阵列基板、显示面板和阵列基板的制造方法技术

一种阵列基板、包括该阵列基板的显示装置和制造该阵列基板的方法。该阵列基板具有大电容的电容器并且可以允许有效利用其中的空间。该阵列基板包括：基底、遮光部分、薄膜晶体管和电容器。遮光部形成在基底的第一表面上。薄膜晶体管形成在遮光部远离基底的一侧，并且包括有源层。电容器形成在基底的第一表面上，并且包括第一电容电极和第二电容电极。第一电容电极和第二电容电极至少部分地在垂直于基底的第一表面的方向上相对设置。第一电容电极与遮光部分同层设置。并且，有源层在基底的第一表面上的正投影的至少一部分位于遮光部在基底的第一表面上的正投影中。

Manufacturing Method of Array Substrate, Display Panel and Array Substrate

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和阵列基板的制造方法
本公开的实施例涉及阵列基板、包括该阵列基板的显示面板和阵列基板的制造方法。
技术介绍
用于显示面板的阵列基板通常包括显示单元内的显示区域，显示单元包括多个像素，并且可以通过各个像素发射的光的组合显示图像。每个像素包括像素电路和发光元件，例如有机发光二极管(OLED)。像素电路包括存储电容器和驱动晶体管，并且可控制从发光元件的光发射。
技术实现思路
本公开的至少一些实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括基底、遮光部、薄膜晶体管和电容器。所述遮光部形成在所述基底的第一表面上。所述薄膜晶体管形成在所述遮光部远离所述基底的一侧，并且包括有源层。所述电容器形成在所述基底的所述第一表面上，并且包括第一电容电极和第二电容电极。所述第一电容电极和所述第二电容电极至少部分地在垂直于所述基底的所述第一表面的方向上相对设置。所述第一电容电极与所述遮光部分同层设置。并且，所述有源层在所述基底的所述第一表面上的正投影的至少一部分位于所述遮光部在所述基底的所述第一表面上的正投影中。例如，在一些实施例中，所述第一电容电极由与所述遮光部相同的导电材料形成。例如，在一些实施例中，所述第二电容电极与所述有源层同层设置，且由与所述有源层相同的材料制备。例如，在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括栅极。所述第二电容电极与所述栅极同层设置，且由与所述栅极相同的材料制备。例如，在一些实施例中，所述阵列基板还包括第三电极。所述薄膜晶体管还包括源漏极，所述第三电极与所述源漏极同层设置，且由与所述源漏极相同的材料制备。所述第三电极通过第一过孔电连接到所述第一电容电极。例如，在一些实施例中，第三电极至少部分地与所述第二电容电极在垂直于所述基底的所述第一表面的方向上相对。例如，在一些实施例中，所述阵列基板还包括电源线。所述第三电极与所述电源线同层设置，并且由相同的材料制备，并且所述第三电极电连接到所述电源线。例如，在一些实施例中，所述阵列基板还包括栅线、数据线和电源线。所述栅线和所述数据线分别与所述薄膜晶体管电连接。所述电源线与所述第一电容电极或所述第二电容电极电连接。所述第一电容电极和第二电容电极至少之一在所述基底的第一表面上的正投影与所述栅线、所述数据线和所述电源线至少之一在所述基底的第一表面上的正投影至少部分重叠。例如，在一些实施例中，所述第一电容电极具有第一互补部分，所述第二电容电极具有第二互补部分，所述第一互补部分在所述基底的所述第一表面上的投影的形状与所述第二互补部分在所述基底的所述第一表面上的投影的形状互补。例如，在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括栅极和源漏极。所述阵列基板还包括中间介电层。所述中间介电层设置于所述有源层、所述栅极和所述第二电容电极远离所述基底的一侧，且包括源漏极过孔。所述源漏极形成在所述中间介电层远离所述基底的一侧，并且通过所述源漏极过孔与所述有源层电连接。例如，在一些实施例中，所述中间介电层包括第一介电层子部分和第二介电层子部分。所述栅极在所述基底的所述第一表面上的正投影在所述第一介电层子部分在所述基底的所述第一表面上的正投影内。所述第二介电层子部分在所述基底的所述第一表面上的正投影不与所述遮光部在所述基底的所述第一表面上的正投影重叠。所述第一介电层子部分具有第一厚度。并且，所述第二介电层子部分具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。例如，在一些实施例中，所述阵列基板还包括平坦化层，其设置于所述中间介电层、所述源漏极和所述第三电极远离所述基底的一侧。例如，在一些实施例中，所述阵列基板还包括发光元件，所述发光元件形成在所述平坦化层的远离所述基底一侧。所述平坦化层包括第二过孔，所述发光元件通过所述第二过孔与所述源漏极之一电连接。例如，在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括栅极和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极，所述第一电容电极和所述第二电容电极中的一个连接到所述源极和所述漏极中的一个，所述第一电容电极和所述第二电容电极中的另一个连接到所述栅极，并且所述源极和所述漏极中的另一个连接到一发光元件。本公开的至少一些实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板。本公开的至少一些实施例还提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括第一表面；在所述基底的所述第一表面上形成遮光部分和第一电容电极；在所述遮光部分上形成薄膜晶体管，形成所述薄膜晶体管包括形成有源层；以及形成第二电容电极。所述第一电容电极和所述第二电容电极在垂直于所述基底的所述第一表面的方向上相对设置，并且所述有源层在所述基底的第一表面上的正投影的至少一部分位于所述遮光部的在所述基底的第一表面上的正投影中。例如，在一些实施例中，形成所述薄膜晶体管还包括形成栅极和源漏极。例如，在一些实施例中，通过同一构图工艺形成遮光部和第一电容电极，并且第一电容电极由与遮光部相同的导电材料形成。例如，在一些实施例中，通过同一构图工艺形成第二电容电极和有源层，并且第二电容电极由与有源层相同的材料制备。例如，在一些实施例中，通过同一构图工艺形成第二电容电极与栅极，且第二电容电极由与栅极相同的材料制备。例如，在一些实施例中，所述方法还包括形成第三电极。通过同一构图工艺形成源漏极和第三电极。第三电极由与源漏极相同的材料制备，并且第三电极通过第一过孔连接到第一电容电极。例如，在一些实施例中，所述方法还包括：形成栅线；形成数据线；以及形成电源线。栅线和数据线交叉以界定像素区域。在垂直于基底的第一表面的方向上，第一电容电极的正投影与栅线、数据线和电源线至少之一的正投影至少部分重叠。例如，在一些实施例中，所述方法还包括：在有源层、栅极和第二电容电极上覆盖中间介电层；以及在中间介电层中形成源漏极过孔。源漏极形成在中间介电层上，并且通过源漏极过孔与有源层连接。例如，在一些实施例中，形成中间介电层包括：利用半色调掩模或灰色调掩膜形成中间介电层，以使得中间介电层包括第一介电层子部分和第二介电层子部分。在垂直于第一表面的方向上，第一介电层子部分在栅极正上方并且具有第一厚度，第二介电层子部分不与遮光部重叠并且具有第二厚度，第一厚度小于第二厚度。例如，在一些实施例中，所述方法还包括：在中间介电层、源漏极和第三电极之上覆盖平坦化层；在平坦化层上中形成第二过孔；以及在平坦化层上形成发光元件。发光元件通过第二过孔与源漏极之一电连接。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本公开的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1A和图1B示出了OLED显示装置的阵列基板的像素电路的示意性电路图；图2示出了根据本公开的至少一实施例的阵列基板的剖视图；图3示出了根据本公开的至少一实施例的阵列基板的示意性俯视图；图4示出了根据本公开的另一实施例的阵列基板的示意性俯视图；图5示出了根据本公开另一实施例的阵列基板的剖视图；图6示出了根据本公开的至少一实施例的阵列基板的制造方法的流程图；并且图7示出了根据本公开的至少一实施例的形成中间介电层的流程图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：基底；遮光部，形成在所述基底的第一表面上；薄膜晶体管，形成在所述遮光部远离所述基底的一侧，并且包括有源层；以及电容器，形成在所述基底的所述第一表面上，并且包括第一电容电极和第二电容电极；其中，所述第一电容电极和所述第二电容电极至少部分地在垂直于所述基底的所述第一表面的方向上相对设置；所述第一电容电极与所述遮光部分同层设置；并且所述有源层在所述基底的所述第一表面上的正投影的至少一部分位于所述遮光部在所述基底的所述第一表面上的正投影中。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：基底；遮光部，形成在所述基底的第一表面上；薄膜晶体管，形成在所述遮光部远离所述基底的一侧，并且包括有源层；以及电容器，形成在所述基底的所述第一表面上，并且包括第一电容电极和第二电容电极；其中，所述第一电容电极和所述第二电容电极至少部分地在垂直于所述基底的所述第一表面的方向上相对设置；所述第一电容电极与所述遮光部分同层设置；并且所述有源层在所述基底的所述第一表面上的正投影的至少一部分位于所述遮光部在所述基底的所述第一表面上的正投影中。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一电容电极由与所述遮光部相同的导电材料形成。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第二电容电极与所述有源层同层设置，且由与所述有源层相同的材料制备。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管还包括栅极，并且所述第二电容电极与所述栅极同层设置，且由与所述栅极相同的材料制备。5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，还包括：第三电极，其中，所述薄膜晶体管还包括源漏极，所述第三电极与所述源漏极同层设置，且由与所述源漏极相同的材料制备，并且所述第三电极通过第一过孔电连接到所述第一电容电极。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述第三电极至少部分地与所述第二电容电极在垂直于所述基底的所述第一表面的方向上相对。7.根据权利要求5所述的阵列基板，还包括：电源线；所述第三电极与所述电源线同层设置，并且由相同的材料制备，并且所述第三电极电连接到所述电源线。8.根据权利要求1或2所述的阵列基板，还包括栅线和数据线，所述栅线和所述数据线分别与所述薄膜晶体管电连接；以及电源线，所述电源线与所述第一电容电极或所述第二电容电极电连接，其中，所述第一电容电极和第二电容电极至少之一在所述基底的第一表面上的正投影与所述栅线、所述数据线和所述电源线至少之一在所述基底的第一表面上的正投影至少部分重叠。9.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述第一电容电极具有第一互补部分，所述第二电容电极具有第二互补部分，所述第一互补部分在所述基底的所述第一表面上的投影的形状与所述第二互补部分在所述基底的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宏达，刘凤娟，刘威，张建业，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11