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一种高短路耐量的沟槽栅碳化硅MOSFET结构。涉及功率半导体技术领域。从下而上依次包括漏极接触电极、漏极欧姆接触层、衬底、N型缓冲层、漂移层和P‑Well阱区；所述P‑Well阱区内设有与漂移层连接的载流子扩展层CSL‑1和载流子扩展层CS...
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