一种集成滤光膜层的紫外探测器及其制备方法技术

本申请适用于半导体技术领域，提供了一种集成滤光膜层的紫外探测器及其制备方法，其中，所述滤光膜层位于所述紫外探测器的入射面上的有源区之内，所述滤光膜层具有电极窗口，所述紫外探测器的上电极层穿过所述电极窗口；所述滤光膜层包括两个以上的子层，相邻子层的制成材料具有不同的折射率。本申请提供的集成滤光膜层的紫外探测器可以滤掉一定波长范围的紫外光，达到了使紫外探测器对紫外波段的响应具有选择性的目的。

A UV detector with integrated filter film and its preparation method

The application is applicable to the field of semiconductor technology, providing an ultraviolet detector with integrated filter film and a preparation method thereof, wherein the filter film is located in an active area on the incident surface of the ultraviolet detector, the filter film has an electrode window, and the upper electrode layer of the ultraviolet detector passes through the electrode window; the filter film includes more than two sub layers The material of the adjacent sublayer has different refractive index. The UV detector with integrated filter film provided by the application can filter out the UV light in a certain wavelength range, so as to make the response of the UV detector to the UV band selective.

【技术实现步骤摘要】
一种集成滤光膜层的紫外探测器及其制备方法
本申请属于半导体
，尤其涉及一种集成滤光膜层的紫外探测器及其制备方法。
技术介绍
近年来，基于半导体的固态紫外探测器研究在国际上受到越来越多的关注，例如，4H-SiC雪崩光电二极管紫外探测器具有高增益、高响应度、低暗电流等优点，能够实现微弱紫外信号甚至紫外单光子的探测。然而，基于4H-SiC的紫外探测器虽然具有可见光盲特性，即对可见光和红外光不响应，但是，由于4H-SiC材料的禁带宽度为3.26eV，对应的截止波长约为380nm，所以对紫外波段的响应不具有选择性，即不具有“日盲”特性，在很大程度上限制了紫外探测器在很多重要领域的应用。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种集成滤光膜层的紫外探测器及其制备方法，以解决现有技术中的紫外探测器对紫外波段的响应不具有选择性的问题。本申请实施例的第一方面提供了一种集成滤光膜层的紫外探测器，所述滤光膜层位于所述紫外探测器的入射面上的有源区之内，且，所述滤光膜层具有电极窗口，所述紫外探测器的上电极层穿过所述电极窗口；...

【技术保护点】
1.一种集成滤光膜层的紫外探测器，其特征在于，所述滤光膜层位于所述紫外探测器的入射面上的有源区之内，且，所述滤光膜层具有电极窗口，所述紫外探测器的上电极层穿过所述电极窗口；/n所述滤光膜层包括两个以上的子层，相邻子层的制成材料具有不同的折射率。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成滤光膜层的紫外探测器，其特征在于，所述滤光膜层位于所述紫外探测器的入射面上的有源区之内，且，所述滤光膜层具有电极窗口，所述紫外探测器的上电极层穿过所述电极窗口；
所述滤光膜层包括两个以上的子层，相邻子层的制成材料具有不同的折射率。


2.根据权利要求1所述的集成滤光膜层的紫外探测器，其特征在于，所述两个以上的子层的制成材料包括HfO2、SiO2、ZrO2、Y2O3、Al2O3、Si3N4、AlF3、MgF2、Al、Ni中的任意两种或多种的组合。


3.根据权利要求1所述的集成滤光膜层的紫外探测器，其特征在于，所述滤光膜层的厚度范围为0.1微米～30微米。


4.根据权利要求1至3任一项所述的集成滤光膜层的紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测器包括：
衬底；
第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为重掺杂外延层；
第二外延层，位于所述第一外延层上，所述第二外延层为轻掺杂外延层；
欧姆接触层，形成于所述第二外延层中，所述欧姆接触层为图形化的重掺杂层，所述欧姆接触层的上表面不低于所述第二外延层的上表面，且，所述欧姆接触层的下表面高于所述第二外延层的下表面；
上电极层，位于所述欧姆接触层上。


5.根据权利要求4所述的集成滤光膜层的紫外探测器，其特征在于，所述第一外延层为P型碳化硅外延层，所述第二外延层为N型碳化硅外延层，所述欧姆接触层为N型欧姆接触层；或者，
所述第一外延层为N型碳化硅外延层，所述第二外延层为P型碳化硅外延层，所述欧姆接触层为P型欧姆接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：周幸叶，谭鑫，吕元杰，王元刚，宋旭波，梁士雄，冯志红，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13