一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件制造技术

本发明专利技术涉及电子元器件技术领域的一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件，包括位于底部的衬底层和及埋氧层，埋氧层的上方覆盖有漂移区，漂移区的上方分别覆盖有buffer层和body区，漂移区的上方且位于buffer层的右侧设有氧化层，buffer层内具有第三重掺杂区，漂移区的上方且位于body区的左侧设有场氧隔离区，场氧隔离区和body区的上端均覆盖有多晶硅栅极，body区上方形成第一重掺杂区和第二重掺杂区，多晶硅栅极、第一重掺杂区和第二重掺杂区用导线相连接地，通过加入阳极端氧化层技术，同时通过降低阳极端的第三重掺杂区向漂移区的注入效率，并增加ESD电流流通路径长度，进而提高维持电压，可降低闩锁效应的发生风险。

A LIGBT ESD protection device with oxide layer

The invention relates to a LIGBT type ESD protection device with an oxide layer in the field of electronic component technology, which comprises a substrate layer and a buried oxygen layer at the bottom, a drift area over the buried oxygen layer, a buffer layer and a body area over the drift area, an oxide layer above the drift area and on the right side of the buffer layer, a third doping area and a drift area within the buffer layer The top of the body area and the left side of the body area are equipped with a field oxygen isolation area. Both the field oxygen isolation area and the top end of the body area are covered with polysilicon grid. The first and second doping areas are formed above the body area. The polysilicon grid, the first and second doping areas are connected to the ground by wires. Through the addition of the anode end oxide layer technology, and at the same time by reducing the third doping of the anode end In order to reduce the risk of latch up effect, the injection efficiency of zone to drift zone and the length of ESD current flow path are increased.

【技术实现步骤摘要】
一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件
本专利技术涉及电子元器件
，具体涉及具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件。
技术介绍
ESD保护器件是电子
内常用的一种器件。LIGB由于体内存在天然寄生PNPNSCR结构，具有栅极控制和双极电导调制的优点。而基于LIGBT的ESD保护器件具有单位面积电流释放能力强，鲁棒性高等优点。但LIGBT型ESD防护器件在静电释放时维持电压低，容易导致闩锁效应。图1展示的是ESD保护器件，包括衬底层101、埋氧层102、漂移区103、N-buffer层104和P-body区105。该器件具有驱动简单、电流能力强、易于集成等优点。但该类LIGBT结构器件的开启触发电压偏高。所以在设计中应使得触发电压Vt1的值在满足大于电路正常工作电压VDD并小于栅氧层击穿电压BVox的前提下尽量低。再者，LIGBT型高压ESD保护器件由于同时存在漂移区103和P-body区105电导调制效应，且寄生的NPN和PNP正反馈作用，使得器件的维持电压Vh很低。低维持电压固然可以减小导通泄放ESD电流时的功耗，但也本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件，包括位于底部的衬底层和及埋氧层，埋氧层的上方覆盖有漂移区，漂移区的上方分别覆盖有buffer层和body区，其特征在于：所述漂移区的上方且位于buffer层的右侧设有氧化层，buffer层内具有第三重掺杂区，所述漂移区的上方且位于body区的左侧设有场氧隔离区，场氧隔离区和body区的上端均覆盖有多晶硅栅极，body区上方形成第一重掺杂区和第二重掺杂区，多晶硅栅极、第一重掺杂区和第二重掺杂区用导线相连接地，所述buffer层和第一重掺杂区的导电类型均为N型，body区、第二重掺杂区和第三重掺杂区的导电类型均为P型。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件，包括位于底部的衬底层和及埋氧层，埋氧层的上方覆盖有漂移区，漂移区的上方分别覆盖有buffer层和body区，其特征在于：所述漂移区的上方且位于buffer层的右侧设有氧化层，buffer层内具有第三重掺杂区，所述漂移区的上方且位于body区的左侧设有场氧隔离区，场氧隔离区和body区的上端均覆盖有多晶硅栅极，body区上方形成第一重掺杂区和第二重掺杂区，多晶硅栅极、第一重掺杂区和第二重掺杂区用导线相连接地，所述buffer层和第一重掺杂区的导电类型均为N型，body区、第二重掺杂区和第三重掺杂区的导电类型均为P型。


2.根据权利要求1所述一种具有氧化层的LIGBT型...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志强，龙立，唐红飞，成建兵，邓志豪，
申请(专利权)人：广东瑞森半导体科技有限公司，南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：广东;44