The utility model discloses a single table top high-voltage silicon controlled chip using symmetrical bidirectional scribing, which comprises a p-type short base area on the front side of the n \u2011 type long base area and an N + type transmitting area, and a p-type short base area on the back side of the n \u2011 type long base area is connected with the p-type short base area on the front side through a p-type through isolating ring. Manufacturing methods: wafer inspection, growth oxide film, photolithography isolation window, isolation scribe, double-sided aluminum injection, isolation diffusion, double-sided boron injection, double-sided aluminum injection, p-type short base area diffusion, photolithography emission area, emission area phosphorus diffusion, photolithography passivation groove, passivation groove corrosion, passivation groove protection, photolithography lead area, double-sided evaporation electrode, photolithography reverse area, alloy, test, scribe. The utility model solves the problem of voltage failure of the finished pipe caused by overflow during solder paste welding, the problem of air breakdown in the finished pipe caused by incomplete resin filling, the problem of non connection and uncontrolled caused by the adoption of thick sheet, and the production efficiency and yield rate are improved.
【技术实现步骤摘要】
利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片
本技术涉及半导体芯片
,尤其涉及一种利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片。
技术介绍
现阶段可控硅
中,高压可控硅因其击穿电压的要求,一般制备成两种芯片结构:(1)制备成双台面结构。一般采用400-430um的厚片,此厚度的硅单晶若制备成单台面结构,则存在对通隔离交叉环扩散效率慢和不能衔接,以及对通隔离环与台面沟槽形成角度不受控等一系列问题。且这种双台面结构的芯片在封装为成品管时也存在一定的风险:芯片背面和铜底板框架用焊锡膏焊接时,焊锡膏溢料后,铺于芯片背部台面上,导致最终成品管的电压失效,造成经济损失;芯片台面沟槽的弧度与铜底板框架的不匹配,导致填充环氧树脂绝缘保护时,不能完全填充于芯片台面沟槽处,会出现成品管在应用过程中的内部空气击穿而失效,造成经济损失。(2)制备成平面结构。虽然此芯片结构克服了像双台面结构芯片在封装为成品管时的一系列问题,但因其也同样采用400-430um的厚片,仍然存在对通隔离交叉环扩散效率慢和不能衔接等一系列问题。现阶段国外公司因其设备的先进性、精确性以及可控性,故制备成此种平面结构;但国内公司因其设备的局限性,如若制备成此种芯片结构,则会造成良率低下,成本增加等现象。
技术实现思路
为解决上述缺陷,本技术提供一种利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片。本技术的技术方案是:利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片,包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N-型长基区、正面 ...
【技术保护点】
1.利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片,包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N-型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜,其特征在于:所述正面P型短基区设置在N-型长基区正面,且和N+型发射区连接成一体,所述N-型长基区与正面P型短基区之间形成正向电压PN结,所述门极电极G设置在正面P型短基区顶面,所述阴极电极K设置在N+型发射区顶面;所述背面P型短基区设置在N-型长基区背面,所述N-型长基区与背面P型短基区之间形成反向电压PN结,所述背面P型短基区顶面设有阳极电极A;所述背面P型短基区通过P型对通隔离环与正面P型短基区相连,所述正面P型短基区四周设有环状的隔离钝化槽。/n
【技术特征摘要】
1.利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片,包括阳极电极A、背面P型短基区、P型对通隔离环、门极电极G、N-型长基区、正面P型短基区、N+型发射区、阴极电极K、隔离钝化槽和设置在正面的氧化膜,其特征在于:所述正面P型短基区设置在N-型长基区正面,且和N+型发射区连接成一体,所述N-型长基区与正面P型短基区之间形成正向电压PN结,所述门极电极G设置在正面P型短基区顶面,所述阴极电极K设置在N+型发射区顶面;所述背面P型短基区设置在N-型长基区背面,所述N-型长基区与背面P型短基区之间形成反向电压PN结,所述背面P型短基区顶面设有阳极电极A;所述背面...
【专利技术属性】
技术研发人员:俞荣荣,朱法扬,
申请(专利权)人:江苏捷捷微电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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