【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆真空定位装置
本技术涉及属于半导体晶圆制造领域,应用于半导体晶圆研磨减薄工序,具体涉及一种半导体晶圆真空定位装置。
技术介绍
在硅片进行研磨后表面会残留较多的硅粉,人工采用棉花手拿晶片擦拭晶片表面,经常出现晶片边缘擦拭不净,导致后工序表面处理不净镀层发黑。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术提供一种半导体晶圆真空定位装置,确保中心边缘均能擦到,避免人工手拿擦片晶片边缘处理不净现象。本技术的技术方案:一种半导体晶圆真空定位装置,包含盘体,所述盘体内设有中空的腔室,盘体上设有连通腔室的抽气管,所述盘体的台面上设有连通腔室的吸气口,所述吸气口由多个同心环形槽和经过圆心的条形槽组成,最大的环形槽的直径和条形槽的长度不大于半导体晶圆的直径。进一步地,所述条形槽的长度等于最外圈的环形槽的直径。进一步地,所述吸气口的外侧设有一圈密封胶圈,所述密封胶圈的直径不大于半导体晶圆的直径。进一步地,所述抽气管上设有气阀。进一步地,所述台面上以吸气口为中心对称设有定位桩,所述定位桩由软质材料制成。与现有技术相比,本技术设计与半导体晶圆尺寸同样大的真空定位装置,作业时将硅片放到定位真空盘上,通过抽气管进行抽真空处理,将半导体晶圆吸附在真空装置上,不再需要人工手拿晶片进行擦拭,直接将硅片放到定位装置中,大大降低了硅片破片率,从而使晶片表面达到预期的洁净度;软质材料吸盘的设计,可以将吸盘直接吸附在晶圆的底面,通过抽真空使得吸盘牢牢将晶圆吸在台面上;同心环形槽和条形槽的设计可使吸附晶圆的吸附面积最大,吸力分布更加均匀,配合抽真空,使晶圆整体吸附更加稳固,稳定性好;密封胶圈的 ...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆真空定位装置,其特征在于:包含盘体,所述盘体内设有中空的腔室,盘体上设有连通腔室的抽气管,所述盘体的台面上设有连通腔室的吸气口,所述吸气口由多个同心环形槽和经过圆心的条形槽组成,最大的环形槽的直径和条形槽的长度不大于半导体晶圆的直径。
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆真空定位装置,其特征在于:包含盘体,所述盘体内设有中空的腔室,盘体上设有连通腔室的抽气管,所述盘体的台面上设有连通腔室的吸气口,所述吸气口由多个同心环形槽和经过圆心的条形槽组成,最大的环形槽的直径和条形槽的长度不大于半导体晶圆的直径。2.如权利要求1所述的一种半导体晶圆真空定位装置,其特征在于:所述条形槽的长度等于最外圈的环形槽的直...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪良恩,刘晓燕,
申请(专利权)人:安徽安芯电子科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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