单脉冲变压器沿触发小型浮动板调制器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种单脉冲变压器沿触发小型浮动板调制器，包括脉冲隔离变压器Ｔ、驱动电路、ＸＦＡ４Ｎ１００ＱＭＯＳＦＥＴ管，接口电路；脉冲隔离变压器Ｔ的原边并联在调制电路的输出端，脉冲隔离变压器Ｔ的两副边与驱动电路相连接，驱动电路与ＸＦＡ４Ｎ１００ＱＭＯＳＦＥＴ管Ｖ２、Ｖ３的Ｇ极和Ｓ极相连，接口电路与ＸＦＡ４Ｎ１００ＱＭＯＳＦＥＴ管Ｖ２、Ｖ３的Ｄ极和Ｓ极相连，本实用新型专利技术用一个变压器传递脉冲的前后沿，降低了变压器占用的体积重量；采用无源驱动电路，无需辅助电源，同时元器件数量很少，有利于电路小型化设计；本实用新型专利技术设计的调制器电路体积小、重量轻，十分适用于对体积重量要求严格的场合。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种单脉冲变压器沿触发小型浮动板调制器。
技术介绍
浮动板调制器悬浮于数千伏的高电位上，为雷达发射机行波管提供符合要求的视 频脉冲。目前，常用的浮动板调制器有以下几种第一种为脉冲变压器耦合浮动板调制器，这种耦合方式最为常用，其调制脉冲在 低电位产生，通过脉冲变压器隔离电位和传递脉冲。其优点是所需电源品种少，电路简单， 可靠性较高；缺点在于当传递大脉宽时，变压器体积重量显著变大，因此，当脉冲变化范围 较大时，很难做到电路的小型化。为了解决大脉宽传递的问题，可以采用沿触发的方式，脉 冲变压器传递控制脉冲前后沿，在高电位使用双稳态电路形成MOSFET驱动。其优点是变压 器体积较小，脉冲宽度可大范围变化；缺点在于需要两个变压器分别传递脉冲前沿和后沿， 同时，高电位上需要独立供电的辅助电源分别为开启MOSFET和关断MOSFET的双稳态驱动 电路供电，不利于小型化。第二种为射频变压器耦合浮动板调制器，这种调制器在低电位产生由脉冲控制信 号调制的射频信号，它通过射频变压器耦合到高电位浮动板，用检波器将其调制包络检测 出来，放大后使用。这种调制器优点在于脉冲宽度可以任意变化；缺点在于电路复杂，可靠 性不高，同时，射频变压器设计制作难度较大。第三种为光耦合浮动板调制器，这种调制器在低电位驱动光发生器，通过光纤把 信号传递到高电位上，再由光接收器接收，还原后使用。这种调制器的优点在于脉冲宽度可 任意变化，质量轻，寿命长，工作稳定可靠；缺点在于高电位上需辅助电源，电路复杂，不利 于小型化。
技术实现思路
所要解决的技术问题针对以上问题本技术提供了一种体积小、重量轻、简单可靠的单脉冲变压器 沿触发小型浮动板调制器，适合用于对电路体积，重量有严格限制的场合。技术方案一种单脉冲变压器沿触发小型浮动板调制器包括脉冲隔离变压器T、驱动电路、 XFA4N100QM0SFET 管，接口 电路；驱动电路包括电阻Rl、R2、R3、R8、RIO、Rll，2N7002M0SFET 管 VI、V4，二极管 D1、 D2，稳压二极管D3 ；V2、V3为XFA4m00QM0SFET管；接口电路包括下拉电阻R5、R7、R12，输 出阻尼电阻R4，限流电阻R6、R9以及滤波电容Cl、C2 ；脉冲隔离变压器T的原边并联在调制电路的输出端，脉冲隔离变压器T的两副边 与驱动电路相连接，Vl的S极与电阻RlO和脉冲隔离变压器T的第一副边的一边相连，Vl 的G极与电阻RlO和与二极管D2串联的二极管Dl相连，二极管D2的另一端与脉冲隔离变3压器τ的第一副边的另一边相连，Vl的D极与电阻R1、R11相连，电阻Rl的另一端与V4的 G极相连，电阻Rll的另一端与电阻R3和V2的G极相连，电阻R3的另一端与V4的D极和 V2的S极相连，V4的S极与二极管D2和脉冲隔离变压器T的第一副边的另一边相连；电阻R2—端与脉冲隔离变压器T的第二副边的一边相连，另一端与稳压二极管D3 的K极相连，稳压二极管D3的Q极与电阻R8和V3的G极相连，电阻R8的另一端与脉冲隔 离变压器T的第二副边的另一边相连和V3的S极相连；V2的D极与电阻R9相连，电阻R9的另一端与滤波电容Cl和正电压相连，滤波电 容Cl的另一端接浮动地；V3的D极与电阻R6相连，电阻R6的另一端与V2的S极、电阻R4、电阻R5相连， 电阻R4的另一端接输出端，电阻R5、电阻R7、R12依次串联，R12的另一端与V3的S极、滤 波电容C2、负电压相连，滤波电容C2的另一端接浮动地。有益效果本技术用一个变压器传递脉冲的前后沿，降低了变压器占用的体积重量；采 用无源驱动电路，无需辅助电源，同时元器件数量很少，有利于电路小型化设计；本实用新 型设计的调制器电路体积小、重量轻，十分适用于对体积重量要求严格的场合。附图说明图1为本技术的原理框图。图2为本技术的电路图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细地说明。如图1所示，单脉冲变压器沿触发小型浮动板调制器包括脉冲隔离变压器T、驱动 电路、XFA4m00QM0SFET管，接口电路；控制信号(TTL电平)经过调制电路，形成控制信号 前沿和后沿脉冲，驱动脉冲隔离变压器初级。脉冲隔离变压器将控制信号前后沿传递到高 电位上，通过驱动电路驱动XFA4m00QM0SFET管形成调制脉冲，通过接口电路传到行波管 栅极。如图2 所示，驱动电路包括电阻 R1、R2、R3、R8、R10、R11，2N7002M0SFET 管 V1、V4， 二极管Dl、D2，稳压二极管D3 ；V2、V3为XFA4m00QM0SFET管；接口电路包括下拉电阻R5、 R7、R12，输出阻尼电阻R4，限流电阻R6、R9以及滤波电容Cl、C2。脉冲隔离变压器T的原边并联在调制电路的输出端，脉冲隔离变压器T的两副边 与驱动电路相连接，Vl的S极与电阻RlO和脉冲隔离变压器T的第一副边的一边相连，Vl 的G极与电阻RlO和与二极管D2串联的二极管Dl相连，二极管D2的另一端与脉冲隔离变 压器T的第一副边的另一边相连，Vl的D极与电阻R1、R11相连，电阻Rl的另一端与V4的 G极相连，电阻Rll的另一端与电阻R3和V2的G极相连，电阻R3的另一端与V4的D极和 V2的S极相连，V4的S极与二极管D2和脉冲隔离变压器T的第一副边的另一边相连；电阻R2—端与脉冲隔离变压器T的第二副边的一边相连，另一端与稳压二极管D3 的K极相连，稳压二极管D3的Q极与电阻R8和V3的G极相连，电阻R8的另一端与脉冲隔 离变压器T的第二副边的另一边相连和V3的S极相连；V2的D极与电阻R9相连，电阻R9的另一端与滤波电容Cl和正电压(DZ)相连，滤 波电容Cl的另一端接浮动地；V3的D极与电阻R6相连，电阻R6的另一端与V2的S极、电阻R4、电阻R5相连，电 阻R4的另一端接输出端(G)，电阻R5、电阻R7、R12依次串联，R12的另一端与V3的S极、 滤波电容C2、负电压(DF)相连，滤波电容C2的另一端接浮动地。虽然本技术已以较佳实施例公开如上，但它们并不是用来限定本技术， 任何熟悉此技艺者，在不脱离本技术之精神和范围内，自当可作各种变化或润饰，因此 本技术的保护范围应当以本申请的权利要求保护范围所界定的为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单脉冲变压器沿触发小型浮动板调制器，其特征在于：包括脉冲隔离变压器Ｔ、驱动电路、ＸＦＡ４Ｎ１００ＱＭＯＳＦＥＴ管，接口电路；　　驱动电路包括电阻Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ８、Ｒ１０、Ｒ１１，２Ｎ７００２ＭＯＳＦＥＴ管Ｖ１、Ｖ４，二极管Ｄ１、Ｄ２，稳压二极管Ｄ３；Ｖ２、Ｖ３为ＸＦＡ４Ｎ１００ＱＭＯＳＦＥＴ管；接口电路包括下拉电阻Ｒ５、Ｒ７、Ｒ１２，输出阻尼电阻Ｒ４，限流电阻Ｒ６、Ｒ９以及滤波电容Ｃ１、Ｃ２；　　脉冲隔离变压器Ｔ的原边并联在调制电路的输出端，脉冲隔离变压器Ｔ的两副边与驱动电路相连接，Ｖ１的Ｓ极与电阻Ｒ１０和脉冲隔离变压器Ｔ的第一副边的一边相连，Ｖ１的Ｇ极与电阻Ｒ１０和与二极管Ｄ２串联的二极管Ｄ１相连，二极管Ｄ２的另一端与脉冲隔离变压器Ｔ的第一副边的另一边相连，Ｖ１的Ｄ极与电阻Ｒ１、Ｒ１１相连，电阻Ｒ１的另一端与Ｖ４的Ｇ极相连，电阻Ｒ１１的另一端与电阻Ｒ３和Ｖ２的Ｇ极相连，电阻Ｒ３的另一端与Ｖ４的Ｄ极和Ｖ２的Ｓ极相连，Ｖ４的Ｓ极与二极管Ｄ２和脉冲隔离变压器Ｔ的第一副边的另一边相连；　　电阻Ｒ２一端与脉冲隔离变压器Ｔ的第二副边的一边相连，另一端与稳压二极管Ｄ３的Ｋ极相连，稳压二极管Ｄ３的Ｑ极与电阻Ｒ８和Ｖ３的Ｇ极相连，电阻Ｒ８的另一端与脉冲隔离变压器Ｔ的第二副边的另一边相连和Ｖ３的Ｓ极相连；　　Ｖ２的Ｄ极与电阻Ｒ９相连，电阻Ｒ９的另一端与滤波电容Ｃ１和正电压相连，滤波电容Ｃ１的另一端接浮动地；　　Ｖ３的Ｄ极与电阻Ｒ６相连，电阻Ｒ６的另一端与Ｖ２的Ｓ极、电阻Ｒ４、电阻Ｒ５相连，电阻Ｒ４的另一端接输出端，电阻Ｒ５、电阻Ｒ７、Ｒ１２依次串联，Ｒ１２的另一端与Ｖ３的Ｓ极、滤波电容Ｃ２、负电压相连，滤波电容Ｃ２的另一端接浮动地。...

【技术特征摘要】
1. 一种单脉冲变压器沿触发小型浮动板调制器，其特征在于包括脉冲隔离变压器T、 驱动电路、XFA4m00QM0SFET管，接口电路；驱动电路包括电阻 Rl、R2、R3、R8、RlO、Rl 1，2N7002M0SFET 管 Vl、V4，二极管 D1、D2，稳 压二极管D3 ;V2、V3为XFA4m00QM0SFET管；接口电路包括下拉电阻R5、R7、R12，输出阻尼 电阻R4，限流电阻R6、R9以及滤波电容Cl、C2 ；脉冲隔离变压器T的原边并联在调制电路的输出端，脉冲隔离变压器T的两副边与驱 动电路相连接，Vl的S极与电阻RlO和脉冲隔离变压器T的第一副边的一边相连，Vl的G 极与电阻RlO和与二极管D2串联的二极管Dl相连，二极管D2的另一端与脉冲隔离变压器 T的第一副边的另一边相连，Vl的D极与电阻Rl、Rll相连，电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春燕，杨军，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十四研究所，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]