【技术实现步骤摘要】
一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法
本专利技术涉及一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法，属于有机气体传感器领域。
技术介绍
有机场效应晶体管（OFETs）是一种低功耗、高灵活性、可用于大规模生产的有机电子器件，可广泛应用于电子纸、柔性屏、大规模集成电路、有机激光器、存储器、传感器等领域。在制备OFETs的过程中，半导体层的形貌、厚度、结构对器件的性能有着至关重要的影响。高度有序、结晶性好、连续性高的有机半导体薄膜有利于载流子的传输，能够提高器件的性能，从而获得具有高灵敏度、快速响应/回复的有机气体传感器。目前，OFETs中常用的有机半导体材料主要分为P型和N型，VOPc作为金属酞菁类材料中的一种，具有优良的稳定性，基于VOPc的OFETs在常温下对NO2气体表现出良好的敏感性；C60作为一种典型的高迁移率N型有机半导体材料，具有大的共轭π键结构，并且其分子具有高度的对称性。相比只用VOPc或C60作为活性层的OFETs器件，具有异质结结构的OFETs器件在实现对NO2气体的检测时，性能得到了进一步改善。因此本专利技术使用C60和VOPc作为OFETs中的活性层，将其制备成异质结，其中VOPc作为对NO2响应的主体材料。制备的超薄异质结复合薄膜气体传感器既表现出了空穴传输特性，又表现出电子传输特性，器件能够在双极模式下工作，异质结结构使得器件对NO2气体的敏感性得到了大幅提高，高度结晶的C60薄膜与高度有序的VOPc薄膜有利于传感器的快速响应与回复。
技术实现思路
本专利技术是一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气...
【技术保护点】
1.一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法包括：硅衬底（1），SiO2绝缘层（2），C60半导体层（3），VOPc半导体层（4），铝叉指电极（5），C60半导体层（3）和VOPc半导体层（4）构成异质结（6），在对NO2气体（7）进行检测时，形成空间电荷区，上侧形成空穴聚集区（8），下侧形成电子聚集区（9）。
【技术特征摘要】
1.一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法包括：硅衬底（1），SiO2绝缘层（2），C60半导体层（3），VOPc半导体层（4），铝叉指电极（5），C60半导体层（3）和VOPc半导体层（4）构成异质结（6），在对NO2气体（7）进行检测时，形成空间电荷区，上侧形成空穴聚集区（8），下侧形成电子聚集区（9）。2.根据权利要求1所述的一种基于OFETs的超薄异质结复合薄膜气体传感器的制备方法，其特征在于，绝缘层（2）采用二氧化硅（SiO2），厚度为300nm。3.根据权利要求1所述的一种基于OFETs的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王丽娟，朱阳阳，孙强，王璐，苏鑫，董金鹏，张博，谢强，
申请(专利权)人：长春工业大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22
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