半导体晶圆切割装置制造方法及图纸

半导体晶圆切割装置。涉及半导体制造技术领域，尤其涉及晶圆的切割装置。提供了一种结构简单，划片可靠，降低背崩风险的半导体晶圆切割装置。包括立架、支撑组件、切割组件和定位组件，所述立架呈n形、具有横板和一对平行设置的竖板；所述支撑组件设在立架内、位于横板的下方，所述支撑组件包括基座，所述基座上设有用于放置晶圆的托盘，所述托盘旋转活动连接在基座上；所述收卷机构包括电机和绕轴，所述电机设在撑架的横端上，所述电机驱动绕轴，若干定位杆的顶端分别通过拉绳连接绕轴。本实用新型专利技术方便加工，操作可靠。

Semiconductor wafer cutting device

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆切割装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及晶圆的切割装置。
技术介绍
在半导体的生产应用中，晶圆切割必不可少，且半导体晶圆的切割质量直接决定了半导体是否合格。在小信号产品加工中，前道工艺及中测完成后，送封装之前需将管芯分离，由于外延片及背面金属工艺，故不同产品需要制定划片工艺；管芯越小应力越大，在切割过程中，需要释放芯片的应力，从而降低背崩风险。现有技术中，通常切割如图8-9所示，旋转一次进行切穿，切割的间距即为晶粒的宽度，这样，异常率可达到50-60%，降低了产品的质量，成本高。
技术实现思路
本技术针对以上问题，提供了一种结构简单，划片可靠，降低背崩风险的半导体晶圆切割装置。本技术的技术方案是：包括立架、支撑组件、切割组件和定位组件，所述立架呈n形、具有横板和一对平行设置的竖板；所述支撑组件设在立架内、位于横板的下方，所述支撑组件包括基座，所述基座上设有用于放置晶圆的托盘，所述托盘旋转活动连接在基座上；所述切割组件包括液压缸、滑杆和切割头，所述液压缸设在横板上，所述横板上设有滑槽，所述滑杆呈十字形、具有竖杆和横杆，所述竖杆位于滑槽内，所述横杆位于横板上，所述切割头通过支撑杆连接竖杆上，所述切割头位于横板和晶圆之间；所述定位组件包括撑架、若干定位杆和收卷机构，所述撑架呈n形、具有横端和一对竖端，所述撑架设在横板上，所述滑杆位于撑架的横端下方，所述撑架的横端设有若干通孔，所述定位杆一一对应设在通孔内，所述定位杆呈倒T形，相邻定位杆之间的间距为晶粒宽度；所述收卷机构包括电机和绕轴，所述电机设在撑架的横端上，所述电机驱动绕轴，若干定位杆的顶端分别通过拉绳连接绕轴。所述基座上设有容置槽，所述容置槽内设有垂直设置的旋转电机，所述旋转电机的驱动轴连接托盘。所述托盘的截面呈U字形。所述晶圆的高度高于托盘中间容置槽的高度。本技术在工作中，将晶圆放置在支撑组件的托盘上，可通过托盘旋转动作，便于对晶圆的不同方向进行切割；切割组件动作时，通过液压缸推动滑杆，滑杆上的切割头对晶圆进行切割；滑杆滑动时，通过定位组件中的定位杆进行定位；电机驱动绕轴上的拉绳依次拉动不同位置的定位杆，使得滑杆能够逐步前进，从而进行可靠切割动作。本技术方便加工，操作可靠。附图说明图1是本技术的结构示意图，图2是定位杆和撑架的结构示意图一，图3是定位杆和撑架的结构示意图二，图4是本技术的切割示意图一，图5是本技术的切割示意图二，图6是本技术的切割示意图三，图7是本技术的切割示意图四，图8是现有技术的切割示意图一，图9是现有技术的切割示意图二；图中1是立架，11是横板，110是滑槽，12是竖板，21是基座，22是托盘，23是旋转电机，24是晶圆，31是液压缸，32是滑杆，321是竖杆，322是横杆，33是切割头，34是支撑杆，41是撑架，411是横端，4110是通孔，412是竖端，42是定位杆，43是电机，44是绕轴，45是拉绳，a为晶粒宽度，b为双步进宽度；图中晶圆内的箭头代表切割方向，晶圆外的箭头代表旋转方向。具体实施方式本技术如图1-7所示，包括立架1、支撑组件、切割组件和定位组件，所述立架1呈n形、具有横板11和一对平行设置的竖板12；所述支撑组件设在立架内、位于横板的下方，所述支撑组件包括基座21，所述基座上设有用于放置晶圆24的托盘22，所述托盘旋转活动连接在基座上；所述切割组件包括液压缸31、滑杆32和切割头33，所述液压缸31设在横板11上，所述横板上设有滑槽110，所述滑杆呈十字形、具有竖杆321和横杆322，所述竖杆位于滑槽内，所述横杆位于横板上，所述切割头33通过支撑杆34连接竖杆上，所述切割头位于横板和晶圆之间；滑杆呈十字形，便于对滑杆进行定位，使得滑杆可靠滑动连接在滑槽内；所述定位组件包括撑架41、若干定位杆42和收卷机构，所述撑架呈n形、具有横端411和一对竖端412，所述撑架设在横板上，所述滑杆位于撑架的横端下方，所述撑架的横端设有若干通孔4110，所述定位杆一一对应设在通孔内，所述定位杆呈倒T形，设置呈倒T形，便于定位杆可靠位于通孔内；定位杆一方面接触滑杆起到对滑杆的定位；另一方面，定位杆升起便于滑杆移动；相邻定位杆之间的间距为晶粒宽度；所述收卷机构包括电机43和绕轴44，所述电机设在撑架的横端上，所述电机驱动绕轴，若干定位杆的顶端分别通过拉绳45连接绕轴。本技术在工作中，将晶圆放置在支撑组件的托盘上，可通过托盘旋转动作，便于对晶圆的不同方向进行切割；切割组件动作时，通过液压缸推动滑杆，滑杆上的切割头对晶圆进行切割；滑杆滑动时，通过定位组件中的定位杆进行定位；电机驱动绕轴上的拉绳依次拉动不同位置的定位杆，使得滑杆能够逐步前进，从而进行可靠切割动作。所述基座上设有容置槽，所述容置槽内设有垂直设置的旋转电机23，所述旋转电机的驱动轴连接托盘。便于通过旋转电机的旋转动作，带动晶圆进行旋转，便于后续切割动作。所述托盘22的截面呈U字形。这样，使得晶圆可靠设于托盘内，定位可靠。所述晶圆的高度高于托盘中间容置槽的高度。便于晶圆放置和提前，操作可靠。一种半导体晶圆切割装置的工作方法，包括以下步骤：S1、将晶圆放置在托盘内；S2、设定基准一，通过滑杆接触第一定位杆，相邻定位杆之间的间距为晶粒宽度a的2倍（这样，将相邻定位杆中间的定位杆取下，形成双步进宽度b），通过收卷机构中的绕绳带动定位杆依次实现滑杆的定位；液压缸带动滑杆上的切割头进行切割；S3、托盘带动晶圆逆时针旋转90°，若干定位杆复位；S4、设定基准一，通过滑杆接触第一定位杆，相邻定位杆之间的间距为晶粒宽度的2倍（这样，将相邻定位杆中间的定位杆取下），通过收卷机构中的绕绳带动定位杆依次实现滑杆的定位；液压缸带动滑杆上的切割头进行切割；S5、托盘带动晶圆逆时针旋转90°，若干定位杆复位；S6、设定基准二，通过滑杆接触第二定位杆，相邻定位杆之间的间距为晶粒宽度的2倍（这样，将相邻定位杆中间的定位杆取下），通过收卷机构中的绕绳带动定位杆依次实现滑杆的定位；液压缸带动滑杆上的切割头进行切割；S7、托盘带动晶圆逆时针旋转90°，若干定位杆复位；S8、设定基准二，通过滑杆接触第二定位杆，相邻定位杆之间的间距为晶粒宽度的2倍（这样，将相邻定位杆中间的定位杆取下），通过收卷机构中的绕绳带动定位杆依次实现滑杆的定位；液压缸带动滑杆上的切割头进行切割；S9、切割完成。本技术通过采用双步进的切割方式，充分释放应力，提高切割速度及降低背崩风险，产品异常率可控制在5%以下，降低了成本。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体晶圆切割装置，其特征在于，包括立架、支撑组件、切割组件和定位组件，所述立架呈n形、具有横板和一对平行设置的竖板；所述支撑组件设在立架内、位于横板的下方，所述支撑组件包括基座，所述基座上设有用于放置晶圆的托盘，所述托盘旋转活动连接在基座上；所述切割组件包括液压缸、滑杆和切割头，所述液压缸设在横板上，所述横板上设有滑槽，所述滑杆呈十字形、具有竖杆和横杆，所述竖杆位于滑槽内，所述横杆位于横板上，所述切割头通过支撑杆连接竖杆上，所述切割头位于横板和晶圆之间；所述定位组件包括撑架、若干定位杆和收卷机构，所述撑架呈n形、具有横端和一对竖端，所述撑架设在横板上，所述滑杆位于撑架的横端下方，所述撑架的横端设有若干通孔，所述定位杆一一对应设在通孔内，所述定位杆呈倒T形，相邻定位杆之间的间距为晶粒宽度；所述收卷机构包括电机和绕轴，所述电机设在撑架的横端上，所述电机驱动绕轴，若干定位杆的顶端分别通过拉绳连接绕轴。

【技术特征摘要】
1.半导体晶圆切割装置，其特征在于，包括立架、支撑组件、切割组件和定位组件，所述立架呈n形、具有横板和一对平行设置的竖板；所述支撑组件设在立架内、位于横板的下方，所述支撑组件包括基座，所述基座上设有用于放置晶圆的托盘，所述托盘旋转活动连接在基座上；所述切割组件包括液压缸、滑杆和切割头，所述液压缸设在横板上，所述横板上设有滑槽，所述滑杆呈十字形、具有竖杆和横杆，所述竖杆位于滑槽内，所述横杆位于横板上，所述切割头通过支撑杆连接竖杆上，所述切割头位于横板和晶圆之间；所述定位组件包括撑架、若干定位杆和收卷机构，所述撑架呈n形、具有横端和一对竖端，所述撑架设在横板上，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑晓波，方俊，梁瑶，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32