晶片的生成方法和晶片的生成装置制造方法及图纸

提供晶片的生成方法和晶片的生成装置，容易地以剥离层为起点将晶片从六方晶单晶锭剥离，容易地判别晶片从六方晶单晶锭的剥离已完成。晶片的生成方法包含如下工序：剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭(50)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位于距离六方晶单晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，从而形成剥离层(74)；超声波产生工序，与要生成的晶片面对并且隔着水层(LW)而对超声波产生单元(6)进行定位，产生超声波而将剥离层破坏；以及剥离检测工序，将高度检测单元(10)隔着水层而定位于要生成的晶片的上表面，根据要生成的晶片的上表面的高度的变化，对要生成的晶片从六方晶单晶锭的剥离进行检测。

Wafer generation method and wafer generation device

【技术实现步骤摘要】
晶片的生成方法和晶片的生成装置
本专利技术涉及晶片的生成方法和晶片的生成装置，从六方晶单晶锭生成晶片。
技术介绍
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话或个人计算机等电子设备。供器件形成的晶片通常是利用线切割机将圆柱形状的半导体锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。但是，当利用线切割机将半导体锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，半导体锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是六方晶单晶SiC锭，其硬度高，难以利用线切割机切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且锭的单价高，在高效地生成晶片方面具有课题。因此，本申请人提出了下述技术：将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离六方晶单晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，从而形成剥离层；超声波产生工序，按照隔着水层而与要生成的晶片面对的方式定位超声波产生单元并使该超声波产生单元产生超声波，从而将剥离层破坏；以及剥离检测工序，将高度检测单元隔着水层而定位于要生成的晶片的上表面，根据要生成的晶片的上表面的高度的变化，对要生成的晶片从六方晶单晶锭的剥离进行检测。

【技术特征摘要】
2018.03.14 JP 2018-0464761.一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：剥离层形成工序，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离六方晶单晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，从而形成剥离层；超声波产生工序，按照隔着水层而与要生成的晶片面对的方式定位超声波产生单元并使该超声波产生单元产生超声波，从而将剥离层破坏；以及剥离检测工序，将高度检测单元隔着水层而定位于要生成的晶片的上表面，根据要生成的晶片的上表面的高度的变化，对要生成的晶片从六方晶单晶锭的剥离进行检测。2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，在该剥离检测工序中使用的高度检测单元是干涉式激光测长器或者超声波测长器。3.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，六方晶单晶锭是六方晶单晶SiC锭，其具有c轴和与c轴垂直的c面，在该剥离层形成工序中，将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离六方晶单晶SiC锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶SiC锭照射激光光线从而形成剥离层，该剥离层由使SiC分离成Si和C而得的改质部...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本凉兵，日野原和之，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP