【技术实现步骤摘要】
极间厚缓冲层调制器芯片结构
本专利技术涉及极间厚缓冲层调制器芯片结构，属于铌酸锂电光调制
技术介绍
铌酸锂强度调制器一般采用的是共面传输线电极结构和马赫增德尔波导光路结构。射频电极的电场分量对波导内光波作用实现电光调制。衡量电光调制器件功耗的主要指标为半波电压，在给定波长、铌酸锂切向和电极长度的情况下，半波电压主要取决于电光重叠积分的大小。电光重叠积分因子反映了给定电场分量与对应光场在空间上的重叠情况,是影响铌酸锂波导中光波相位随调制电场变化幅度的重要因素。为了获得更好的电光调制效率,如何提高电光重叠积分因子是国内外研究的重要课题。目前对于铌酸锂集成光波导电光重叠积分因子的研究主要集中在电极和波导参数对电光重叠积分因子的影响。有报道指出将波导靠近电极边缘、把电极埋入铌酸锂衬底表面和脊型波导均能提高重叠积分，然而受限于波导耦合间距和铌酸锂刻蚀工艺，实用性并不高。
技术实现思路
为了克服上述现有技术的不足，本专利技术提供极间厚缓冲层调制器芯片结构，通过增加行波电极间区域的缓冲层厚度来有效增大电光重叠积分，降低半波电压。本专利技术所采用的技术方案是：极间厚缓冲层调制器芯片结构，在铌酸锂衬底上制作光波导及调制光波导中光相位的共面波导结构的行波电极，行波电极包括信号电极和地电极，信号电极和地电极为平行的条状，所述的光波导位于铌酸锂衬底上表面内部；在铌酸锂衬底上表面设置缓冲层，所述的行波电极位于缓冲层上表面，并且将位于行波电极的信号电极和地电极之间的缓冲层加厚。所述的铌酸锂衬底为x切铌酸锂。所述缓冲层为二氧化硅材料。所述的光波导为马赫曾德尔干涉光路，所述的行波电...
【技术保护点】
1.极间厚缓冲层调制器芯片结构，在铌酸锂衬底(1)上制作光波导(4)及调制光波导(4)中光相位的共面波导结构的行波电极(2)，行波电极(2)包括信号电极和地电极，信号电极和地电极为平行的条状，其特征在于：所述的光波导(4)位于铌酸锂衬底(1)上表面内部；在铌酸锂衬底(1)上表面设置缓冲层(3)，所述的行波电极(2)位于缓冲层(3)上表面，并且将位于行波电极(2)的信号电极和地电极之间的缓冲层(3)加厚。
【技术特征摘要】
1.极间厚缓冲层调制器芯片结构，在铌酸锂衬底(1)上制作光波导(4)及调制光波导(4)中光相位的共面波导结构的行波电极(2)，行波电极(2)包括信号电极和地电极，信号电极和地电极为平行的条状，其特征在于：所述的光波导(4)位于铌酸锂衬底(1)上表面内部；在铌酸锂衬底(1)上表面设置缓冲层(3)，所述的行波电极(2)位于缓冲层(3)上表面，并且将位于行波电极(2)的信号电极和地电极之间的缓冲层(3)加厚。2.根据权利要求1所述的极间厚缓冲层调制器芯片结构，其特征在于：所述的铌...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨登才，陈雨康，向美华，王云新，刘萍萍，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京,11
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