一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅MOSFET结构制造技术

一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅MOSFET结构。涉及功率半导体技术领域。从下而上依次包括漏极接触电极、漏极欧姆接触层、衬底、N型缓冲层、漂移层和P‑Well阱区；所述P‑Well阱区内设有与漂移层连接的载流子扩展层CSL‑1和载流子扩展层CSL‑2；所述P‑Well阱区的端部设有与载流子扩展层CSL‑2连接的欧姆接触区；所述P‑Well阱区的顶部设有与欧姆接触区连接的源区；所述源区的顶面的中部设有向下伸入漂移层的沟道；本技术制作工艺简单，效果显著，可以应用于新型碳化硅MOSFET功率器件的制造。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率半导体，尤其涉及一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅mosfet结构。

技术介绍

1、功率器件作为电力电子领域的核心元件，被广泛应用于交通工具，工业，医疗，家用电子等领域，在人类生活与社会经济中具有重要的影响。当今全球资源紧张，气候日益变化，半导体行业也在追求资源的最大化利用。碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表，在高温环境，大功率应用场合和散热方面的优良表现，使得各国对碳化硅功率器件的研究大量展开。

2、sic mosfet 具有导通电阻低，耐压高，开关损耗低，频率快等优点，有望逐渐取代硅基igbt 的趋势。sic mosfet 时常工作在一些恶劣的工况环境下，短路测试是表征器件可靠性的重要试验。由于人为因素或者机器设备的故障，功率器件会出现短路的风险，一旦检测到电路中器件的短路，保护电路就会触发保护机制，切断电路，但是触发保护电路有一定的反应时间，要求功率器件能够承受短期的短路能力，这就是反馈出来器件的短路鲁棒性能。及时短路时间只有微秒数量级，但器件也会瞬间流过较大密度的电流，产生大量的热量，最终造成器件热失效。p>

3、国内外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅MOSFET结构，其特征在于，从下而上依次包括漏极接触电极（1）、漏极欧姆接触层（2）、衬底（3）、N型缓冲层（17）、漂移层（4）和P-Well阱区（13）；

2.根据权利要求1所述的一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅MOSFET结构，其特征在于，所述载流子扩展层CSL-1（11）位于载流子扩展层CSL-2（12）的中部。

3.根据权利要求1所述的一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅MOSFET结构，其特征在于，所述载流子扩展层CSL-2（12）的N型掺杂浓度为5e16~8e16cm-2；

4.根据权利要求1所述的一种高短路耐量的沟...

【技术特征摘要】

1.一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅mosfet结构，其特征在于，从下而上依次包括漏极接触电极（1）、漏极欧姆接触层（2）、衬底（3）、n型缓冲层（17）、漂移层（4）和p-well阱区（13）；

2.根据权利要求1所述的一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅mosfet结构，其特征在于，所述载流子扩展层csl-1（11）位于载流子扩展...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鸿骏，杨程，裘俊庆，赵耀，万胜堂，王坤，王正，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：