静电消除装置以及等离子体发生装置制造方法及图纸

该静电消除装置具备：真空室，能在内部设置带电体，且具备进行蒸镀的高真空处理部；以及等离子体发生装置，向所述真空室的内部供给由电子回旋共振产生的等离子体。所述等离子体发生装置具备：等离子体源，产生所述等离子体；以及法兰，将所述等离子体源设置于所述真空室的内部。

Electrostatic eliminator and plasma generator

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电消除装置以及等离子体发生装置
本专利技术涉及静电消除装置以及等离子体发生装置。本申请基于2018年9月12日在日本提出申请的日本特愿2018-170898号主张优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
以往，具备真空室的静电消除装置中存在对真空室内的带电体进行真空蒸镀等处理和静电消除的静电消除装置。这种静电消除装置的真空室内需要具有两个空间：用于真空蒸镀等处理的空间且真空度高的空间即高真空区域；以及用于静电消除的空间且真空度低的空间即低真空区域。这种静电消除装置在进行了抽真空的真空室内朝向作为静电消除对象的带电体喷出气体，由此对带电体进行静电消除(参照专利文献1)。更具体而言，这种静电消除装置通过使带电体被动地放电而对带电体进行静电消除。这种静电消除装置例如，使氩气等气体经由气体导入管流向进行静电消除的低真空区域，通过直流电源产生等离子体，使静电消除对象与等离子体接触，由此对带电体进行静电消除(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-181938号公报专利文献2：日本特开平10-298758号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，这种静电消除装置需要具备高真空区域和低真空区域，因此存在装置大型化的问题。鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种无需具备高真空区域和低真空区域的静电消除装置。用于解决问题的方案本专利技术的一个方案是一种静电消除装置，具备：真空室，能在内部设置带电体，且具备高真空处理部；以及等离子体发生装置，向所述真空室的内部供给由电子回旋共振产生的等离子体，所述等离子体发生装置具备：等离子体源，产生所述等离子体；以及法兰，将所述等离子体源设置于所述真空室的内部。专利技术效果通过本专利技术，能提供一种无需具备高真空区域和低真空区域的静电消除装置。附图说明图1是表示实施方式的静电消除装置100的构成的一个例子的图。图2是表示实施方式的等离子体发生装置500的构成的一个例子的图。图3是实施方式中的等离子体源501的示意性的剖视图。图4是实施方式中的等离子体源501的示意性的顶视图。图5是对实施方式中的等离子体源501的动作进行说明的示意性的剖视图。图6是表示实施方式中的喷嘴部60具有多个开口部610的情况下的开口部610的配置的一个例子的图。图7是表示实验结果的图，所述实验结果示出通过实施方式中的引出电极507将等离子体从等离子体源501引出的效果。图8是表示变形例中的阻碍件101的一个例子的图。图9是对表示变形例中的阻碍件101的效果的实验的实验环境进行说明的说明图。图10是表示实验结果的一个例子的图，所述实验结果示出变形例中的阻碍件101的效果。具体实施方式图1是表示实施方式的静电消除装置100的构成的一个例子的图。静电消除装置100对带电体9进行静电消除。而且，静电消除装置100对带电体9执行蒸镀等需要高真空的处理。以下，为了便于说明，将需要高真空的处理称为高真空处理。带电体9可以是能带电的任何物体，例如，可以是作为蒸镀处理的对象的薄膜片材。在静电消除装置100中，例如为了抑制作为薄膜片材的加工中的加工精度降低的由薄膜片材的带电导致的加工精度降低，对薄膜片材进行静电消除。薄膜片材的带电通过构成薄膜片材的高分子材料的移动、摩擦等而产生。静电消除装置100例如在高分子材料等绝缘体的输送工序中的需要静电消除的工序中进行静电消除。静电消除装置100例如在后述的高真空处理部3所执行的处理中的需要静电消除的工序中进行静电消除。静电消除装置100例如具备真空室1、真空泵2、高真空处理部3、送出部4-1、引导部4-2～4-5、卷取部4-6、传送带4-7以及静电消除处理部5。真空室1是内部为空洞的壳体。如果外部的压力与内部的压力的差小于规定的压力，则真空室1不会发生变形。真空室1能在内部设置带电体9。真空泵2抽出真空室1内的空气，使真空室1内的压力达到规定的压力。规定的压力例如为10-5Pa以上1Pa以下。高真空处理部3对带电体9执行高真空处理。高真空处理是在高真空中执行的处理。高真空为10-5Pa以上1Pa以下的真空。高真空处理部3只要是执行高真空处理的部件即可，例如可以是蒸镀部。高真空处理部3例如，在维持高真空的真空室内执行高分子材料等绝缘体的输送工序、铝、镍、钛、铬等金属的蒸镀工序、SiO、SiO2、Al2O3、CaF2、SnO2等的陶瓷蒸镀工序、VLSI(verylargescaleintegration：超大规模集成)制造中的晶片等半导体材料的微加工序工序、薄膜形成工序、有机EL(electro-luminescence：电致发光)生产工序中的有机材料的薄膜生成工序、用作阴极的铝蒸镀工序等。通过送出部4-1、引导部4-2～4-5、卷取部4-6、传送带4-7来输送带电体9。更具体而言，带电体9由送出部4-1送出，通过传送带4-7经由引导部4-2～4-5输送至卷取部4-6。静电消除处理部5对带电体9进行静电消除，具备等离子体发生装置500。等离子体发生装置500产生等离子体，通过法兰与真空室1连接。等离子体发生装置500所产生的等离子体充满真空室1的内部。图2是表示实施方式的等离子体发生装置500的构成的一个例子的图。等离子体发生装置500例如具备：等离子体源501、连接部502、导热部503、法兰504、气体喷口505、微波馈通506、引出电极507、微波调谐器508、灯丝509、气体源510、流量计511、RF振荡器512以及功率计513。等离子体源501使用电子回旋共振产生等离子体。等离子体源501使用电子回旋共振产生等离子体，因此是无电极。关于等离子体源501的详细构成将在后文加以叙述。连接部502连接法兰504与等离子体源501，并且将在等离子体源501产生的热经由导热部503传导至法兰504。连接部502抑制等离子体源501成为规定的温度以上。只要连接部502具有抑制等离子体源501成为规定的温度以上的程度的热传导率，则可以是任何部件。连接部502例如可以是铝块，也可以是铜块，还可以是碳块。导热部503将连接部502所传导的热传导至法兰504。导热部503抑制等离子体源501成为规定的温度以上。导热部503具有抑制等离子体源501成为规定的温度以上的程度的热传导率，只要具有比连接部502的热传导率高的热传导率，则可以是任何部件。导热部503例如可以是铜的网格，也可以是碳片。法兰504将等离子体源501与真空室1连接，在真空室1的内部设置等离子体源501。法兰504与连接部502连接，将经由连接部502和导热部503传导的热释放到真空室1的外部。法兰可以是任何法兰，例如，可以是基于ICF标准的法兰。气体喷口505向等离子体源501供给气体。例如，气体喷口505向后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电消除装置，具备：/n真空室，能在内部设置带电体，且具备高真空处理部；以及/n等离子体发生装置，向所述真空室的内部供给由电子回旋共振产生的等离子体，/n所述等离子体发生装置具备：/n等离子体源，产生所述等离子体；以及/n法兰，将所述等离子体源设置于所述真空室的内部。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180912 JP 2018-1708981.一种静电消除装置，具备：
真空室，能在内部设置带电体，且具备高真空处理部；以及
等离子体发生装置，向所述真空室的内部供给由电子回旋共振产生的等离子体，
所述等离子体发生装置具备：
等离子体源，产生所述等离子体；以及
法兰，将所述等离子体源设置于所述真空室的内部。


2.根据权利要求1所述的静电消除装置，其中，
所述等离子体发生装置还具备：
连接部，位于所述等离子体源与所述法兰之间，连接所述等离子体源与所述法兰，传导在所述等离子体源产生的热；以及
导热部，位于所述法兰与所述连接部之间以及所述等离子体源与所述连接部之间中的任一方或两方，具有比所述连接部高的热传导率。


3.根据权利要求1或2所述的静电消除装置，其中，
还具备位于所述等离子体源与所述带电体之间，吸引所述等离子体源所产生的所述等离子体的引出电极。


4.根据权利要求3所述的静电消除装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村信雄，最上智史，峯村和树，神田大树，森下贵都，细田聪史，国中均，
申请(专利权)人：春日电机株式会社，国立研究开发法人宇宙航空研究开发机构，
类型：发明
国别省市：日本;JP