The utility model provides a substrate platform for carrying a wafer, the upper surface of the substrate platform is circular, the diameter of the substrate platform is larger than the wafer, the circular edge of the substrate platform is provided with a circular pit filled with inorganic materials. Because the plasma sphere excited by microwave is a spherical body with uneven energy density, the thermal radiation of the workpiece on the substrate is also uneven. In order to ensure a uniform and uniform temperature on the whole substrate surface, the diamond disc is used as the heat conducting material on the substrate surface by using the high thermal conductivity of diamond, and the heat conducting metal embedded with water-cooled condensing tube is below. There is a layer of metal film with high adhesion between the diamond disc and the heat conducting metal. There is a ring gap between the edge of the diamond disc and the edge of the substrate table. The gap is filled with a kind of inorganic material which is resistant to high temperature and inert.
【技术实现步骤摘要】
一种基片台及其装置
本技术属于真空微电子
,具体涉及一种基片台。
技术介绍
等离子体是继固态,液态,气态之后的作为物质的第四态,在很多领域有着广泛的应用。而要使物质处于等离子体状态,就需要提供一定的能量。微波作为一种电磁波,比较容易的将气体激发成等离子体状态,因此微波等离子体技术在很多领域得到了广泛的应用。微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置一般包括微波系统、真空系统、供气系统和等离子体反应室,等离子体反应室中设有一个自旋转基片台,以制备金刚石膜为例,微波系统产生的微波进入等离子体反应室,在自旋转基片台上方激发供气系统提供的气体产生等离子体球,等离子体球紧贴在成膜衬底材料表面,通过调整不同的反应气体以及调整等离子体的工艺参数,可以在基片台表面沉积金刚石薄膜。由于微波等离子体激发的特性,在基片台上方,靠近基片台中央区域电场强度最大;靠近基片台边缘区域电场强度较弱;因此用微波激发等离子体往往呈现球形。传统的基片台材料为不锈钢,或者是耐高温的金属材料如钨或者钼。下面例举了集中不同的材料在指定温度下的热导率:铝:230W/m.K(300℃);铜:377W/m.K(100℃);银:412W/m.K(100℃);不锈钢:16W/m.K(20℃);钨:180W/m.K(25℃);钼:142W/m.K(25℃);金刚石:1800-2000W/m.K(25℃)。由于钨,钼,不锈钢等材料的热导率较低,以这些材料作为微波等离子体基片台时,在微波等离子体辐照下,基片台表面中央区域与边缘区域有较明显的温度差,难以保 ...
【技术保护点】
1.一种基片台,用于承载圆片,其特征在于,所述基片台上表面呈圆形,所述基片台直径大于所述圆片,所述基片台的圆形边缘设有一个环形的凹坑,所述凹坑中填充有无机材料。/n
【技术特征摘要】
1.一种基片台,用于承载圆片,其特征在于,所述基片台上表面呈圆形,所述基片台直径大于所述圆片,所述基片台的圆形边缘设有一个环形的凹坑,所述凹坑中填充有无机材料。
2.根据权利要求1所述的基片台,其特征在于:所述圆片是两面抛光平整或者一面抛光平整,一面没有抛光的金刚石膜;将抛光的那一面向上作为基片台的上表面。
3.根据权利要求2所述的基片台,其特征在于:所述金刚石膜的厚度为1.0-2.5毫米之间。
4.根据权利要求2所述的基片台,其特征在于:所述金刚石膜与基片台边缘有一个1.0-3.0mm的环形间隙。
5.根据权利要求4所述的基片台,其特征在于:所述环形间隙深度与金刚石膜厚度保持一致。
6.根据权利要求2所述的基片台,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:龚闯,吴剑波,朱长征,余斌,
申请(专利权)人:上海征世科技有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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