【技术实现步骤摘要】
一种基于颗粒级配的碳化硼基陶瓷复合材料的制备方法
：本专利技术属于材料
，具体涉及一种基于颗粒级配的碳化硼基陶瓷复合材料的制备方法。
技术介绍
：碳化硼(B4C)陶瓷在结构陶瓷中占有重要地位，它具有许多优良的性能，最突出的性能就是高硬度和低密度，常温下其硬度仅次于金刚石和立方氮化硼。同时，碳化硼陶瓷还具有高模量、良好的耐磨性、优异的中子吸收性能、高熔点、良好的导电性、优越的抗化学侵蚀能力等特点，现已被国外广泛用作防弹装甲材料、高温结构材料、原子反应堆控制和屏蔽材料、耐磨材料、耐酸碱腐蚀材料、切割研磨工具及电热材料等。但是由于碳化硼陶瓷原子间以牢固的共价键结合、晶界移动阻力大、烧结活化能低，要获得高致密的烧结体异常困难，通常需要极高的温度进行烧结，其烧结温度通常在2000℃左右。
技术实现思路
：本专利技术的目的是克服上述现有技术存在的不足，提供一种基于颗粒级配的碳化硼基陶瓷复合材料制备方法。该方法通过颗粒级配结合凝胶注模的方法可制备出高相对密度、结构均匀的坯体，从而获得B4C含量高、组织均匀的反应烧结碳化硼陶瓷复合材料，提高反应烧结碳化硼陶瓷复合材料的综合性能。...
【技术保护点】
1.一种基于颗粒级配的碳化硼基陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：混合浆料制备：(1)取不同粒度的B4C粉体，包括B4C粉体A，B4C粉体B，B4C粉体C，B4C粉体D与B4C粉体E，其中，所述的B4C粉体A平均粒度为2μm，所述的B4C粉体B平均粒度为10μm，所述的B4C粉体C平均粒度为20μm，所述的B4C粉体D平均粒度为40μm，所述的B4C粉体E平均粒度为120μm，按质量比，A：B：C：D：E＝(0.14～0.3)：(0～0.43)：(0～0.28)：(0～0.29)：(0～0.42)：(0～0.65)，混合形成混合粉体，所述的混合粉体中包...
【技术特征摘要】
1.一种基于颗粒级配的碳化硼基陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：混合浆料制备：(1)取不同粒度的B4C粉体，包括B4C粉体A，B4C粉体B，B4C粉体C，B4C粉体D与B4C粉体E，其中，所述的B4C粉体A平均粒度为2μm，所述的B4C粉体B平均粒度为10μm，所述的B4C粉体C平均粒度为20μm，所述的B4C粉体D平均粒度为40μm，所述的B4C粉体E平均粒度为120μm，按质量比，A：B：C：D：E＝(0.14～0.3)：(0～0.43)：(0～0.28)：(0～0.29)：(0～0.42)：(0～0.65)，混合形成混合粉体，所述的混合粉体中包括B、C、D或E中的两种或三种，以及A；(2)将丙烯酰胺、亚甲基双丙烯酰胺、分散剂与去离子水混合，按质量比，丙烯酰胺：去离子水＝0.11～0.25，丙烯酰胺：亚甲基双丙烯酰胺＝30～48，分散剂：去离子水＝0.027～0.03，搅拌至完全溶解，形成混合溶液；(3)向混合溶液中加入混合粉体，形成水基B4C混合浆料；其中，混合浆料中碳化硼的含量为60～65vol％；步骤2：素坯制备：(1)将混合浆料真空除气3～10min，加入过硫酸铵，搅拌均匀后，注模并在模具中固化，常压干燥后，获得干燥坯；其中，所述的过硫酸铵加入量按质量比为混合溶液质量的0.5～0.7％；(2)对干燥坯进行高温碳化，制得颗粒级配B4C素坯；其中，所述的碳化温度为600～900℃，碳化保温时间为2～4h；步骤3：碳化硼基陶瓷复合材料制备：(1)在颗粒级配B4C坯体表面均匀铺单质硅后，进行高温熔渗，制得烧结体，其中，所述的熔渗温度为1450～1600℃，保温30～60min；(2)将烧结体冷却至室温后，取出，除去表层多余的单质硅，制得基于颗粒级配的碳化硼基陶瓷复合材料。2.根据权利要求1所述的基于颗粒级配的碳化硼基陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，所述的步骤1(1)中，B4C混合粉体由五种规格B4C粉体按比例进行颗粒级配，其中，B4C粉体A的粒度范围为1.2～2.8μm，所述的B4C粉体B的粒度范围为7～1...
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