耦合出光层材料及其制备方法和电致发光器件技术

本发明专利技术提供了一种耦合出光层材料及其制备方法和电致发光器件，所述耦合出光层(CPL)材料，包括硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺，所述硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式：

Coupling out light layer material, preparation method and electroluminescent device

【技术实现步骤摘要】
耦合出光层材料及其制备方法和电致发光器件
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种耦合出光层(CPL)材料及其制备方法和电致发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(organiclighting-emittingdiodes,OLEDs)，由于主动发光、可视角度大、相应速度快、温度适应范围宽、驱动电压低、功耗小、亮度大、生产工艺简单、轻薄、且可以柔性显示等优点，在OLED显示和照明领域表现出巨大的应用前景，吸引了科研工作者和公司的关注。无论是底发射器件还是顶发射器件，电致产生的光大部分都在器件内部而损耗，而不能有效将产生的光从器件内取出。目前，通用的解决办法是在器件电极外镀有机的耦合出光层(cappinglayer,CPL)，增加光取出效率。而要想实现增加耦合出光，通常选取有机CPL是高折射率的材料，减少光的损失，从而提高器件的性能。据此，亟需开发一种可提高器件效率的耦合出光层(CPL)材料。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种耦合出光层(cappinglayer,CPL)材料，相较于一般的耦合出光材料(CPL)是咔唑或苯基取代苯胺类，本专利技术所提出的耦合出光层(CPL)材料包括一系列硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺类分子。这类分子通过将三苯胺中的苯环通过碳硅键进行连接，形成硅烷萘[3,2,1-de]蒽，以此合成取代芳基胺类材料。这类材料刚性、平面性的增强，不仅能增加CPL热稳定性，而且可使材料的折射率明显提高，有利于耦合出光。藉此实现高热稳定性、高折射率耦合出光材料设计合成，制造出基于该有机发光材料的显示设备和电子设备，赋予有机电致发光器件高效率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种耦合出光层(CPL)材料，包括硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式：其中，式1中的n＝1,或2，式2中的m＝0,1,或2；式1及式2各具有至少一Ar择自下列结构式中任一者或其衍生物：以及在式1及式2中，其他Ar各自独立地择自下列结构式中任一者或其衍生物：依据本专利技术的一实施例，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括下列结构式中任一者或其衍生物：本专利技术还提供了一种耦合出光层(CPL)材料的制备方法，包括如下步骤：步骤S1、在有机溶剂中加入下列硅烷萘[3,2,1-de]蒽化合物或其衍生物中的至少一者以及卤化剂，在第一温度下反应第一时长以得到第一反应液，所述第一反应液含有硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物是择自下列结构式中任一者：其中，X为卤素；步骤S2、自所述第一反应液中分离出硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物；步骤S3、在含碱的溶液中加入所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物、Pd2(dba)3、以及磷催化剂，在惰性气体的环境中与苯胺进行反应得到第二反应液，所述第二反应液含有硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺；以及步骤S4、将所述第二反应液冷却至第二温度后，自所述第二反应液中分离出所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺，其中，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式：其中，式1中的n＝1,或2，式2中的m＝0,1,或2；式1及式2各具有至少一Ar择自下列结构式中任一者或其衍生物：以及在式1及式2中，其他Ar各自独立地择自下列结构式中任一者、或其衍生物：依据本专利技术的一实施例，所述第一温度为室温，所述第一温度为室温，以及所述第二温度为室温；所述第一时长为6小时至36小时。依据本专利技术的一实施例，在步骤S1中，所述卤化剂为N-溴代丁二酰亚胺，以及所述有机溶剂为氯仿；以及在步骤S3中，所述碱为叔丁醇钠，以及所述磷催化剂为PtBu3-BF4。依据本专利技术的一实施例，所述步骤S1更包括将所述第一反应液经过萃取、水洗、脱水、过滤、以及离心干燥处理以得到所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物。依据本专利技术的一实施例，所述步骤S4更包括将所述第二反应液经过萃取、水洗、脱水、过滤、以及离心干燥处理以得到所述耦合出光层材料。依据本专利技术的一实施例，所述步骤S1及步骤S4系使用管柱层析进行分离，所述管柱层析所采用的淋洗液为体积比5:1的石油醚：二氯甲烷。依据本专利技术的一实施例，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括下列结构式中任一者或其衍生物：本专利技术又提供一种电致发光器件，包括所述耦合出光层材料。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例的耦合出光层(CPL)材料的制备方法的流程图。图2为本专利技术的实施例中化合物1的的折射率(n)和消光系数(k)值的关系图。图3为本专利技术实施例的电致发光器件的结构示意图。具体实施方式为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式作详细说明。本专利技术实施例提供一种耦合出光层(cappinglayer,CPL)材料，相较于一般的耦合出光材料(CPL)是咔唑或苯基取代苯胺类，本专利技术所提出的耦合出光层(CPL)材料包括一系列硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺类分子。这类分子通过将三苯胺中的苯环通过碳硅键进行连接，形成硅烷萘[3,2,1-de]蒽，以此合成取代芳基胺类材料。这类材料刚性、平面性的增强，不仅能增加CPL热稳定性，而且可使材料的折射率明显提高，有利于耦合出光。藉此实现高热稳定性、高折射率耦合出光材料设计合成，制造出基于该有机发光材料的显示设备和电子设备，赋予有机电致发光器件高效率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种耦合出光层(CPL)材料，包括硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式：其中，式1中的n＝1,或2，式2中的m＝0,1,或2；式1及式2各具有至少一Ar择自下列结构式中任一者或其衍生物：以及在式1及式2中，其他Ar各自独立地择自下列结构式中任一者或其衍生物：依据本专利技术的一实施例，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括下列结构式中任一者或其衍生物：参见图1，图1为本专利技术实施例的耦合出光层(CPL)材料的制备方法的流程图。如图1所示，本专利技术还提供了一种耦合出光层(CPL)材料的制备方法，包括如下步骤：步骤S1、在有机溶剂中加入下列硅烷萘[3,2,1-de]蒽化合物或其衍生物中的至少一者以及卤化剂，在第一温度下反应第一时长以得到第一反应液，所述第一反应液含有硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物是择自下列结构式中任一者：其中，X为卤素；步骤S2、自所述第一反应液中分离出硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物；步骤S3、在含碱的溶液中加入所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物、Pd2(dba)3、以及磷催化剂，在惰性气体的环境中与苯胺进行反应得到第二反应液，所述第二反应液含有硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺；以及步骤S4、将所述第二反应液冷却至第二温度后，自所述第二反应液中分离出所述硅烷萘[3,2,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耦合出光层材料，包括硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺，所述硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式：

【技术特征摘要】
1.一种耦合出光层材料，包括硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式：其中，式1中的n＝1,或2，式2中的m＝0,1,或2；式1及式2各具有至少一Ar择自下列结构式中任一者或其衍生物：以及在式1及式2中，其他Ar各自独立地择自下列结构式中任一者或其衍生物：2.如权利要求1所述的耦合出光层材料，其中所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺包括下列结构式中任一者或其衍生物：3.一种电致发光器件，包括如权利要求1所述的耦合出光层材料。4.一种耦合出光层材料的制备方法，包括如下步骤：步骤S1、在有机溶剂中加入下列硅烷萘[3,2,1-de]蒽化合物或其衍生物中的至少一者以及卤化剂，在第一温度下反应第一时长以得到第一反应液，所述第一反应液含有硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物，所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物是择自下列结构式中任一者；其中，X为卤素；步骤S2、自所述第一反应液中分离出所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物；步骤S3、在含碱的溶液中加入所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽之卤化物、Pd2(dba)3、以及磷催化剂，在惰性气体的环境中与苯胺进行反应得到第二反应液，所述第二反应液含有硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯胺；以及步骤S4、将所述第二反应液冷却至第二温度后，自所述第二反应液中分离出所述硅烷萘[3,2,1-de]蒽取代苯...

【专利技术属性】
技术研发人员：王彦杰，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42