【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其线路基板
本专利技术涉及一种半导体封装结构及其线路基板，特别是涉及一种可避免芯片与线路基板之间发生导接不良的半导体封装结构。
技术介绍
为了满足消费电子产品的效能需求，以及半导体封装结构日益朝向超精细间距(superfinepitch)发展的需要，现有技术可借由缩小线路宽度及线路间距提高线路数目以达到超精细间距，然而，当以现有习知中的热压合技术来接合线路基板的线路及芯片的凸块时，常常会产生线路及凸块之间容易脱落或偏移错位而致使导接不良的问题。针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的半导体封装结构的线路基板存在的缺陷，而提供一种新型结构的线路基板，所要解决的技术问题是使其避免在连接芯片(覆晶接合)时，发生芯片脱落或偏移错位，以及避免线路蚀刻不完全的情形发生，从而更加适于实用。本专利技术的另一目的在于，提供一种半导体封装结构，所要解决的技术问题是使其避免线路及芯片凸块之间发生偏移错位而致使接触不良，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种线...
【技术保护点】
1.一种线路基板，其特征在于，包括：载板，所述载板具有表面；至少一个第一线路，形成于所述表面，各个第一线路具有依序连接的第一上宽部、第一窄部、第一下宽部、内延伸部及第一线路段，所述第一上宽部、所述第一窄部、所述第一下宽部及所述内延伸部位于第一接合区域用以接合芯片；以及至少一个第二线路，形成于所述表面，所述第一线路及所述第二线路沿横轴方向间隔排列，各个第二线路具有依序连接的外延伸部、第二上宽部、第二窄部、第二下宽部及第二线路段，所述外延伸部、所述第二上宽部、所述第二窄部及所述第二下宽部位于第二接合区域用以接合所述芯片；其中，在所述横轴方向，所述第一上宽部及所述第一下宽部的宽度...
【技术特征摘要】
2018.03.12 TW 1071081941.一种线路基板，其特征在于，包括：载板，所述载板具有表面；至少一个第一线路，形成于所述表面，各个第一线路具有依序连接的第一上宽部、第一窄部、第一下宽部、内延伸部及第一线路段，所述第一上宽部、所述第一窄部、所述第一下宽部及所述内延伸部位于第一接合区域用以接合芯片；以及至少一个第二线路，形成于所述表面，所述第一线路及所述第二线路沿横轴方向间隔排列，各个第二线路具有依序连接的外延伸部、第二上宽部、第二窄部、第二下宽部及第二线路段，所述外延伸部、所述第二上宽部、所述第二窄部及所述第二下宽部位于第二接合区域用以接合所述芯片；其中，在所述横轴方向，所述第一上宽部及所述第一下宽部的宽度大于所述第一窄部及所述内延伸部的宽度，使各个第一线路于所述第一接合区域形成第一上缺口及第一下缺口，所述第一上缺口朝向所述第二上宽部，所述第一下缺口朝向所述第二下宽部，且所述第二上宽部及所述第二下宽部的宽度大于所述外延伸部及所述第二窄部的宽度，使各个第二线路于所述第二接合区域形成第二上缺口及第二下缺口，所述第二上缺口朝向所述第一上宽部，所述第二下缺口朝向所述第一下宽部。2.根据权利要求1所述的线路基板，其特征在于，各个第一接合区域与各个第二接合区域沿所述横轴方向间隔排列且平齐。3.根据权利要求1所述的线路基板，其特征在于，所述第一窄部与所述第二上宽部之间具有第一间距，所述第二窄部与所述第一下宽部之间具有第二间距，所述第一间距与所述第二间距相同。4.根据权利要求3所述的线路基板，其特征在于，所述第一间距及所述第二间距不大于20μm。5.根据权利要求1所述的线路基板，其特征在于，所述第一上宽部及所述第一下宽部的宽度相同，所述第一窄部及所述内延伸部的宽度相同。6.根据权利要求1所述的线路基板，其特征在于，所述第一上宽部的边缘比所述第一窄部的边缘凸出0.5-3.5μm。7.根据权利要求1所述的线路基板，其特征在于，所述第一上宽部的宽度不小于所述第一上宽部的厚度。8.根据权利要求1所述的线路基板，其特征在于，所述第一窄部的宽度小于所述第一窄部的厚度。9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片具有至少一个第一凸块及...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢庆堂，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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