量宽度下的所述硅衬底的等离子体峰的强度与所述金属硅化物的等离子体峰的强度的第一比值曲线、所述金属栅极层的等离子体峰的强度与所述金属硅化物的等离子体峰的强度的第二比值曲线；/n根据所述第一比值曲线和所述第二比值曲线，选取相应的能量损失位置和能量宽度作为检测参数；/n使用所述检测参数对所述半导体结构进行能量过滤透射电子显微镜检测，以表征所述金属硅化物的表...

【技术特征摘要】
1.一种金属硅化物的表征方法，该表征方法包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括硅衬底、金属栅极层以及形成于所述金属栅极层与所述硅衬底之间的金属硅化物；
生成所述半导体结构的电子能量损失谱；
根据所述电子能量损失谱，生成不同能量损失位置和能量宽度下的所述硅衬底的等离子体峰的强度与所述金属硅化物的等离子体峰的强度的第一比值曲线、所述金属栅极层的等离子体峰的强度与所述金属硅化物的等离子体峰的强度的第二比值曲线；
根据所述第一比值曲线和所述第二比值曲线，选取相应的能量损失位置和能量宽度作为检测参数；
使用所述检测参数对所述半导体结构进行能量过滤透射电子显微镜检测，以表征所述金属硅化物的表面形貌和分布情况。


2.根据权利要求1所述的表征方法，其特征在于，根据所述第一比值曲线和所述第二比值曲线，选取相应的能量损失位置和能量宽度作为检测参数的步骤包括：选取第一比值曲线中第一比值小于第一阈值，且第二比值曲线中第二比值小于第二阈值对应的能量损失位置和能量宽度作为检测参数。


3.根据权利要求2所述的表征方法，其特征在于，所述第一阈值大于所述第二阈值。


4.根据权利要求1所述的表征方法，其特征在于，根据所述第一比值曲线和所述第二比值曲线，选取相应的能量损失位置和能量宽度作为检测参数的步骤包括：选取第一比值曲线中第一比值与第二比值曲线中第二比值之和最小时对应的能量损失位置和能量宽度作为检测参数。


5.根据权利要求1所述的表征方法，其特征在于，所述金属硅化物为硅化钛。


6.根据权利要求1所述的表征方法，其特征在于，所述检测参数中，能量损失位置为21或22eV，能量宽度为5...

【专利技术属性】
技术研发人员：张正飞，魏强民，仝金雨，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42