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本申请适用于半导体技术领域，提供了一种集成滤光膜层的紫外探测器及其制备方法，其中，所述滤光膜层位于所述紫外探测器的入射面上的有源区之内，所述滤光膜层具有电极窗口，所述紫外探测器的上电极层穿过所述电极窗口；所述滤光膜层包括两个以上的子层，相邻...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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