阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板技术

本发明专利技术公开一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板，该阵列基板包括衬底基板；设于衬底基板的一表面的扫描线，扫描线沿第一方向设置第一投影区；有源层和数据线，有源层和所述数据线依次堆叠于扫描线的上方，数据线与扫描线交叠设置；隔垫层，隔垫层设于数据线和扫描线之间，并与有源层位于同一层，隔垫层还设置贯穿孔，定义贯穿孔沿第一方向设置第二投影区，第二投影区的外轮廓位于第一投影区的外轮廓内，隔垫层的至少部分位于扫描线和数据线的交叠处。本发明专利技术技术方案旨在提高画素充电率，进而保证阵列基板的对比度和画质品位，并且，减小栅极(扫描线)的宽度设置，提高阵列基板用于透光的部分，提高画素开口率。

Manufacturing Method and Display Panel of Array Substrate and Array Substrate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板。
技术介绍
示例性技术中，VA(VerticalAlignment，垂直对齐)显示模式像素结构分为TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)侧的像素结构和CF(ColorFilter，彩膜基板)侧的像素结构两部分。其中，TFT侧的像素结构主要实现TFT-LCD(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)的电学功能，是决定像素电容效应、配向延迟效应、灰阶电压写入特性和保持特性的主要因素；CF侧的像素结构主要实现TFT-LCD的光学功能，决定TFT-LCD的对比度和色域度的主要因素。完成VA显示从电学输入向光学输出转换的过度元素是像素负荷电容，主要包含液晶电容Clc和存储电容Cst，负荷电容的功能是保证像素电压的稳定性。而数据线和扫描线上一般会产生寄生电容，该部分寄生电容会干扰到像素负荷电容，并且会增大Dateloading(数据线负载)、Gateloading(扫描线负载)，继而减小画素充电率，使阵列基板对比度有所下降，影响阵列基板的画质品位，并且，为了避免半导体层被光照到，一般会用栅极(扫描线)进行遮光，所以栅极(扫描线)的宽度设置的宽度会比半导体层大，这样会导致阵列基板用于透光的部分减小，降低了画素的开口率。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种阵列基板，旨在提高画素充电率，进而保证阵列基板的对比度和画质品位，并且，减小栅极(扫描线)的宽度设置，提高阵列基板用于透光的部分，提高画素开口率。为实现上述目的，本专利技术提供的阵列基板，包括：衬底基板；扫描线，所述扫描线设于所述衬底基板的一表面，所述扫描线沿第一方向投影于所述衬底基板设置第一投影区；有源层和数据线，所述有源层和所述数据线依次堆叠于所述扫描线的上方，所述数据线与所述扫描线交叠设置；隔垫层，所述隔垫层设于所述数据线和所述扫描线之间，并与所述有源层位于同一层，所述隔垫层还设置显露所述有源层的贯穿孔，定义所述贯穿孔沿第一方向投影于所述阵列基板设置第二投影区，所述第二投影区的外轮廓位于所述第一投影区的外轮廓内，所述隔垫层的至少部分位于所述扫描线和所述数据线的交叠处。可选地，所述隔垫层为黑色矩阵层；或者，所述隔垫层为色块层；或者，所述隔垫层包括相互堆叠的色块层和黑色矩阵层。可选地，所述第一投影区的外轮廓为弧形或者环形；且/或，所述第二投影区的外轮廓为弧形或者环形。可选地，所述第二投影区的部分外轮廓与所述第一投影区的部分外轮廓重合，所述第二投影区其他部分的外轮廓位于所述第一投影区的其他部分的外轮廓内。可选地，所述贯穿孔的孔壁抵接所述有源层设置。可选地，所述有源层在第二方向上的两端距所述贯穿孔的孔壁距离为x1和x2，所述x1和x2的关系为：x1＝x2。可选地，在所述隔垫层为黑色矩阵层时，所述黑色矩阵还设置有用于透光的透光区，所述透光区邻近所述贯穿孔设置；或者，在所述隔垫层为色块层时，所述色块层还设置有用于滤光的滤光区；或者，在所述隔垫层为相互堆叠的色块层和黑色矩阵层时，所述黑色矩阵还设置有用于透光的透光区，所述色块层还设置有用于滤光的滤光区，所述滤光区正对所述透光区设置。可选地，所述阵列基板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设于所述衬底基板的一表面，并覆盖所述扫描线，所述有源层和所述数据线均设于所述栅极绝缘层背离所述衬底基板的一侧。本专利技术的还提出一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供衬底基板，在衬底基板的一表面设置扫描线；在衬底基板的表面设置覆盖扫描线的栅极绝缘层；在栅极绝缘层背离衬底基板的表面设置具有贯穿孔的隔垫层，该贯穿孔显露栅极绝缘层，并且该贯穿孔投影在扫描线的轮廓位于扫描线内；在贯穿孔内设置连接栅极绝缘层的有源层；在有源层背离栅极绝缘层的表面设置与扫描线交叠的数据线；其中，所述隔垫层的至少部分位于所述扫描线和所述数据线的交叠处。本专利技术还提出一种显示面板，包括阵列基板和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，该阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供衬底基板，在衬底基板的一表面设置扫描线；在衬底基板的表面设置覆盖扫描线的栅极绝缘层；在栅极绝缘层背离衬底基板的表面设置具有贯穿孔的隔垫层，该贯穿孔显露栅极绝缘层，并且该贯穿孔投影在扫描线的轮廓位于扫描线内；在贯穿孔内设置连接栅极绝缘层的有源层；在有源层背离栅极绝缘层的表面设置与扫描线交叠的数据线；其中，所述隔垫层的至少部分位于所述扫描线和所述数据线的交叠处；或者，所述阵列基板包括：衬底基板；扫描线，所述扫描线设于所述衬底基板的一表面，所述扫描线沿第一方向投影于所述衬底基板设置第一投影区；有源层，所述有源层设于所述扫描线背离所述衬底基板的一侧，并正对所述扫描线设置；数据线，所述数据线位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，并与所述扫描线交叠设置；隔垫层，所述隔垫层设于所述数据线和所述扫描线之间，并与所述有源层位于同一层，所述隔垫层还设置显露所述有源层的贯穿孔，定义所述贯穿孔沿第一方向投影于所述阵列基板设置第二投影区，所述第二投影区的外轮廓位于所述第一投影区的外轮廓内，所述隔垫层的至少部分位于所述扫描线和所述数据线的交叠处。本专利技术技术方案通过在衬底基板设置相互交替的扫描线和数据线，以及将隔垫层与有源层设置在同一层(扫描线和数据线之间)，且将隔垫层的至少部分设置在扫描线和数据线的交叠处，参照电容计算公式：C＝εS/4πkd(ε为介电常数、S为交叠面积、k为静电力常量、d为相对距离)，示例性技术中，该扫描线和数据线的距离为d1，则扫描线和数据线在交叠处设置的寄生电容C1则为：C1＝εS/4πkd1；定义隔垫层的高度为d2、介电常数为δ，根据电容串联公式：C＝(C1*C2)/(C1+C2)，当将隔垫层设置在扫描线和数据线之间时的寄生电容C2则为：C2＝[(εS/4πkd1)*(δS/4πkd2)]/[(εS/4πkd1)+(δS/4πkd2)]＝[εδ/(εd2+δd1)]*S/4πk再通过将C1和C2进行差值比较，得到：C1-C2＝[(ε/d1)-εδ/(εd2+δd1)]*S/4πk＝d1ε2/[d1*(εd2+δd1)]*S/4πk＞0也即，C1＞C2，通过在扫描线和数据线之间增加隔垫层可以减小扫描线与数据线的寄生电容，从而扫描线和数据线的负载都得到了降低；并于隔垫层设置贯穿孔，再使第贯穿孔沿第一方向投影于衬底基板的第二投影区的外轮廓，位于数据线沿第一方向投影于衬底基板的第一投影区的外轮廓内，如此，有源层只要设置在贯穿孔内，在第一方向上就一定会位于栅极(扫描线)内，从而栅极(扫描线)可以在完全将有源层遮挡的前提下，适当减少宽度，这样就能提高阵列基板用于透光的部分，提高画素开口率，并且，由于栅极(扫描线)的宽度减小了，参照电容公式，在正对面积减少的情况下，可以降低电容，所以扫描线和数据线的寄生电容得到了进一步降低。如此，本专利技术的技术方案可以提高画素充电率，进而保证阵列基板的对比度和画质品位，并且，减小栅极(扫描线)的宽度设置，提高阵列基板用于透光的部分，提高画素开口率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；扫描线，所述扫描线设于所述衬底基板的一表面，所述扫描线沿第一方向投影于所述衬底基板设置第一投影区；有源层和数据线，所述有源层和所述数据线依次堆叠于所述扫描线的上方，所述数据线与所述扫描线交叠设置；隔垫层，所述隔垫层设于所述数据线和所述扫描线之间，并与所述有源层位于同一层，所述隔垫层还设置显露所述有源层的贯穿孔，定义所述贯穿孔沿第一方向投影于所述阵列基板设置第二投影区，所述第二投影区的外轮廓位于所述第一投影区的外轮廓内，所述隔垫层的至少部分位于所述扫描线和所述数据线的交叠处。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；扫描线，所述扫描线设于所述衬底基板的一表面，所述扫描线沿第一方向投影于所述衬底基板设置第一投影区；有源层和数据线，所述有源层和所述数据线依次堆叠于所述扫描线的上方，所述数据线与所述扫描线交叠设置；隔垫层，所述隔垫层设于所述数据线和所述扫描线之间，并与所述有源层位于同一层，所述隔垫层还设置显露所述有源层的贯穿孔，定义所述贯穿孔沿第一方向投影于所述阵列基板设置第二投影区，所述第二投影区的外轮廓位于所述第一投影区的外轮廓内，所述隔垫层的至少部分位于所述扫描线和所述数据线的交叠处。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述隔垫层为黑色矩阵层；或者，所述隔垫层为色块层；或者，所述隔垫层包括相互堆叠的色块层和黑色矩阵层。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一投影区的外轮廓为环形；且/或，所述第二投影区的外轮廓为环形。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二投影区的部分外轮廓与所述第一投影区的部分外轮廓重合，所述第二投影区其他部分的外轮廓位于所述第一投影区的其他部分的外轮廓内。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述贯穿孔的孔壁抵接所述有源层设置。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层在第二方向上的两端距所述贯穿孔的孔壁距离为x1和x2，所述x1和x2的关系为：x1＝x2。7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春辉，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，滁州惠科光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44