真空腔室用输送装置和半导体处理设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种真空腔室用输送装置和半导体处理设备。输送装置包括若干个并排间隔设置的输送滚轮；至少一个纠偏机构，位于待输送件的外侧，纠偏机构包括水平纠偏组件，其包括第一安装座、第一水平导向轮、第一水平轴、第二安装座、第二水平导向轮和第二水平轴；第一水平导向轮通过第一水平轴与第一安装座可转动连接；第二水平导向轮通过第二水平轴与第二安装座可转动连接；第一水平导向轮和第二水平导向轮沿平行于待输送件的传输方向两侧相对间隔设置，且第一水平轴和第二水平轴均垂直于传输方向。这样，如果待输送件在水平方向上发生偏移，水平导向轮会向待输送件提供纠偏力以阻止待输送件发生偏移，提高待输送件的输送精度。

Conveyor and semiconductor processing equipment for vacuum chambers

The utility model discloses a conveying device and a semiconductor processing device for a vacuum chamber. The conveying device includes a plurality of conveying rollers arranged side by side and spaced apart; at least one rectifying mechanism is located on the outside of the part to be conveyed, and the rectifying mechanism includes a horizontal rectifying component, which includes a first mounting base, a first horizontal guiding wheel, a first horizontal shaft, a second mounting base, a second horizontal guiding wheel and a second horizontal shaft; the first horizontal guiding wheel passes through the first horizontal shaft and the first mounting base The second horizontal guide wheel is rotatably connected with the second mounting base through the second horizontal axis; the first horizontal guide wheel and the second horizontal guide wheel are arranged at relative intervals along the two sides of the transmission direction parallel to the piece to be transported, and the first horizontal axis and the second horizontal axis are perpendicular to the transmission direction. In this way, if the parts to be conveyed deviate in the horizontal direction, the horizontal guide wheel will provide the rectification force to the parts to be conveyed to prevent the deviation of the parts to be conveyed and improve the conveying accuracy of the parts to be conveyed.

【技术实现步骤摘要】
真空腔室用输送装置和半导体处理设备
本技术涉及半导体设备
，具体涉及一种真空腔室用输送装置以及一种包括该输送装置的半导体处理设备。
技术介绍
金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-organicChemicalVaporDeposition，MOCVD)是在气相外延生长(VapourPhaseEpitaxy，VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10Torr～100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)真空腔室中进行，衬底温度为500-1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。相关技术中，往往借助传输滚轮将载板(载板上承载有衬底基片)传输至真空腔室内，并在真空腔室内升降以使得载板处于不同的工艺位置处。显然，在传输滚轮传送载板时，往往在水平方向或竖直方向上发生偏移，从而容易导致载板与真空腔室发生碰撞，导致载板损坏等现象发生。此外，在真空腔室内，鉴于真空腔室内环境要求较为苛刻，需要耐高温、耐腐蚀等。因此，如何设计一种能够耐高温、耐腐蚀的且能够防止载板偏移的传输装置成为本领域亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种真空腔室用输送装置以及一种半导体处理设备。为了实现上述目的，本技术的第一方面，提供了一种真空腔室用输送装置，包括：若干个输送滚轮，用于输送待输送件，所述若干个输送滚轮并排间隔设置；至少一个纠偏机构，所述纠偏机构位于所述待输送件的外侧，所述纠偏机构包括水平纠偏组件，所述水平纠偏组件包括第一安装座、第一水平导向轮、第一水平轴、第二安装座、第二水平导向轮和第二水平轴；其中，所述第一水平导向轮通过所述第一水平轴与所述第一安装座可转动连接；所述第二水平导向轮通过所述第二水平轴与所述第二安装座可转动连接；所述第一水平导向轮和所述第二水平导向轮沿平行于所述待输送件的传输方向两侧相对间隔设置，且所述第一水平轴和所述第二水平轴均垂直于所述传输方向。可选地，所述纠偏机构还包括第一竖直纠偏组件，所述第一竖直纠偏组件位于所述待输送件外侧上方预定第一工艺位置处，所述第一竖直纠偏组件包括第一竖直导向轮、第一竖直轴、第二竖直导向轮和第二竖直轴；其中，所述第一竖直导向轮通过所述第一竖直轴与所述第一安装座可转动连接；所述第二竖直导向轮通过所述第二竖直轴与所述第二安装座可转动连接；所述第一竖直导向轮和所述第二竖直导向轮沿平行于所述待输送件的传输方向相对间隔设置，且所述第一竖直轴和所述第二竖直轴均平行于所述传输方向。可选地，所述纠偏机构还包括第二竖直纠偏组件，所述第二竖直纠偏组件位于所述待输送件下方预定第二工艺位置处，所述第二竖直纠偏组件包括第三竖直导向轮、第三竖直轴、第四竖直导向轮和第四竖直轴；其中，所述第三竖直导向轮通过所述第三竖直轴与所述第一安装座可转动连接；所述第四竖直导向轮通过所述第四竖直轴与所述第二安装座可转动连接；所述第三竖直导向轮和所述第四竖直导向轮沿平行于所述待输送件的传输方向相对间隔设置，且所述第三竖直轴和所述第四竖直轴均平行于所述传输方向。可选地，所述第一水平导向轮和所述第二水平导向轮均为碳化硅轴承，所述第一水平轴和所述第二水平轴均为陶瓷轮轴；和/或，所述第一竖直导向轮和所述第二竖直导向轮均为碳化硅轴承，所述第一竖直轴和所述第二竖直轴均为陶瓷轮轴；和/或，所述第三竖直导向轮和所述第四竖直导向轮均为碳化硅轴承，所述第三竖直轴和所述第四竖直轴均为陶瓷轮轴。可选地，在每个所述纠偏机构中：所述第一水平导向轮与所述第二水平导向轮对称设置在所述待输送件的两侧；和/或，所述第一竖直导向轮与所述第二竖直导向轮对称设置在所述待输送件的两侧；和/或，所述第三竖直导向轮与所述第四竖直导向轮对称设置在所述待输送件的两侧。可选地，在垂直于所述传输方向上，所述第一水平导向轮和所述第二水平导向轮的传输面与所述待输送件的间隙范围均为0.5mm～1mm；和/或，在垂直于所述传输方向上，所述第一竖直导向轮和所述第二竖直导向轮的传输面与所述待输送件的间隙范围均为0.25mm～0.75mm；和/或，在垂直于所述传输方向上，所述第三竖直导向轮和所述第四竖直导向轮的传输面与所述待输送件的间隙范围均为0.25mm～0.75mm。可选地，所述输送装置包括多个所述纠偏机构，在沿平行于所述输送滚轮的传输方向上，各所述纠偏机构等间距设置。可选地，在沿平行于所述输送滚轮的传输方向上，所述纠偏机构与所述输送滚轮交替间隔设置。可选地，所述第一安装座和所述第二安装座均包括第一安装部以及自所述第一安装部弯折延伸的第二安装部；所述第二安装部包括竖直安装部以及自所述竖直安装部向靠近所述第一安装部的方向凹陷的水平安装部；所述第一水平导向轮和所述第二水平导向轮安装在对应的所述水平安装部上；所述第一竖直导向轮、所述第二竖直导向轮、所述第三竖直导向轮和所述第四竖直导向轮安装在对应的所述竖直安装部上。本技术的第二方面，提供了一种半导体处理设备，包括真空腔室以及前文记载的所述的输送装置。本技术的真空腔室用输送装置和半导体处理设备。其包括若干个输送滚轮，用于输送待输送件，所述若干个输送滚轮并排间隔设置；至少一个纠偏机构，所述纠偏机构位于所述待输送件的外侧，所述纠偏机构包括水平纠偏组件，所述水平纠偏组件包括第一安装座、第一水平导向轮、第一水平轴、第二安装座、第二水平导向轮和第二水平轴；其中，所述第一水平导向轮通过所述第一水平轴与所述第一安装座可转动连接；所述第二水平导向轮通过所述第二水平轴与所述第二安装座可转动连接；所述第一水平导向轮和所述第二水平导向轮沿平行于所述待输送件的传输方向两侧相对间隔设置，且所述第一水平轴和所述第二水平轴均垂直于所述传输方向。这样，在待输送件被输送滚轮驱动沿输送方向运动时，如果待输送件在水平方向上发生偏移，则设置在待输送件左右两侧的第一水平导向轮和第二水平导向轮会与待输送件接触，这样，第一水平导向轮和第二水平导向轮会向待输送件提供纠偏力以阻止待输送件发生偏移，从而可以确保待输送件保持直行，提高待输送件的输送精度。附图说明附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：图1为本技术第一实施例中传输装置的主视图；图2为图1的侧视图；图3为图1中所示的传输装置中的纠偏机构的反向视图；图4为图1中所示的传输装置中的纠偏机构的侧视图。具体实施方式以下结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。请参阅图1和图2，本技术的第一方面，涉及一种真空腔室用输送装置100，该输送装置100包括若干个输送滚轮110以及至少一个纠偏机构120。其中，输送滚轮110用于输送待输送件2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空腔室用输送装置，其特征在于，包括：若干个输送滚轮，用于输送待输送件，所述若干个输送滚轮并排间隔设置；至少一个纠偏机构，所述纠偏机构位于所述待输送件的外侧，所述纠偏机构包括水平纠偏组件，所述水平纠偏组件包括第一安装座、第一水平导向轮、第一水平轴、第二安装座、第二水平导向轮和第二水平轴；其中，所述第一水平导向轮通过所述第一水平轴与所述第一安装座可转动连接；所述第二水平导向轮通过所述第二水平轴与所述第二安装座可转动连接；所述第一水平导向轮和所述第二水平导向轮沿平行于所述待输送件的传输方向两侧相对间隔设置，且所述第一水平轴和所述第二水平轴均垂直于所述传输方向。

【技术特征摘要】
1.一种真空腔室用输送装置，其特征在于，包括：若干个输送滚轮，用于输送待输送件，所述若干个输送滚轮并排间隔设置；至少一个纠偏机构，所述纠偏机构位于所述待输送件的外侧，所述纠偏机构包括水平纠偏组件，所述水平纠偏组件包括第一安装座、第一水平导向轮、第一水平轴、第二安装座、第二水平导向轮和第二水平轴；其中，所述第一水平导向轮通过所述第一水平轴与所述第一安装座可转动连接；所述第二水平导向轮通过所述第二水平轴与所述第二安装座可转动连接；所述第一水平导向轮和所述第二水平导向轮沿平行于所述待输送件的传输方向两侧相对间隔设置，且所述第一水平轴和所述第二水平轴均垂直于所述传输方向。2.根据权利要求1所述的输送装置，其特征在于，所述纠偏机构还包括第一竖直纠偏组件，所述第一竖直纠偏组件位于所述待输送件外侧上方预定第一工艺位置处，所述第一竖直纠偏组件包括第一竖直导向轮、第一竖直轴、第二竖直导向轮和第二竖直轴；其中，所述第一竖直导向轮通过所述第一竖直轴与所述第一安装座可转动连接；所述第二竖直导向轮通过所述第二竖直轴与所述第二安装座可转动连接；所述第一竖直导向轮和所述第二竖直导向轮沿平行于所述待输送件的传输方向相对间隔设置，且所述第一竖直轴和所述第二竖直轴均平行于所述传输方向。3.根据权利要求2所述的输送装置，其特征在于，所述纠偏机构还包括第二竖直纠偏组件，所述第二竖直纠偏组件位于所述待输送件下方预定第二工艺位置处，所述第二竖直纠偏组件包括第三竖直导向轮、第三竖直轴、第四竖直导向轮和第四竖直轴；其中，所述第三竖直导向轮通过所述第三竖直轴与所述第一安装座可转动连接；所述第四竖直导向轮通过所述第四竖直轴与所述第二安装座可转动连接；所述第三竖直导向轮和所述第四竖直导向轮沿平行于所述待输送件的传输方向相对间隔设置，且所述第三竖直轴和所述第四竖直轴均平行于所述传输方向。4.根据权利要求3所述的输送装置，其特征在于，所述第一水平导向轮和所述第二水平导向轮均为碳化硅轴承，所述第一水平轴和所述第二水平轴均为陶瓷轮轴；和/或，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张进秋，张金斌，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11