显示装置、显示装置的制造方法、显示装置制造设备制造方法及图纸

本发明专利技术是具有下面薄膜(10)、TFT层(4)以及发光元件层(5)的显示装置(2)，与上述下面薄膜相比的上层，且与上述TFT层相比的下层设置有树脂层(12)，上述树脂层的下表面包含第一区域与第二区域，将上述第二区域设为与上述第一区域相比每单位面积的碳化物量大的碳化物图案(CP)。

Display device, manufacturing method of display device, manufacturing equipment of display device

The invention is a display device (2) having a lower film (10), a TFT layer (4) and a light-emitting element layer (5), an upper layer compared with the lower film, and a lower layer compared with the TFT layer is provided with a resin layer (12), the lower surface of the resin layer comprises a first region and a second region, and the second region is set as a carbonization with a large amount of carbides per unit area compared with the first region Object pattern (CP).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置、显示装置的制造方法、显示装置制造设备
本专利技术关于显示装置。
技术介绍
在制造含有EL元件的显示装置的情况下，例如，在玻璃基板上形成包括树脂层、TFT层、发光元件层等的层叠体，将激光从玻璃基板的背面照射到树脂层的下表面而剥离玻璃基板，并在树脂层的下表面贴附薄膜。现有技术文献专利文献1：日本特开2004-349543号公报(于2004年12月9日公布)
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在将激光照射在树脂层下表面而剥离玻璃基板，并在树脂层的下表面贴附薄膜的工序中层叠体带电，从而可能对发光元件层产生负面影响。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个形式涉及的显示装置是具有下面薄膜、TFT层以及发光元件层的显示装置，在与上述下面薄膜相比的上层且与上述TFT层相比的下层设置有树脂层，上述树脂层的下表面包含第一区域与第二区域，将上述第二区域设为与上述第一区域相比每单位面积的碳化物量大的碳化物图案。有益效果根据本专利技术，通过在树脂层下表面形成的碳化物图案，可以抑制显示装置的带电。附图说明图1是表示显示装置的制造方法的一个示例的流程图。图2的(a)是表示在显示装置形成过程中的构成(在基板上形成层叠体的状态)的截面图，(b)是表示显示装置构成示例的截面图。图3是表示在本实施方式涉及的显示装置形成过程中的构成(在基板上形成层叠体的状态)的俯视图。图4是表示在第一实施方式涉及的显示装置形成过程中的构成(在树脂层上形成碳化物图案的状态)的俯视图(从基板背面观察到的透视俯视图)。图5的(a)是表示第一实施方式涉及的针对树脂层的激光照射方式的示意图，(b)是表示碳化物图案的俯视图。图6是表示第一实施方式涉及的激光照射方法的另一示例的示意图。图7的(a)和(b)是表示第一实施方式涉及的激光照射方法的其他示例的示意图，(c)是表示(b)所示各种发射的强度分布，(d)是表示通过(a)和(b)所示激光照射形成的碳化物图案CP的示意图。图8的(a)和(b)是表示第一实施方式涉及的激光照射方法的其他示例的示意图，(c)是表示(b)所示各种发射的强度分布，(d)是表示通过(a)和(b)所示激光照射形成的碳化物图案CP的示意图。图9是表示第一实施方式涉及的碳化物图案的另一示例的示意图。图10是表示本实施方式涉及的显示装置制造设备构成的块状图。图11是表示在第二实施方式涉及的显示装置形成过程中的构成(在树脂层上形成碳化物图案的构成)的俯视图(从基板背面观察到的透视俯视图)。图12是表示在第三实施方式涉及的显示装置形成过程中的构成(在树脂层上形成碳化物图案的构成)的俯视图(从基板背面观察到的透视俯视图)。图13是表示在第四实施方式涉及的显示装置形成过程中的构成(在树纹的构成)的俯视图(从基板背面观察到的透视俯视图)。图14是表示在第五实施方式涉及的显示装置形成过程中的构成(在树脂层上形成碳化物图案的构成)的俯视图(从基板背面观察到的透视俯视图)。图15是表示在第六实施方式涉及的显示装置形成过程中的构成(在树脂层上形成碳化物图案的构成)的俯视图(从基板背面观察到的透视俯视图)。图16是图15的部分截面图。具体实施方式图1是表示显示装置的制造方法的一个示例的流程图。图2的(a)是表示在显示装置形成过程中的构成(在基板上形成层叠体的状态)的截面图，图2的(b)是表示显示装置构成示例的截面图。图3是表示在显示装置形成过程中的构成(在基板上形成层叠体的状态)的俯视图。在制造柔性显示装置的情况下，如图1、图2的(a)以及图3所示，首先在透光性基板50(例如母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。然后形成无机阻挡膜3(步骤S2)。然后，形成TFT层4(步骤S3)。然后，形成发光元件层(例如OLED元件层)5(步骤S4)。然后，形成密封层6(步骤S5)。然后，通过粘结层8，在密封层6上贴附上面薄膜9(例如PET薄膜)(步骤S6)。然后，激光穿透基板50而照射到树脂层12的下表面(步骤S7)。这里，照射到基板50下表面，穿透基板50的激光会被树脂层12吸收，由此树脂层12的下表面(与基板50的交界面)因烧蚀而发生变质，树脂层12与主基板50之间的粘合力降低。然后，从树脂层12剥离基板50(步骤S8)。然后，如图2的(b)所示，通过粘结层11，在树脂层12的下表面贴附下面薄膜10(例如PET薄膜)(步骤S9)。然后，利用切割线DL切开包括下面薄膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6以及上面薄膜9的层叠体，切割成多个单片(步骤S10)。然后，从单片剥离上面薄片9的一部分(端子部44上的部分)，进行端子引出(步骤S11)。然后，通过粘结层38，将功能薄膜39贴附在单片的密封层6的上侧(步骤S12)。然后，通过各向异性导电材料51，在单片的端子部44上安装电子电路基板60(步骤S13)。通过上述步骤，获得图2的(b)所示的显示装置2。此外，由显示装置制造设备实施上述步骤。作为树脂层12的材料，例如可以例举聚亚酰胺、环氧树脂、聚酰胺等。作为下面薄膜10的材料，例如可以例举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。阻挡层3是在使用显示装置时，防止水分、杂质到达TFT层4、发光元件层5的层，例如，可以是由CVD形成的、氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜构成或由上述层叠膜一同构成。TFT层4包含半导体膜15、与半导体膜15相比形成在上侧的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、与栅极绝缘膜16相比形成在上侧的栅极电极G、与栅极电极G相比形成在上侧的无机绝缘膜18、与无机绝缘膜18相比形成在上侧的电容配线C、与电容配线C相比形成在上侧的无机绝缘膜20、与无机绝缘膜20相比形成在上侧的源极电极S以及漏极电极D、与源极电极S以及漏极电极D相比形成在上侧的平坦化膜21。以包括半导体膜15、无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、栅极电极G的方式构成薄膜晶体管(TFT)。源极电极S与半导体膜15的源极区域连接，漏极电极D与半导体膜15的漏极区域连接。半导体膜15由例如低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体构成。栅极绝缘膜16可以是由例如通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜构成或由上述层的层叠膜构成。栅极电极G、源极配线S、漏极配线D以及端子由例如含有铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一种的金属得单层膜或层叠膜构成。此外，在图2中，以半导体膜15作为沟道的TFT以顶栅结构示出，但也可采用底栅结构(例如，TFT的沟道为氧化物半导体的情况)。无机绝缘膜18/20可以是由例如通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或由上述层的层叠膜构成。平坦化膜(层间绝缘膜)21可以是由例如聚亚酰胺、丙烯酸等可涂布的感光性有机材料构成。在TFT层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其具有下面薄膜、TFT层及发光元件层，其特征在于，在与所述下面薄膜相比的上层且与所述TFT层相比的下层设置有树脂层，所述树脂层的下表面包含第一区域与第二区域，将所述第二区域设为与所述第一区域相比每单位面积的碳化物量大的碳化物图案。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，其具有下面薄膜、TFT层及发光元件层，其特征在于，在与所述下面薄膜相比的上层且与所述TFT层相比的下层设置有树脂层，所述树脂层的下表面包含第一区域与第二区域，将所述第二区域设为与所述第一区域相比每单位面积的碳化物量大的碳化物图案。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在俯视观察时，所述树脂层下表面包含与所述发光元件层重叠的第一重叠部，所述碳化物图案形成在所述重叠部。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述碳化物图案呈条纹形状或矩阵状。


4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在俯视观察时，所述树脂层下表面包含与所述发光元件层重叠的第一重叠部，所述碳化物图案以包围所述重叠部的方式形成。


5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述TFT层的端部设置端子部，在俯视观察时，所述树脂层下表面包含与所述端子部重叠的第二重叠部，所述碳化物图案以包围所述第二重叠部的方式形成。


6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在俯视观察时，所述树脂层下表面包含与所述端子部重叠的第二重叠部，所述碳化物图案形成在所述第二重叠部。


7.根据权利要求1～6中任意一项所述的显示装置，其特征在于，在与所述发光元件层相比的上层设置有无机密封膜，所述TFT层包括以不与所述无机密封膜重叠的方式设置的端子部以及从所述端子部延伸到活性区域侧的端子配线，在俯视观察时，在所述端子部与所述无机密封膜边缘之间的间隙中形成的所述碳化物图案与所述端子配线相交。


8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述下面薄膜中所述间隙与所述碳化物图案重叠的部分被去除了。


9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述端子部以朝向下侧的方式弯曲。


10.根据权利要求1～9中任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述碳化...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本真由子，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP