【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】外延晶圆背面检查方法及其检查装置、外延成长装置的起模针管理方法及外延晶圆制造方法
本专利技术涉及一种外延晶圆背面检查方法、外延晶圆背面检查装置、外延成长装置的起模针(liftpin)管理方法以及外延晶圆的制造方法。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序中所使用的基板,硅晶圆等由半导体构成的晶圆被广泛地使用。作为这种晶圆,已知有对单晶锭进行切片并进行镜面研磨而成的拋光晶圆(PW晶圆)、或在PW晶圆的正面形成有外延层的外延晶圆等。例如,外延晶圆可用作MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor))、DRAM(动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory))、功率晶体管及背照式固体摄像元件等各种半导体器件的器件基板。另外,本说明书中,记载为“外延晶圆正面”时,是指外延晶圆的主表面中形成有外延层的一侧的面,记载为“外延晶圆背面”时,是指外延晶圆的主表面中与形成有外延层的一侧的面相反的一侧的面(即,没有形成有外延层的一侧的面)。在半导体器件的制造工序中为了提 ...
【技术保护点】
1.一种外延晶圆背面检查方法,其特征在于,使用具有具备相对于外延晶圆的背面垂直地设置并且光源是蓝色LED及红色LED中的任一个的环形光纤照明及拍摄部的光学系统和与所述背面平行地扫描所述光学系统的扫描部的外延晶圆背面检查装置,所述外延晶圆背面检查方法包括:拍摄工序,一边以所述扫描部扫描所述光学系统,一边连续地拍摄所述背面的部分图像;获取工序,从所述部分图像中获取所述背面的整体图像;检测工序,从所述整体图像中检测出由存在于所述背面的多个点状缺陷所组成的组构成的针印缺陷;以及数值化处理工序,对所述检测出的所述针印缺陷的各个点状缺陷进行数值化处理,算出所述各个点状缺陷的缺陷面积,在 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.08 JP 2017-0438921.一种外延晶圆背面检查方法,其特征在于,使用具有具备相对于外延晶圆的背面垂直地设置并且光源是蓝色LED及红色LED中的任一个的环形光纤照明及拍摄部的光学系统和与所述背面平行地扫描所述光学系统的扫描部的外延晶圆背面检查装置,所述外延晶圆背面检查方法包括:拍摄工序,一边以所述扫描部扫描所述光学系统,一边连续地拍摄所述背面的部分图像;获取工序,从所述部分图像中获取所述背面的整体图像;检测工序,从所述整体图像中检测出由存在于所述背面的多个点状缺陷所组成的组构成的针印缺陷;以及数值化处理工序,对所述检测出的所述针印缺陷的各个点状缺陷进行数值化处理,算出所述各个点状缺陷的缺陷面积,在所述检测工序中,抽取自所述外延晶圆的背面的中心远离指定距离的位置上的点状的标准缺陷,并将该标准缺陷的位置设为第1标准位置,从所述中心以每等角旋转所述第1标准位置而抽取多个第2标准位置附近的缺陷,将所述第1标准位置及所述多个第2标准位置附近的点状缺陷所组成的组作为所述针印缺陷进行检测。2.根据权利要求1所述的外延晶圆背面检查方法,其中,所述数值化处理工序包括:第1工序,获取所述整体图像中的所述针印缺陷的各个点状缺陷的各像素的亮度值;第2工序,根据指定的亮度阈值对所述各像素的亮度值进行二值化处理;以及第3工序,根据所述二值化处理后的各像素,算出所述各个点状缺陷的缺陷面积。3.根据权利要求1或2所述的外延晶圆背面检查方法,其还包括:判定工序,在所述数值化处理工序后,根据所述各个点状缺陷的缺陷面积与预定的面积阈值的对比,判定所述各个点状缺陷的良否。4.一种外延晶圆背面检查装置,其特征在于,具有:光学系统,具备相对于外延晶圆的背面垂直地设置并且光源是蓝色LED及红色LED中的任一个的环形光纤照明及拍摄部;扫描部,与所述背面平行地扫描所述光学系统;解析部,解析由所述光学系统所获取的外延晶圆背面的图像;以及控制部,控制所述光学系统、所述扫描部及所述解析部,所述外延晶圆背面检查装置中,所述光学系统经由所述控制部一边以所述扫描部进行扫描,一边连续地拍摄所述背面的部分图像,所述解析部经由所述控制部,从所述部分图像获取所述背面的整体图像,并从所述整体图像中检测出由存在于所述背面的多个点状缺陷所组成的组构成的针印缺陷,对所述检测出的所述针印缺陷的各个点状缺陷进行数值化处理,算出所述各个点状缺陷的缺陷面积,当所述解析部检测出所述针印缺陷时,抽取自所述外延晶圆背面的中心远离指定距离的位置上的点状的标准缺陷,并将该标准缺陷的位置设为第1标准位置,从所述中心以每等...
【专利技术属性】
技术研发人员:松尾圭子,和田直之,江头雅彦,
申请(专利权)人:胜高股份有限公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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