The utility model discloses a high positive blocking voltage gate sensitive trigger unidirectional silicon controlled chip, which comprises an anode electrode a, a back p-type short base area, a p-type through isolation ring, a gate electrode G, n \u2011 type long base area, a front p-type short base area, N + type emission area, a cathode electrode K, an isolation passivation groove and an oxide film arranged on the front side. Manufacturing methods: growth of oxide layer, photolithography on-pass isolation ring, ion implanted aluminum, on-pass isolation ring diffusion, double-sided p-type short base area diffusion, front photolithography emission area, N + emission area phosphorus diffusion, photolithography isolation passivation groove and corrosion, SIPOS + GPP passivation protection, photolithography lead, double-sided evaporation electrode, double-sided photolithography on-off, vacuum alloy, chip test, scribe separation. The utility model satisfies Vdrm \uff1e 2200v, and realizes extremely high forward blocking voltage.
【技术实现步骤摘要】
高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片
本技术涉及半导体芯片
,尤其涉及一种高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片。
技术介绍
目前市场上的门极灵敏触发型单向晶闸管芯片,门极电极在隔离钝化槽的内侧,由P型杂质组成。阳极电极在芯片的背面,阴极电极在芯片正面,由N+杂质构成。这种芯片结构的正向阻断电压是由图示1的N-P结承受的,由于结的终端与沟槽形成负角,一般VDRM在600-1100V之间。在某些特殊行业应用时,需要VDRM>2200V,这种结构就无法实现。目前已知的全球各大晶闸管产品供应商,无法提供此类产品。
技术实现思路
为解决上述缺陷,本技术提供一种高正向阻断电压门极灵敏触发型单向芯片。本技术的技术方案是:高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片,包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N-型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜,所述正面P型短基区设置在N-型长基区正面,且和N+型发射区连接成一体,所述N-型长基区与正面P型短基区之间形成正向电压PN结,所述门极电极G设置在正面P型短基区顶面,所述阴极电极K设置在N+型发射区顶面;所述背面P型短基区设置在N-型长基区背面,所述N-型长基区与背面P型短基区之间形成反向电压PN结,所述背面P型短基区顶面设有阳极电极A;所述正面P型短基区通过P型对通隔离环与背面P型短基区相连,所述背面P型短基区四周设有环状的隔离钝化槽。进一步地,所述隔离钝化槽的厚度为115-125 ...
【技术保护点】
1.高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片,包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N-型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜,其特征在于:所述正面P型短基区设置在N-型长基区正面,且和N+型发射区连接成一体,所述N-型长基区与正面P型短基区之间形成正向电压PN结,所述门极电极G设置在正面P型短基区顶面,所述阴极电极K设置在N+型发射区顶面;所述背面P型短基区设置在N-型长基区背面,所述N-型长基区与背面P型短基区之间形成反向电压PN结,所述背面P型短基区顶面设有阳极电极A;所述正面P型短基区通过P型对通隔离环与背面P型短基区相连,所述背面P型短基区四周设有环状的隔离钝化槽。/n
【技术特征摘要】
1.高正向阻断电压门极灵敏触发单向可控硅芯片,包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N-型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜,其特征在于:所述正面P型短基区设置在N-型长基区正面,且和N+型发射区连接成一体,所述N-型长基区与正面P型短基区之间形成正向电压PN结,所述门极电极G设置在正面P型短基区顶面,所述阴极电极K设置在N+...
【专利技术属性】
技术研发人员:俞荣荣,王成森,朱法扬,
申请(专利权)人:江苏捷捷微电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。