一种捣固锤电磁取片器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种捣固锤电磁取片器，包括主回路、微处理器CPU、开关控制模块、振荡电路和浪涌电压监测电路，所述主回路分别连接主电源、IGBT激励模块、同步模块和VCE监控模块，本实用新型专利技术采取涡流加热原理，使用国际较先进的IGBT和MOSFEF组成的电子线路板产生变频磁场，线盘放在工字钢摩擦板上时，工字钢切割交变磁力线面，在钢材内部产生涡流，涡流使铁分子高速无规则运动，分子互相碰撞摩擦产生热能，因此有升温快、效率高、无名火、无烟尘、无辐射、轻巧安全美观等特点，同时本设计增加了一个温度控制模块，能够在120℃的情况下自动切断电源加热，从而有效防止过热毁损，因此增强了安全保护功能。

A Tamping Hammer Electromagnetic Tapper

【技术实现步骤摘要】
一种捣固锤电磁取片器
本技术涉及一种取片器，具体是一种捣固锤电磁取片器。
技术介绍
捣固锤的主体由工字钢构成，工字钢的两内槽粘贴有摩擦片，摩擦片为捣固锤的工作面，捣固锤使用一定周期后，应把旧摩擦片取掉换成新的摩擦片，而工字钢可重复使用。由于摩擦片是胶粘在工字钢上的，一般采用机械清理或加热清除。现有加热清除摩擦片的技术主要是电阻丝加热和红外加热，这些加热取片法耗电量大、加热速度慢、安全系数低、费时耗工。同时现有技术无法在取片器工作的时候对其进行温度保护，很容易因为温度过高而造成损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种捣固锤电磁取片器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种捣固锤电磁取片器，包括主回路、微处理器CPU、开关控制模块、振荡电路和浪涌电压监测电路，所述主回路分别连接主电源、IGBT激励模块、同步模块和VCE监控模块，主电源还分别连接方波电路、电流检测模块、VAC监控模块和浪涌电压监测电路，微处理器CPU还连接开关控制模块、PWM脉宽调控模块、电流检测模块、VAC监控模块、IGBT温度监测模块、方波电路、锅底温度监测模块和操控电路，开关控制模块还连接振荡电路，振荡电路还连接同步模块。作为本技术的进一步技术方案：所述主电源上还连接有辅助电源。作为本技术的进一步技术方案：所述微处理器CPU上还连接有操控电路。作为本技术的进一步技术方案：所述微处理器CPU上还连接有散热系统。作为本技术的进一步技术方案：所述微处理器CPU上还连接有报警电路。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术采取涡流加热原理，使用国际较先进的IGBT和MOSFEF组成的电子线路板产生变频磁场，线盘放在工字钢摩擦板上时，工字钢切割交变磁力线面，在钢材内部产生涡流，涡流使铁分子高速无规则运动，分子互相碰撞摩擦产生热能，因此有升温快、效率高、无名火、无烟尘、无辐射、轻巧安全美观等特点，同时本设计增加了一个温度控制模块，能够在120℃的情况下自动切断电源加热，从而有效防止过热毁损，因此增强了安全保护功能。附图说明图1为本技术的整体结构示意图。图2为主电源的电路图。图3为主电源中IGBTQ1的电压电流变化图。图4为振荡电路的电路图。图5为IGBT激励电路的电路图。图6为PWM脉宽调控电路的电路图。图7为同步电路的电路图。图8为加热开关控制的电路图。图9为VAC检测电路的电路图。图10为电流检测电路的电路图。图11为VCE检测电路的电路图。图12为浪涌电压监测电路的电路图。图13为过零检测的电路图。图14为锅底温度监测电路的电路图。图15为温度监测电路的电路图。图16为散热系统的电路图。图17为主电源的电路图。图18为辅助电源的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，一种捣固锤电磁取片器，包括主回路、微处理器CPU、开关控制模块、振荡电路和浪涌电压监测电路，其中，主回路电路如图2所示，图中IGBTQ1的电压电流变化如图3所示，时间t1~t2时当开关脉冲加至IGBTQ1的G极时,IGBTQ1饱和导通,电流i1从电源流过电感L1,由于线圈感抗不允许电流突变。所以在t1~t2时间i1随线性上升,在t2时脉冲结束,IGBTQ1截止,同样由于感抗作用,i1不能立即突变0,于是向电容C3充电,产生充电电流i2,在t3时间,电容C3电荷充满,电流变0,这时电感L1的磁场能量全部转为电容C3的电场能量,在电容两端出现左负右正,幅度达到峰值电压,在IGBTQ1的CE极间出现的电压实际为逆程脉冲峰压+电源电压,在t3~t4时间,电容C3通过电感L1放电完毕,i3达到最大值,电容两端电压消失,这时电容中的电能又全部转化为电感L1中的磁能,因感抗作用,i3不能立即突变0,于是电感L1两端电动势反向,即电感L1两端电位左正右负,由于IGBT内部阻尼管的存在,电容C3不能继续反向充电,而是经过电容C2、IGBT阻尼管回流,形成电流i4,在t4时间,第二个脉冲开始到来,但这时IGBTQ1的UE为正,UC为负,处于反偏状态,所以IGBTQ1不能导通,待i4减小到0,电感L1中的磁能放完,即到t5时IGBTQ1才开始第二次导通,产生i5以后又重复i1~i4过程,因此在电感L1上就产生了和开关脉冲f(20KHz~30KHz)相同的交流电流。t4~t5的i4是IGBTQ1内部阻尼管的导通电流,在高频电流一个电流周期里,t2~t3的i2是线盘磁能对电容电容C3的充电电流,t3~t4的i3是逆程脉冲峰压通过电感L1放电的电流,t4~t5的i4是电感L1两端电动势反向时,因的存在令电容C3不能继续反向充电,而经过电容C2、IGBT阻尼管回流所形成的阻尼电流,IGBTQ1的导通电流实际上是i1。IGBTQ1的VCE电压变化:在静态时,UC为输入电源经过整流后的直流电源,t1~t2,IGBTQ1饱和导通,UC接近地电位,t4~t5,IGBT阻尼管导通,UC为负压(电压为阻尼二极管的顺向压降),t2~t4,也就是电感LC自由振荡的半个周期,UC上出现峰值电压,在t3时UC达到最大值。以上分析证实两个问题:一是在高频电流的一个周期里,只有i1是电源供给L的能量,所以i1的大小就决定加热功率的大小,同时脉冲宽度越大,t1~t2的时间就越长,i1就越大,反之亦然,所以要调节加热功率,只需要调节脉冲的宽度;二是LC自由振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间,亦是IGBTQ1的截止时间,也是开关脉冲没有到达的时间,这个时间关系是不能错位的,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲己提前到来,就会出现很大的导通电流使IGBTQ1烧坏,因此必须使开关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步。振荡电路如图4所示，当PWM点有Vi输入时、V7OFF时(V7=0V),V5等于D6的顺向压降,而当V5<V6之后,V7由OFF转态为ON,V6亦上升至Vi,而V5则由R20向C16充电。当V5>V6时,V7转态为OFF,V6亦降至D6的顺向压降,而V5则由C16、D6放电。V5放电至小于V6时,又重复上述步骤形成振荡。“G点输入的电压越高,V7处于ON的时间越长,电磁炉的加热功率越大,反之越小”。IGBT激励电路如图5所示，振荡电路输出幅度约4.1V的脉冲信号,此电压不能直接控制IGBT的饱和导通及截止,所以必须通过激励电路将信号放大才行,该电路工作过程如下:(1)V8OFF时(V8=0V),V8<V9,V10为高,Q1导通、Q4截止,IGBT的G极为0V,IGBT截止。(2)V8ON时(V8=4.1V),V8>V9,V10为低,Q81截止、Q4导通,+18V通过R23、Q4和Q1的E极加至IGBT的G极,IGBT导通。PWM脉宽调控电路如图6所示，CPU输出PWM脉冲到由R30、C27、R31组成的积分电路,PWM脉冲宽度越宽,C28的电压越高,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种捣固锤电磁取片器，包括主回路、微处理器CPU、开关控制模块、振荡电路和浪涌电压监测电路，其特征在于，所述主回路分别连接主电源、IGBT激励模块、同步模块和VCE监控模块，主电源还分别连接方波电路、电流检测模块、VAC监控模块和浪涌电压监测电路，微处理器CPU还连接开关控制模块、PWM脉宽调控模块、电流检测模块、VAC监控模块、IGBT温度监测模块、方波电路、锅底温度监测模块和操控电路，开关控制模块还连接振荡电路，振荡电路还连接同步模块。

【技术特征摘要】
1.一种捣固锤电磁取片器，包括主回路、微处理器CPU、开关控制模块、振荡电路和浪涌电压监测电路，其特征在于，所述主回路分别连接主电源、IGBT激励模块、同步模块和VCE监控模块，主电源还分别连接方波电路、电流检测模块、VAC监控模块和浪涌电压监测电路，微处理器CPU还连接开关控制模块、PWM脉宽调控模块、电流检测模块、VAC监控模块、IGBT温度监测模块、方波电路、锅底温度监测模块和操控电路，开关控制模块还连接振...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵书红，
申请(专利权)人：邢台艺铭机电设备安装有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13