烘干设备制造技术

一种烘干设备包含一炉体、一磁场产生装置、一腔压控制装置与一烘烤装置。炉体具有一可气密的腔室。腔室内用以放置一半导体封装元件。腔压控制装置用以降低腔内气压。磁场产生装置用以极化腔室内的半导体封装元件。烘烤装置用以烘干腔室内的半导体封装元件的水分。如此，透过以上架构，可加速半导体封装元件的水分烘干作业及缩短烘烤工艺时间。故，不仅缩短出货周期时间、降低制造成本，进而提升企业的竞争力。

drying equipment

【技术实现步骤摘要】
烘干设备
本专利技术有关于一种烘干设备，尤指一种用以干燥半导体封装元件的烘干设备。
技术介绍
传统覆晶封装晶片具有良好的导电性和散热管道，但是在覆晶封装晶片制造后需要长时间的烘烤周期，以确保此覆晶封装晶片符合合适干燥条件的出货规定。举例来说，等级高的湿敏晶片在125℃的烘烤温度下最少需要持续24小时的烘烤作业，如此，不仅导致出货周期时间过长与提高制造成本，更可能进而弱化了企业的竞争力。故，如何研发出一种解决方案以改善上述所带来的缺失及不便，实乃相关业者目前刻不容缓的一重要课题。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供了一种烘干设备。烘干设备包含一炉体、一磁场产生装置、一腔压控制装置与一烘烤装置。炉体具有一可气密的腔室。腔室内用以放置至少一半导体封装元件。腔压控制装置连接腔室，用以降低腔室内的气压。磁场产生装置连接腔室，用以极化腔室内的半导体封装元件。烘烤装置连接腔室，用以烘干腔室内的半导体封装元件的水分。依据本专利技术一或多个实施例，在上述的烘干设备中，磁场产生装置包含一磁性管状结构及一中空空间。磁性管状结构位于炉体内，由多个磁性元件所共同围绕而成，且任二相邻的磁性元件之间夹设有一硅钢片。中空空间被磁性元件所共同围绕，用以将半导体封装元件放置于其中。依据本专利技术一或多个实施例，在上述的烘干设备中，每个磁性元件为一瓦状永久磁铁。依据本专利技术一或多个实施例，在上述的烘干设备中，上述所有磁性元件是依海尔贝克阵列(HalbachArray)的方式排列极性。依据本专利技术一或多个实施例，在上述的烘干设备中，磁场产生装置用以依据一预设磁场强度极化腔室内的半导体封装元件，且预设磁场强度为1000±30％毫高斯(mGs)。依据本专利技术一或多个实施例，在上述的烘干设备中，腔压控制装置用以将腔室内的气压调控为0～1大气压力之间。依据本专利技术一或多个实施例，在上述的烘干设备中，腔压控制装置用以将腔室内的气压调控为0.25～0.3大气压力之间。依据本专利技术一或多个实施例，在上述的烘干设备中，烘烤装置依据一预设温度烘干腔室内的半导体封装元件，其中预设温度为125℃±25℃。依据本专利技术一或多个实施例，在上述的烘干设备中，烘烤装置依据一恒定温度加热腔室内的半导体封装元件，其中恒定温度大致为125℃或150℃。本专利技术的一实施例提供了一种烘干设备。烘干设备包含一炉体、一磁场产生装置、一腔压控制装置、一加热器与一气流引导器。炉体具有一可气密的腔室。腔室内用以放置至少一半导体封装元件。腔压控制装置连接腔室，用以控制腔室内的气压。磁场产生装置连接腔室，用以控制腔室内的磁场。加热器连接腔室，且加热器在磁场产生装置及腔压控制装置的同时作用下，发出热能至腔室内。气流引导器连接腔室，用以输出气流将热能引导至半导体封装元件，以致烘干半导体封装元件的水分。如此，透过以上实施例所述的架构，其中一功效可加速半导体封装元件的水分烘干作业及缩短烘烤工艺时间。故，不仅缩短出货周期时间、降低制造成本，进而提升企业的竞争力。此外，透过以上实施例所述架构的另一功效亦可为节省电力能源、降低能源成本。以上所述仅是用以阐述本专利技术所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本专利技术的具体细节将在下文的实施例及相关附图中详细介绍。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：图1绘示依据本专利技术一实施例的烘干设备的示意图；图2绘示依据本专利技术一实施例的烘干设备的炉体的示意图；以及图3绘示依据本专利技术一实施例的烘干设备的示意图。具体实施方式以下将以附图揭露本专利技术的多个实施例，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术实施例中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。图1绘示依据本专利技术一实施例的烘干设备10的示意图。烘干设备10包含一炉体100、一磁场产生装置200、一腔压控制装置300与一烘烤装置400。炉体100内具有一腔室101。腔室101为可气密(或密闭)的腔室，且腔室101内用以放置至少一半导体封装元件600。半导体封装元件600例如为覆晶封装晶片、非覆晶封装晶片或其他类似电子元件。腔压控制装置300连接腔室101，用以降低腔室101内的气压，以便降低半导体封装元件600上所残留水分的水分沸点。磁场产生装置200连接腔室101，用以控制腔室101内的磁场，进而对半导体封装元件600上所残留水分加以极化，以致降低水分的水分子团尺寸及其扩散系数。烘烤装置400连接腔室101，用以烘干腔室101内的半导体封装元件600的水分。如此，透过以上实施例所述的架构，在烘烤程序中，烘干设备10能在腔室101内提供加磁且低压的环境，使得磁场产生装置200的电磁能破坏半导体封装元件600上所残留水分的水分子团的氢键，以降低水分子团尺寸及增加其扩散系数，且腔压控制装置300所控制的腔内低压能够降低腔室101内水分的沸点，在炉温不变下提升水分子蒸散动能，增加烘烤效率。故，加速了半导体封装元件600的水分烘干作业及缩短了烘烤工艺时间，进而缩短出货周期时间、降低制造成本，以及提升企业的竞争力。相较于已知烘烤作业下的烘烤时间，举例来说，由于此实施例所产生的低气压能够加速2倍蒸发速率以及电磁能加速1.8倍的蒸发速率，对于等级高的湿敏晶片在125℃的烘烤温度下只需要持续6-7小时的烘烤作业而缩短原先时间的原签约3.6倍。此外，除了以缩短时间为目标，本专利技术所属领域具有通常技术者也可以节省能源为目标，以降低能源成本，甚至避免半导体封装元件过热而损毁。具体来说，在本实施例中，磁场产生装置200、腔压控制装置300与烘烤装置400分别为可电控装置。烘干设备10还包含一控制器500。控制器500电性连接磁场产生装置200、腔压控制装置300与烘烤装置400，用以在同步启动并调控磁场产生装置200、腔压控制装置300与烘烤装置400时，对腔室101内的半导体封装元件600进行水分烘干作业。磁场产生装置200位于炉体100、腔室101内，或者，位于腔室101内壁，可以产生电磁能至半导体封装元件600，破坏半导体封装元件600上所残留的水分子结构，使其失去稳定性，以增强水分子的移动能力，从而加速水分被烘干的时效。磁场产生装置200用以依据一预设磁场强度对腔室101内的半导体封装元件600进行极化。举例来说，但不以此为限，所述预设磁场强度为1000毫高斯(mGs)，或者，预设磁场强度为1000±30％毫高斯(mGs)的磁场，意即，700毫高斯(mGs)～1300毫高斯(mGs)之间。此外，磁场产生装置200例如为一电磁铁装置或其他类似装置。烘烤装置400产生热能并传递至半导体封装元件600。烘烤装置400依据一预设温度对腔室101内的半导体封装元件600进行加热。举例来说，但不以此为限，预设温度为125℃±25℃，意即，预设温度为摄氏100℃～摄氏150℃之间。更限缩地，烘烤装置400依据一恒温温度对腔室101内的半导体封装元件600进行大致加热，例如恒温温度大致为125℃，然而，本专利技术不限于此。腔压控制装置300用以将腔室101内的气压调控为非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种烘干设备，其特征在于，包含：一炉体，具有一腔室，该腔室为可气密的，且该腔室内用以放置至少一半导体封装元件；一腔压控制装置，连接该腔室，用以降低该腔室内的气压；一磁场产生装置，连接该腔室，用以极化该腔室内的该半导体封装元件；以及一烘烤装置，连接该腔室，用以烘干该腔室内的该半导体封装元件的水分。

【技术特征摘要】
1.一种烘干设备，其特征在于，包含：一炉体，具有一腔室，该腔室为可气密的，且该腔室内用以放置至少一半导体封装元件；一腔压控制装置，连接该腔室，用以降低该腔室内的气压；一磁场产生装置，连接该腔室，用以极化该腔室内的该半导体封装元件；以及一烘烤装置，连接该腔室，用以烘干该腔室内的该半导体封装元件的水分。2.根据权利要求1所述的烘干设备，其特征在于，该磁场产生装置包含：一磁性管状结构，位于该炉体内，由多个磁性元件所共同围绕而成，且任二相邻的所述磁性元件之间夹设有一硅钢片；以及一中空空间，被所述多个磁性元件所共同围绕，用以将该半导体封装元件放置其中。3.根据权利要求2所述的烘干设备，其特征在于，每一所述磁性元件为一瓦状永久磁铁。4.根据权利要求2所述的烘干设备，其特征在于，所述多个磁性元件是依海尔贝克阵列的方式排列极性。5.根据权利要求1所述的烘干设备，其特征在于，该磁场产生装置用以依据一预设磁场强度极化该腔室内的该半导体封装元件，其中该预设磁场强度为1000±30％毫高斯(mGs)。6.根据权利要求1所述的烘干设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖致傑，孙育民，程志丰，
申请(专利权)人：创意电子股份有限公司，台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71