成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供可有效地抑制粒子附着于被成膜材料上的成膜装置。成膜室(12)具有用以捕获粒子的粒子捕获部，对该粒子捕获部实施滚花加工，在该滚花加工后实施空气喷射加工，且在该空气喷射加工后实施熔射加工。通过熔射加工使粒子捕获部的表面变得比通过空气喷射加工而形成的表面的粗糙度更粗。因此，可使附着粒子的面积变大，从而捕获更多的粒子，由此可有效地抑制粒子附着于被成膜材料上。

Film forming device

【技术实现步骤摘要】
成膜装置
本专利技术涉及一种用以进行将成膜材料成膜于被成膜材料上的处理的成膜装置。
技术介绍
目前，在制造液晶面板时，通过光刻法在作为绝缘性基板的玻璃基板的表面上形成导电膜或绝缘膜而对TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)等半导体元件进行图案化。在下述专利文献1中记载了一种成膜装置，其通过导电膜或绝缘膜的成膜材料在玻璃基板等被成膜材料的表面形成薄膜。该成膜装置具有如下构成：使离子碰撞成膜材料，由此通过使飞出的成膜材料的粒子沉积于被成膜材料的表面，形成成膜材料的薄膜。在此种成膜装置中，飞出的成膜材料的粒子除了附着于被成膜材料上以外，还附着于成膜室内的其他各处。而且，自先前便存在如下问题：已附着于该成膜室内的成膜材料的沉积膜的一部分(所谓粒子)剥离后而附着于被成膜材料上，导致成膜质量降低。因此，在下述专利文献1中所记载的成膜装置中，为了抑制粒子附着于被成膜材料上而在成膜室内设置粒子捕获板，该粒子捕获板通过滚花加工而在其表面形成了第一凹凸，且在该滚花加工后通过空气喷射加工而形成了第二凹凸。现有技术文献专利文献[专利文献1]日本专利特开2013-133522号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题上述专利文献1中所记载的成膜装置并不能完全的防止粒子的剥离，期望抑制粒子附着于被成膜材料上的功能进一步提高。本专利技术是鉴于此种情况而完成的，其目的在于提供可有效地抑制粒子附着于被成膜材料上的成膜装置。解决问题的方案为了解决上述课题，本专利技术的成膜装置是具有成膜室，在该成膜室内进行用以将成膜材料成膜于被成膜材料上的处理的成膜装置，其特征在于，所述成膜室具有用以捕获粒子的粒子捕获部，对该粒子捕获部实施了滚花加工，在该滚花加工后实施了空气喷射加工，且在该空气喷射加工后实施了熔射加工。设为此种构成的成膜装置可通过熔射加工使粒子捕获部的表面变得比通过空气喷射加工而形成的表面的粗糙度更粗。因此，该构成的成膜装置可使附着粒子的面积变大，从而捕获更多的粒子，由此可有效地抑制粒子附着于被成膜材料上。在上述构成中，可设为如下的构成：所述粒子捕获部在所述熔射加工中熔射铝。通过采用铝熔射，可廉价地将粒子捕获部的表面设为适当的粗糙度。此外，该粒子捕获部的表面的粗糙度优选算术平均粗糙度Ra为10μm以上、40μm以下，更优选为25μm以上、30μm以下。此外，通过空气喷射加工而形成的表面，算术平均粗糙度Ra为10μm以下。另外，在上述构成中，可设为如下的构成：该成膜装置具有覆盖该成膜材料的周边以防止溅射所述成膜材料以外的材料的屏蔽构件，将该屏蔽构件的表面作为所述粒子捕获部。通过将靠近成膜材料的屏蔽构件的表面设为粒子捕获部，可有效地捕获粒子。在上述构成中，可设为如下的构成：该成膜装置为了在所述被成膜材料的规定范围中形成成膜材料的膜，而具有覆盖该被成膜材料的规定范围以外的掩模构件，将该掩模构件的表面作为所述粒子捕获部。在被成膜材料周边，当然容易分散粒子，因此通过将被成膜材料周边的掩模构件的表面设为粒子捕获部，可有效地捕获粒子。另外，例如可以设为将所述成膜室的内壁作为所述粒子捕获部的构成，且可以设为该成膜装置具有保持所述成膜材料的成膜材料保持体，将该成膜材料保持体的表面作为所述粒子捕获部的构成。粒子由于具有飞散至成膜室内各处的可能性，因此通过将成膜室内的各部位设为粒子捕获部，可有效地捕获粒子。专利技术效果根据本专利技术的成膜装置，可有效地抑制粒子附着于被成膜材料上。附图说明图1是概略性地表示本专利技术的一实施方式的成膜装置的图。图2是表示图1所示的成膜室内所设置的粒子捕获部的表面的立体图。图3是放大表示图2所示的粒子捕获部的侧面截面图。具体实施方式于图1中概略性地表示本专利技术的一实施方式的成膜装置10。成膜装置10包含如下构件而构成：作为成膜室的真空容器12、进行该真空容器12内的排气的排气装置14、向真空容器12内导入氩气的气体导入装置16。在真空容器12内设有阴极(cathode)18，且在与该阴极18对向的位置设有基板电极(阳极)20。而且，通过与阴极18连接的溅射电源22而在这些阴极18与基板电极20之间产生放电，在真空容器12内产生等离子体。在阴极18上设有作为膜材料保持体，即背衬板24，在该背衬板24固定保持着成膜材料，即由金属栅极材料(使用Al、Cr、Ta等)构成的靶26。另一方面，在基板电极20保持着被成膜材料，即玻璃基板GS。此外，在真空容器12内，为了不溅射、即为了不粒子化靶26以外的材料，设有作为覆盖靶26周围的屏蔽构件的接地屏蔽30。另外，在真空容器12内，为了在玻璃基板GS的规定范围中形成薄膜，设有用以覆盖玻璃基板GS的规定范围以外部分的掩模构件32。而且，成膜装置10通过排气装置14将真空容器12内设为真空，通过气体导入装置16导入氩气的同时通过溅射电源22产生等离子体。氩气在等离子体中电离为氩离子Ar+和电子，氩离子Ar+被吸引碰撞至靶26。由此，靶26的粒子飞出而沉积于保持在与该粒子对向的位置的玻璃基板GS上，形成金属栅极材料的薄膜F。然而，在此种成膜装置10中，通过氩离子Ar+的碰撞而飞出的成膜材料的粒子附着在玻璃基板GS以外的地方，例如接地屏蔽30的表面或掩模构件32的表面等真空容器12内的各处。由此，如果反复进行成膜处理，则真空容器12内的各个部位也沉积成膜材料的粒子而形成膜(沉积灰尘)。而且，该沉积灰尘会存在如下情况，其一部分所谓的粒子剥离而附着于玻璃基板GS上。该粒子附着于玻璃基板GS上成为使玻璃基板GS的成膜质量恶化的主要原因。因此，抑制该粒子附着于玻璃基板GS上自先前便是成膜装置10中的较大的课题。本实施方式的成膜装置10为了抑制粒子附着于玻璃基板GS上，将真空容器12内的各处设为用以捕获粒子的粒子捕获部。具体而言，将真空容器12的内壁、接地屏蔽30的表面侧和背面侧的两个面、掩模构件32的表面侧和背面侧的两个面、背衬板24的表面侧的面设为粒子捕获部。本实施方式的成膜装置10在其粒子捕获部的结构中具有特征，以下参照图2和图3对该粒子捕获部的结构加以详细说明。首先对成为粒子捕获部的部位的表面实施滚花加工。详而言之，通过该滚花加工实施的是网纹滚花，其是相互正交的滚花纹。即，通过该滚花加工，在成为粒子捕获部的部位的表面以矩阵状形成截面大致为山形的凸部40。此外，凸部40与凸部40的间距、换而言之，沟的宽度例如为2mm左右，凸部40的高度、换而言之、沟的深度为1mm左右。此外，滚花加工的方法并无特别限定，可以通过将表面压扁使其塑性变形而形成滚花纹，也可以通过对表面进行切削而形成滚花纹。在上述滚花加工后，对成为粒子捕获部的部位的表面实施空气喷射加工。该空气喷射加工是使例如粒径为300μm左右的投射材料碰撞已实施了滚花加工的部位，形成多个凹处42。而且，通过该空气喷射加工，成为粒子捕获部的部位的表面的算术平均粗糙度Ra为10μm以下。而且，最后实施熔射加工而完成粒子捕获部。该熔射加工是喷射已熔融的铝，在实施了空气喷射加工的成为粒子捕获部的部位的表面形成铝的熔射皮膜44。该熔射皮膜44的膜厚是不超过滚花加工的凸部40的高度的程度的厚度，设为300μm左右(200～400μm)。此外，通过实施上述空气喷射加工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，其是具有成膜室，在该成膜室内进行用以将成膜材料成膜于被成膜材料上的处理的成膜装置，其特征在于，所述成膜室具有用以捕获粒子的粒子捕获部，对该粒子捕获部实施了滚花加工，在该滚花加工后实施了空气喷射加工，且在该空气喷射加工后实施了熔射加工。

【技术特征摘要】
2018.03.07 JP 2018-0404561.一种成膜装置，其是具有成膜室，在该成膜室内进行用以将成膜材料成膜于被成膜材料上的处理的成膜装置，其特征在于，所述成膜室具有用以捕获粒子的粒子捕获部，对该粒子捕获部实施了滚花加工，在该滚花加工后实施了空气喷射加工，且在该空气喷射加工后实施了熔射加工。2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述粒子捕获部在所述熔射加工中熔射铝。3.如权利要求2所述的成膜装置，其特征在于：所述粒子捕获部通过所述熔射加工将表面的算术平均粗糙度设为25μm以上、30μm以下。4.如权利要求1至3中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：足立耕一，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP