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本发明涉及一种金属硅化物的表征方法和表征装置，该表征方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括硅衬底、金属栅极层以及形成于该金属栅极层与该硅衬底之间的金属硅化物；生成该半导体结构的电子能量损失谱；根据该电子能量损失谱，生成不同能量损失位置和...
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