过滤装置及过滤在半导体制造中使用的流体的方法制造方法及图纸

本申请提供一种过滤装置及过滤在半导体制造中使用的流体的方法，该过滤装置包括一壳体、一过滤元件、及一温度控制单元。壳体具有一入口及一出口，其中入口允许一流体流入壳体，而出口允许流体流出壳体。过滤元件设置于入口与出口之间，用以经由一吸附方式过滤流过过滤元件的流体中的杂质。温度控制单元配置用以控制过滤元件的温度，以改变过滤元件的吸收率。

【技术实现步骤摘要】
过滤装置及过滤在半导体制造中使用的流体的方法
本专利技术实施例涉及一种半导体技术，特别涉及一种用于过滤在半导体制造中使用到的各种流体的过滤装置及过滤方法。
技术介绍
半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机、及其他电子设备。半导体装置的制造通常涉及多道处理程序，例如包括光刻、蚀刻、离子注入、掺杂、退火、及封装等制造过程(以下简称作工艺)。在这些工艺中，可能使用到各种不同类型的流体或化学品，例如包括水、光阻剂、显影液、蚀刻液、研磨液、工艺或清洁用气体等。这些流体通常经过过滤之后才被输送至半导体制造设备以供使用。虽然现有的过滤系统及过滤方法已经足以应付其需求，然而仍未全面满足。因此，需要提供一种可以改善过滤流体中杂质的效果的方案。
技术实现思路
本申请部分实施例提供一种过滤装置。上述过滤装置包括一壳体、一过滤元件、及一温度控制单元。壳体具有一入口及一出口，其中入口允许一流体流入壳体，而出口允许流体流出壳体。过滤元件设置于入口与出口之间，用以经由一吸附方式过滤流过过滤元件的流体中的杂质。温度控制单元配置用以控制过滤元件的温度，以改变过滤元件对流体中的杂质的一吸收率。本申请部分实施例提供一种过滤在半导体制造中使用的一流体的方法。上述方法包括将流体流过一过滤元件。上述方法还包括改变过滤元件的温度，以调整过滤元件对流体的杂质的一吸收率。上述方法也包括经由过滤元件吸附前述杂质以过滤流体。附图说明图1显示根据部分实施例的一过滤系统的示意图。图2显示根据部分实施例的一过滤装置的剖面示意图。图3显示根据部分实施例的一过滤装置的剖面示意图。图4显示根据部分实施例的一过滤装置的剖面示意图。图5显示根据部分实施例的一过滤装置的剖面示意图。图6显示根据部分实施例的一过滤装置的剖面示意图。图7显示根据部分实施例中过滤在半导体制造中使用的一流体的一方法的流程图。图8显示根据部分实施例中过滤装置的物理吸附力相对于温度的关系图。图9显示根据部分实施例中过滤装置的化学吸附力相对于温度的关系图。图10显示根据部分实施例，过滤装置还包括一电场产生单元的示意图。附图标记说明：10～过滤系统；11～储存槽；12～半导体制造机台；13～管路系统；14、14'、14”～过滤装置；140～壳体；141～槽体；141A～侧壁；141B～底壁；142～盖体；142A～入口；142B～出口；142C～排气口；143～本体；143A～开孔；143B～表面；143C～表面；144～外壳；145、145'～过滤元件；146～支架；15～废液处理站；20～温度控制单元；21、21'～温度调控件；22～检测器；23～控制器；30～电场产生单元；31～电源；32～第一电极；33～第二电极；S10～过滤方法；S11-S13～操作；C～流体；CX～杂质；E～电场；P1～部分/第一部分/外侧部分；P2～部分/第二部分/内侧部分。具体实施方式以下公开内容提供许多不同的实施例或较佳范例以实施本案的不同特征。当然，本申请也可以许多不同形式实施，而不局限于以下所述的实施例。以下公开内容配合图式详细叙述各个构件及其排列方式的特定范例，系为了简化说明，使公开得以更透彻且完整，以将本申请的范围完整地传达给本领域技术人员。在下文中所使用的空间相关用词，例如“在……下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，为的是了便于描述图中一个元件或特征与另一个(另一些)元件或特征之间的关系。除了在图中示出的方位之外，这些空间相关用词也意在包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，而在此所使用的空间相关用词也可依此作相同解释。必须了解的是，未特别示出或描述的元件可按照本领域技术人员所熟知的各种形式存在。此外，若实施例中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的情况，也可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使得上述第一特征与第二特征未直接接触的情况。以下不同实施例中可能重复使用相同的元件标号及/或文字，这些重复为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。在图中，结构的形状或厚度可能扩大，以简化或便于标示。图1显示根据本专利技术部分实施例的一过滤系统10的示意图。过滤系统10可以用于过滤在半导体制造的多道工艺中使用到的各种流体C(或化学品)，例如包括水、光阻剂、显影液、蚀刻液、研磨液、工艺或清洁用气体等。如图1所示，过滤系统10包括一储存槽11，用于在流体C被输送至一半导体制造机台12以供制造使用之前，提供储存及保护流体C的功能。在部分实施例中，半导体制造机台12可以是一化学气相沉积机台、一物理气相沉积机台、一蚀刻机台、一热氧化机台、一离子注入机台、一化学机械研磨机台、一快速升温退火机台、一光刻机台、一扩散机台、或者执行其他类型的工艺的半导体制造机台。根据所储存流体C的不同特性，储存槽11可以选用各种适合的材料，以避免例如储存槽11的材料与流体C发生反应而导致流体C的变质或污染。举例来说，当流体C是一负型显影液(negativetonedeveloper，NTD)时，储存槽11可以选用不含聚乙烯(polyethylene，PE)或高密度聚乙烯的一材料，例如为聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)或过氟烷基化物(perfluoroalkoxy，PFA)等氟基聚合物(fluorine-basedpolymer)，借此避免负型显影液受到聚乙烯的污染。然而，当流体C为水或去离子水时，储存槽11也可以选用例如聚乙烯等塑胶材质，以降低材料成本。再者，在半导体制造机台12开始执行工艺之前，储存在储存槽11的流体C可以经由一系列的管路系统13被输送至半导体制造机台12。在部分实施例中，管路系统13包括多个管道、泵、阀、及流量计等元件，用于将流体C在预定的时间内以预定的流量输送至半导体制造机台12。管路系统13的运作可以由一控制系统(图中未示)来控制，且该控制系统可以为一独立的电脑控制系统或者耦合于半导体制造机台12的工艺控制系统中。在部分实施例中，如图1所示，管路系统13中设置有一过滤装置14，用于过滤流体C中的杂质(例如，流体C在调配或输送过程中可能掺入的微粒、金属离子或其他外来异物)，以避免这些杂质可能影响或伤害后续半导体制造机台12的工艺结果(例如，这些杂质可能刮伤在半导体制造机台12中进行处理的晶圆的表面)。请参照图2，其显示根据部分实施例，图1中的过滤装置14的剖面示意图。过滤装置14包括一壳体140，其包括用于接收要被过滤的流体C(图1)的一槽体141及用于封闭槽体141的一盖体142。槽体141可以设计成任何适于接收流体C及装载稍后将介绍的一过滤元件145的形状。在部分实施例中，槽体141包括一圆筒形的侧壁141A及连接于侧壁141A的一底壁141B，其中用于容纳流体C的一空间形成于侧壁141A与底壁141B之间。在另一些实施例中，槽体141也可以具有其他合适的形状，例如中空的方形、六边形、八边形、或其他多边形。槽体141可以由和要被过滤的流体C不会发生反应且能够承受流体压力的一材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过滤装置，包括：一壳体，具有一入口及一出口，该入口允许一流体流入该壳体，而该出口允许该流体流出该壳体；一过滤元件，设置于该入口与该出口之间，用以经由一吸附方式过滤流过该过滤元件的该流体中的杂质；以及一温度控制单元，配置用以控制该过滤元件的温度，以改变该过滤元件对该流体中的杂质的一吸收率。

【技术特征摘要】
1.一种过滤装置，包括：一壳体，具有一入口及一出口，该入口允许一流体流入该壳体，而该出口允许该流体流出该壳体；一过滤元件，设置于该入口与该出口之间，用以经由一吸附方式过滤流过该过滤元件的该流体中的杂质；以及一温度控制单元，配置用以控制该过滤元件的温度，以改变该过滤元件对该流体中的杂质的一吸收率。2.如权利要求1所述的过滤装置，其中该温度控制单元包括一温度调控件，该温度调控件相对该过滤元件设置且与该过滤元件相隔一间距，其中该温度调控件配置用于产生一热辐射以改变该过滤元件的温度。3.如权利要求1所述的过滤装置，其中该温度控制单元包括一温度调控件，该温度调控件直接接触该过滤元件，其中该温度调控件配置用于透过热传导的方式改变该过滤元件的温度。4.如权利要求1所述的过滤装置，其中该温度控制单元包括：一检测器，配置用于检测该流体的种类，并根据检测的结果发出一检测信号；一控制器，电性连结该检测器并配置用于根据该检测信号发出一控制信号；以及一温度调控件，电性连结该控制器并根据该控制信号改变该过滤元件的温度。5.如权利要求1所述的过滤装置，其中该流体由该入口流入该壳体后，至少通过位于该过滤元件上的一第一流动路线与一第二流动路...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建惟，杨立柏，张庆裕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71