具有FOWBCSP晶片型态的封装结构及其制造方法技术

一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构，该封装结构包括一晶片，其上方包括接点；一第一封装结构位在该晶片下方与侧边；一基板置于该晶片的上方，其中该基板对应该晶片的接点的位置则形成穿透的板孔，而该基板的上方形成接点；由导线经过基板的板孔连接该基板的接点及该晶片的接点；其中该基板的各板孔分别形成一第二封装结构应用胶材密封该板孔而形成，并且该基板上方的接点具有导接球。

Packaging Structure with FOWBCSP Wafer Form and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
具有FOWBCSP晶片型态的封装结构及其制造方法
本专利技术有关于半导体封装结构，尤其涉及一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构及其制造方法。
技术介绍
现有技术的半导体晶片封装结构中，将晶片的接点置于上方，基板的接点也置于上方，然后再应用裸露的导线应用晶片的接点连接基板的接点。另外基板上则形成贯穿孔以填注导电材料，使得基板的接点晶由该填注有导电材料的贯穿孔而导引到基板的下方。然后电路板则位在该基板的下方，使得该电路板上的接点与基板的接点相连接，整体上达成电连接的目的。封装时，则必须把晶片及基板完全包覆连接，所以必须封装一较大的区域以避免导线裸露在外，所以封装的成本较高且时间也较长。另外基板上必须形成多个贯穿孔分别灌注导电材料，这些贯穿孔必须分别形成，彼此不可互相连通以避免短路，所以制造上相当耗时、耗工，也增加了整体的制造成本。故本专利技术希望提出一种崭新的具有FOWBCSP（Fanoutwaferbondingchipscalepackage，即扇出型晶片打线晶粒尺寸封装）晶片型态的封装结构及其制造方法，以解决上述现有技术上的缺陷。
技术实现思路
所以本专利技术的目的为解决上述现有技术上的问题，本专利技术中提出一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构及其制造方法，其优点为在基板上只需要形成少数个板孔，而使得多个导线同时通过一板孔，不若传统的结构必须形成多个板孔，所以制造期间缩短而且成本也降低。再者本专利技术在封装时仅需要对有可能裸露导线的少数区域进行封装，而不必像传统的结构及封装的区域片在整个晶片及基板的上方，所以本专利技术的封装方式可以节省成本及工时。再者因为导线的长度较短而且大部分隐藏在板孔内部，所以不至于造成导线裸露，而导致其他危害的问题。为达到上述目的本专利技术中提出一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构，包括：一晶片，该晶片的上方包括接点；一第一封装结构位在该晶片下方与侧边；一基板置于该晶片的上方，其中该基板对应该晶片的接点的位置则形成穿透的板孔，而该基板的上方形成接点；由导线经过基板的板孔连接该基板的接点及该晶片的接点；以及其中该基板的各板孔分别形成一第二封装结构应用胶材密封该板孔而形成，并且该基板上方的接点具有导接球。优选的，该基板内部下方形成镂空区域，并且该镂空区域安装至少一内晶片，该内晶片的下方的接点通过导线连接镂空区域内壁面的该基板的内接点，其中该内接点贯穿该基板本身而裸露于该基板的上方；并由封装材料封装该镂空区域。优选的，还包括：两个挡堤；其中该晶片为CMOS晶片；该CMOS晶片上方还包括一光感测区；该基板的该穿透的板孔对应该CMOS晶片的接点及光感测区的位置；其中该两个挡堤位于该CMOS晶片的该光感测区的上方的两侧；一玻璃置于该两个挡堤的间；以及其中该第二封装结构并不覆盖该玻璃，使得该玻璃外露，以便外部的光线能够直接通过该玻璃照射该CMOS晶片。进一步优选的，该导接球为锡球或焊球；其中该晶片为MCU晶片或逻辑晶片。优选的，还包括一电路板，其位于该基板的上方，其中通过该电路板上的接点用于接引该基板上方的接点以形成电连接。进一步优选的，还包括一电路板，其位于该基板的上方，其中通过该电路板上的接点用于接引该基板上方的接点以形成电连接；其中该电路板上形成一穿透的穿孔，该穿孔的位置对应于该玻璃，使得外部的光线能够通过该穿孔穿透该玻璃而照射该CMOS晶片。本专利技术还提出一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构的制造方法，包括下列步骤：步骤A：取一晶片，该晶片的下方含接点；将一非粘性膜置于该晶片的下方，再将载板置于该非粘性膜的下方；并在该晶片的上方与侧边形成第一封装结构；然后将整体结构运送至预定的位置；步骤B：卸下该载板及该非粘性膜，并将该晶片反转，以使得该晶片的接点位在该晶片的上方；而该第一封装结构则反转至下方；步骤C：将一基板置于该晶片的上方，其中该基板对应该晶片的接点的位置则形成穿透的板孔，而在该基板的上方形成接点；应用导线经过基板的板孔连接该基板的接点及该晶片的接点；步骤D：应用胶材密封该基板的板孔形成第二封装结构，并在该基板上方的接点形成导接球，而形成一整合结构。优选的，在步骤C中，该基板内部下方形成镂空区域，并将镂空区域安装至少一内晶片，该内晶片以其下方的接点通过导线连接镂空区域内壁面的该基板的内接点，其中该内接点贯穿该基板本身而裸露于该基板的上方；并应用封装材料将该镂空区域整体封装。优选的，该晶片为CMOS晶片，该晶片的下方还包括光感测区，用于接收外部的光线并传入内部以使得CMOS感光；且在步骤C中该基板的板孔对应该晶片的接点及光感测区的位置；且在应用导线连接该基板的接点及该晶片的接点之前，在该晶片的该光感测区的上方形成隔离膜，在该隔离膜的两侧形成挡堤，然后将该隔离膜去除，在两个挡堤之间放置玻璃。优选的，在步骤D之后在该基板的上方配置一电路板，并通过该电路板上的接点接引该基板上方的接点以形成电连接。进一步优选的，在步骤D之后在该基板的上方配置一电路板，并通过该电路板上的接点接引该基板上方的接点以形成电连接；且在该电路板上形成一穿透的穿孔，该穿孔的位置对应于该玻璃，而使得外部的光线能够通过该穿孔穿透该玻璃而照射该CMOS晶片。由下文的说明可更进一步了解本专利技术的特征及其优点，阅读时并请参考附图。附图说明图1显示本专利技术的第一实施例的晶片、基板及电路板的分解示意图。图2A显示本专利技术的第一实施例的步骤A的元件配置的截面示意图。图2B显示本专利技术的第一实施例的步骤B的元件配置的截面示意图。图2C显示本专利技术的第一实施例的步骤B的元件配置的另一截面示意图。图2D显示本专利技术的第一实施例的步骤C的元件配置的截面示意图。图2E显示本专利技术的第一实施例的步骤D的元件配置的截面示意图。图2F显示本专利技术的第一实施例的应用示意图。图3A显示本专利技术的第一实施例的元件组合的截面示意图。图3B显示图3A的元件组合的应用例的截面示意图。图4A显示本专利技术的第二实施例的步骤A的元件配置的截面示意图。图4B显示本专利技术的第二实施例的步骤B的元件配置的截面示意图。图4C显示本专利技术的第二实施例的步骤B的元件配置的另一截面示意图。图4D显示本专利技术的第二实施例的步骤C的元件配置的截面示意图。图4E显示本专利技术的第二实施例的步骤D的元件配置的截面示意图。图5显示本专利技术的第二实施例的元件组合的截面示意图。图6显示本专利技术的第三实施例的多个晶片、基板及电路板的分解示意图。图7A显示本专利技术的第三实施例的步骤A1的元件配置的截面示意图。图7B显示本专利技术的第三实施例的步骤B1的元件配置的截面示意图。图7C显示本专利技术的第三实施例的步骤B1的元件配置的另一截面示意图。图7D显示本专利技术的第三实施例的步骤C1的元件配置的截面示意图。图7E显示本专利技术的第三实施例的步骤D1的元件配置的截面示意图。图7F显示本专利技术的第三实施例的应用示意图。图8显示本专利技术的第四实施例的晶片、基板及电路板的分解示意图。图9A显示本专利技术的第四实施例的步骤A2的元件配置的截面示意图。图9B显示本专利技术的第四实施例的步骤B2的元件配置的截面示意图。图9C显示本专利技术的第四实施例的步骤B2的元件配置的另一截面示意图。图9D显示本专利技术的第四实施例的步骤C2的元件配置的截面示意图。图9E显示本专利技术的第四实施例的步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构，其特征在于，包括：一晶片，该晶片的上方包括接点；一第一封装结构，位在该晶片下方与侧边；一基板，置于该晶片的上方，其中该基板对应该晶片的接点的位置则形成穿透的板孔，而该基板的上方形成接点；由导线经过基板的板孔连接该基板的接点及该晶片的接点；以及其中该基板的各板孔分别形成一第二封装结构，该第二封装结构应用胶材密封该板孔而形成，并且该基板上方的接点具有导接球。

【技术特征摘要】
2018.03.16 TW 1071090451.一种具有FOWBCSP晶片型态的封装结构，其特征在于，包括：一晶片，该晶片的上方包括接点；一第一封装结构，位在该晶片下方与侧边；一基板，置于该晶片的上方，其中该基板对应该晶片的接点的位置则形成穿透的板孔，而该基板的上方形成接点；由导线经过基板的板孔连接该基板的接点及该晶片的接点；以及其中该基板的各板孔分别形成一第二封装结构，该第二封装结构应用胶材密封该板孔而形成，并且该基板上方的接点具有导接球。2.如权利要求1所述的具有FOWBCSP晶片型态的封装结构，其特征在于，该基板内部下方形成镂空区域，并且该镂空区域安装至少一内晶片，该内晶片的下方的接点通过导线连接镂空区域内壁面的该基板的内接点，其中该内接点贯穿该基板本身而裸露于该基板的上方；并由封装材料封装该镂空区域。3.如权利要求1所述的具有FOWBCSP晶片型态的封装结构，其特征在于，还包括：两个挡堤；其中该晶片为CMOS晶片；该CMOS晶片上方还包括一光感测区；该基板的该穿透的板孔对应该CMOS晶片的接点及光感测区的位置；其中该两个挡堤位于该CMOS晶片的该光感测区的上方的两侧；一玻璃置于该两个挡堤的间；以及其中该第二封装结构并不覆盖该玻璃，使得该玻璃外露，以便外部的光线能够直接通过该玻璃照射该CMOS晶片。4.如权利要求1或2或3所述的具有FOWBCSP晶片型态的封装结构，其特征在于，该导接球为锡球或焊球；其中该晶片为MCU晶片或逻辑晶片。5.如权利要求1所述的具有FOWBCSP晶片型态的封装结构，其特征在于，还包括一电路板，其位于该基板的上方，其中通过该电路板上的接点用于接引该基板上方的接点以形成电连接。6.如权利要求3所述的具有FOWBCSP晶片型态的封装结构，其特征在于，还包括一电路板，其位于该基板的上方，其中通过该电路板上的接点用于接引该基板上方的接点以形成电连接；其中该电路板上形成一穿透的穿孔，该穿孔的位置对应于该玻璃，使得外部的光线能够通过该穿孔穿透该玻璃而照射该CMOS晶片。7.一种具有FOWB...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈石矶，
申请(专利权)人：陈石矶，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71