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本发明涉及电子元器件技术领域的一种具有氧化层的LIGBT型ESD保护器件，包括位于底部的衬底层和及埋氧层，埋氧层的上方覆盖有漂移区，漂移区的上方分别覆盖有buffer层和body区，漂移区的上方且位于buffer层的右侧设有氧化层，buff...
该专利属于广东瑞森半导体科技有限公司;南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东瑞森半导体科技有限公司;南京邮电大学授权不得商用。

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