表面处理组合物、其制造方法、及使用其的表面处理方法技术

本发明专利技术提供一种手段，其可良好地减少利用包含氧化铈的研磨用组合物研磨后得到的研磨完成的研磨对象物中的氧化铈残渣，并可以充分地抑制有机物残渣。本发明专利技术涉及一种表面处理组合物，其用于对利用包含氧化铈的研磨用组合物研磨后得到的研磨完成的研磨对象物进行表面处理，该表面处理组合物包含：具有源自含有羧基或其盐基的单体的结构单元的含羧基(共)聚合物、具有SOx或NOy(x及y分别独立地为1～5的实数)所示的部分结构的含有SOx或NOy部分结构的化合物，和分散介质，所述表面处理组合物的pH为1以上且8以下。

Surface treatment composition, manufacturing method and surface treatment method using it

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理组合物、其制造方法、及使用其的表面处理方法
本专利技术涉及表面处理组合物、其制造方法、及使用其的表面处理方法。
技术介绍
近年来，随着半导体基板表面的多层布线化，在制造器件时，以下技术被利用：物理上研磨半导体基板而使其平坦化的所谓的化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing；CMP)。CMP为使用包含二氧化硅、氧化铝、氧化铈等磨粒、防腐剂、表面活性剂等的研磨用组合物(浆料)来使半导体基板等研磨对象物(被研磨物)的表面平坦化的方法，研磨对象物(被研磨物)为硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金属等所形成的布线、插头(plug)等。CMP工序后的半导体基板表面上残留有大量杂质(缺陷)。作为杂质，包含源自CMP中使用的研磨用组合物的磨粒、金属、防腐剂、表面活性剂等有机物，通过研磨作为研磨对象物的含硅材料、金属布线、插头等产生的含硅材料、金属，进而包含由各种垫等产生的垫碎屑等有机物等。半导体基板表面被这些杂质污染时，有对半导体的电特性造成坏影响而使器件置的可靠性下降的可能性。因此，期望在CMP工序后导入清洗工序而从半导体基板表面去除这些杂质。作为以去除这样的杂质为目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理组合物，其用于对利用包含氧化铈的研磨用组合物研磨后得到的研磨完成的研磨对象物进行表面处理，所述表面处理组合物包含：含羧基(共)聚合物，其具有源自含有羧基或其盐基的单体的结构单元；含有SOx或NOy部分结构的化合物，其具有SOx或NOy所示的部分结构，其中x及y分别独立地为1～5的实数；和分散介质，所述表面处理组合物的pH为1以上且8以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.14 JP 2017-0486301.一种表面处理组合物，其用于对利用包含氧化铈的研磨用组合物研磨后得到的研磨完成的研磨对象物进行表面处理，所述表面处理组合物包含：含羧基(共)聚合物，其具有源自含有羧基或其盐基的单体的结构单元；含有SOx或NOy部分结构的化合物，其具有SOx或NOy所示的部分结构，其中x及y分别独立地为1～5的实数；和分散介质，所述表面处理组合物的pH为1以上且8以下。2.根据权利要求1所述的表面处理组合物，其中，所述含羧基(共)聚合物为具有源自(甲基)丙烯酸或其盐的结构单元的(共)聚合物。3.根据权利要求1或2所述的表面处理组合物，其中，所述含有SOx或NOy部分结构的化合物为选自由亚硫酸盐、硫酸盐、过硫酸盐、含磺酸基化合物、亚硝酸盐、硝酸盐、过硝酸盐、及含硝基化合物组成的组中的至少1种化合物。4.根据权利要求3所述的表面处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉崎幸信，坂部晃一，枪田哲，古本健一，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP