一种阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括衬底基板、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一甲电极和第一乙电极，第一有源层包括氧化物半导体有源层；第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二甲电极和第二乙电极，第二有源层包括低温多晶硅有源层；第一有源层位于第二有源层远离衬底基板的一侧，在垂直于衬底基板所在平面的方向上，第一甲电极所在膜层、第一乙电极所在膜层、第二甲电极所在膜层和第二乙电极所在膜层均位于第一有源层所在膜层与第二有源层所在膜层之间。如此可以避免损伤氧化物半导体有源层，充分发挥氧化物半导体薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管的优势，提升显示性能。

An Array Substrate, Display Panel and Display Device

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
低温多晶氧化物((LowTemperaturePolycrystallineOxide；LTPO)技术是在同一背板上同时制备低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管的技术。其中，低温多晶硅薄膜晶体管具有开关速度高、功耗小的优点；氧化物半导体薄膜晶体管具有载流子迁移率高、沉积温度低以及透明度高的优点。LTPO技术可以充分发挥两种薄膜晶体管的优势，保证显示装置具备良好的显示性能。但是由于目前的制备工艺会存在损伤氧化物半导体薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的问题，难以发挥出LTPO技术最佳的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有技术中在低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管制备工艺中损伤氧化物半导体薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一甲电极和第一乙电极，所述第一有源层包括氧化物半导体有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二甲电极和第二乙电极，所述第二有源层包括低温多晶硅有源层；其中，所述第一有源层所在膜层位于所述第二有源层所在膜层的远离所述衬底基板的一侧，在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一甲电极所在膜层、第一乙电极所在膜层、第二甲电极所在膜层和第二乙电极所在膜层均位于所述第一有源层所在膜层与所述第二有源层所在膜层之间。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括第一面所述的阵列基板。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。本专利技术实施例提供的阵列基板、显示面板和显示装置，通过设置第一有源层位于第二有源层远离衬底基板的一侧，且在垂直于衬底基板所在平面的方向上，第一甲电极所在膜层、第一乙电极所在膜层、第二甲电极所在膜层和第二乙电极所在膜层均位于第一有源层所在膜层与第二有源层所在膜层之间，如此可以避免损伤第一有源层，即氧化物半导体有源层，充分发挥氧化物半导体薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管的优势，提升显示性能。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1是一种LTPO技术的电路结构示意图；图2是现有技术中一种阵列基板的结构示意图；图3是图2所示的阵列基板沿剖面线A-A’的剖面结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图5是图4提供的阵列基板沿剖面线B-B’的剖面结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图7是图6提供的阵列基板沿剖面线C-C’的剖面结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图9是图8提供的阵列基板沿剖面线D-D’的剖面结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图11是图10提供的阵列基板沿剖面线E-E’的剖面结构示意图；图12是图4提供的阵列基板沿剖面线B-B’的另一种剖面结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；图14是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本专利技术实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本专利技术的技术方案。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本专利技术的保护范围之内。图1是一种LTPO技术的电路结构示意图，图2是现有技术中一种阵列基板的结构示意图，图3是图2所示的阵列基板沿剖面线A-A’的剖面结构示意图，如图2和图3所示，现有技术中的阵列基板包括衬底基板10以及位于衬底基板10一侧的氧化物半导体薄膜晶体管11和低温多晶硅薄膜晶体管12，其中，氧化物半导体薄膜晶体管11包括氧化物半导体有源层111、第一源极112和第一漏极113，低温多晶硅薄膜晶体管12包括低温多晶硅有源层121、第二源极122和第二漏极123。其中，氧化物半导体有源层111位于第一源极112和第一漏极113靠近衬底基板10的一侧，低温多晶硅有源层121位于第二源极122和第二漏极123靠近衬底基板10的一侧，且第一源极112、第一漏极113、第二源极122和第二漏极123同层设置。在制备第二源极122和第二漏极123时需要使用氢氟酸清洗低温多晶硅有源层121，避免低温多晶硅有源层121表面的杂质影响第二源极122、第二漏极123与低温多晶硅有源层121的接触效果。但是由于第一源极112、第一漏极113、第二源极122和第二漏极123同层设置，在制备工艺中同时制备其与有源层连接的过孔，因此在使用氢氟酸清洗低温多晶硅有源层121时氢氟酸会损伤氧化物半导体有源层111，影响氧化物半导体薄膜晶体管性能发挥，进而影响整个显示装置的显示效果。基于上述技术问题，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板；位于衬底基板一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一甲电极和第一乙电极，第一有源层包括氧化物半导体有源层；第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二甲电极和第二乙电极，第二有源层包括低温多晶硅有源层；其中，第一有源层所在膜层位于第二有源层所在膜层的远离衬底基板的一侧，在垂直于衬底基板所在平面的方向上，第一甲电极所在膜层、第一乙电极所在膜层、第二甲电极所在膜层和第二乙电极所在膜层均位于第一有源层所在膜层与第二有源层所在膜层之间。采用上述技术方案，由于第一甲电极所在膜层、第一乙电极所在膜层、第二甲电极所在膜层和第二乙电极所在膜层均位于第一有源层所在膜层与第二有源层所在膜层之间，在使用氢氟酸清洗低温多晶硅有源层时可以避免氢氟酸损伤第一有源层，即氧化物半导体有源层，保证可以充分发挥氧化物半导体薄膜晶体管和低温多晶硅薄膜晶体管的优势，提升显示性能。以上是本专利技术的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术实施例保护的范围。图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图5是图4所示的阵列基板沿剖面线B-B’的剖面结构示意图，图6是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，图7是图6提供的阵列基板沿剖面线C-C’的剖面结构示意图，图8是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，图9是图8提供的阵列基板沿剖面线D-D’的剖面结构示意图，图10是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，图11是图10提供的阵列基板沿剖面线E-E’的剖面结构示意图；如图4-图11所示，本专利技术实施例提供的阵列基板包括：衬底基板10；位于衬底基板10一侧的第一薄膜晶体管21和第二薄膜晶体管22，第一薄膜晶体管21包括第一有源层211、第一甲电极212和第一乙电极213，第一有源层211包括氧化物半导体有源层；第二薄膜晶体管2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；位于所述衬底基板一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一甲电极和第一乙电极，所述第一有源层包括氧化物半导体有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二甲电极和第二乙电极，所述第二有源层包括低温多晶硅有源层；其中，所述第一有源层所在膜层位于所述第二有源层所在膜层的远离所述衬底基板的一侧，在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一甲电极所在膜层、第一乙电极所在膜层、第二甲电极所在膜层和第二乙电极所在膜层均位于所述第一有源层所在膜层与所述第二有源层所在膜层之间。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；位于所述衬底基板一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一甲电极和第一乙电极，所述第一有源层包括氧化物半导体有源层；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二甲电极和第二乙电极，所述第二有源层包括低温多晶硅有源层；其中，所述第一有源层所在膜层位于所述第二有源层所在膜层的远离所述衬底基板的一侧，在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一甲电极所在膜层、第一乙电极所在膜层、第二甲电极所在膜层和第二乙电极所在膜层均位于所述第一有源层所在膜层与所述第二有源层所在膜层之间。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一甲电极与所述第二甲电极同层设置且电连接；在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一有源层与所述第一甲电极具有交叠部分，对于所述交叠部分，所述第一有源层的靠近所述衬底基板的表面与所述第一甲电极的远离所述衬底基板的表面直接接触。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第二栅极所在膜层位于所述第二有源层所在膜层与所述第二甲电极和第二乙电极所在膜层之间；所述第一乙电极与所述第二栅极同层设置且电连接；所述第一乙电极与所述第一有源层通过第一过孔电连接。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第二栅极所在膜层位于所述第二有源层所在膜层与所述第二甲电极和第二乙电极所在膜层之间；所述第一甲电极与所述第一乙电极同层设置；在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一有源层与所述第一乙电极具有交叠部分，对于所述交叠部分，所述第一有源层的靠近所述衬底基板的表面与所述第一乙电极的远离所述衬底基板的表面直接接触；所述第一乙电极与所述第二栅极通过第二过孔电连接。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第二栅极，所述第二栅极所在膜层位于所述第二有源层所在膜层与所述第二甲电极和第二乙电极所在膜层之间；所述第一甲电极、第一乙电极与所述第二栅极同层设置，且所述第一乙电极与所述第二栅极电连接；所述第一有源层在所述衬底基板上的垂直投影与所述第二甲电极在所述衬底基板上的垂直投影存在交叠；所述第一甲电极通过第三过孔分别与所述第二甲电极和所述第一有源层电连接；所述第一乙电极通过第四过孔与所述第一有源层电连接。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极；所述阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴天一，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31