【技术实现步骤摘要】
反应溅射系统腔体进气装置
本技术涉及一种腔体进气装置，尤其指一种能用于半导体生产中的PVD溅射工艺的反应溅射系统腔体进气装置。
技术介绍
物理气相沉积（PVD）技术在半导体、平板显示、太阳能电池制造领域被广泛应用，该方法包括真空蒸镀、溅射镀、分子束外延等，其中溅射镀膜被广泛应用于金属薄膜制程。溅射镀膜的基本原理是在高真空的环境下，导入工艺气体并在电极两端加上电压、使气体产生辉光放电，此时等离子体中的正离子在强电场的作用下撞击靶材，溅射出靶材金属原子而沉积到晶圆片表面。在PVD溅射镀膜工艺中，工艺气体的进气方式直接影响镀膜的均匀性，普通的结构主要是从侧面进气，气体分布不均匀，导致对于一些特殊工艺，镀膜均匀性较差，难以满足要求要求。为了克服上述技术问题，大多数采用针对供气系统进行整体调控实现均匀进气。但是供气系统的改造与调控结构复杂，极大地提升了制造和改装的成本。专利技术人通过在工作中不断尝试和研究，重新设计了一种反应溅射系统腔体进气装置，结构简单，制造和改装的成本低廉，通过改变进气方式，有效地降低气体分布不均匀对工艺的影响，解决特殊工艺对于镀膜均匀性的要求。专利技术...
【技术保护点】
1.一种反应溅射系统腔体进气装置，包括底座和进气管，底座安装在反应溅射系统的真空腔体上方，其特征在于：还包括通气圆环和八个气嘴，所述的底座左、右两侧中间对称设置有左、右底座进气口，底座中间内圈处设有环形凹槽，环形凹槽左、右两侧对称设置有左、右底座出气口，左、右底座进气口分别和左、右底座出气口两两对应连通，所述的进气管分为左、右进气支管，左、右进气支管分别和左、右底座进气口连通；所述的通气圆环的外形与环形凹槽相契合，通气圆环左、右两侧对称设置有左、右圆环进气口，左、右圆环进气口分别和对称设置的左、右进气槽连通，左进气槽的两端分别和左上、左下出气槽连通，右进气槽的两端分别和右上...
【技术特征摘要】
1.一种反应溅射系统腔体进气装置，包括底座和进气管，底座安装在反应溅射系统的真空腔体上方，其特征在于：还包括通气圆环和八个气嘴，所述的底座左、右两侧中间对称设置有左、右底座进气口，底座中间内圈处设有环形凹槽，环形凹槽左、右两侧对称设置有左、右底座出气口，左、右底座进气口分别和左、右底座出气口两两对应连通，所述的进气管分为左、右进气支管，左、右进气支管分别和左、右底座进气口连通；所述的通气圆环的外形与环形凹槽相契合，通气圆环左、右两侧对称设置有左、右圆环进气口，左、右圆环进气口分别和对称设置的左、右进气槽连通，左进气槽的两端分别和左上、左下出气槽连通，右进气槽的两端分别和右上、右下出气槽连通，每个出气槽的两端分别和两个圆环出气口连通，八个圆环出气口均布在通气圆环内侧，每个圆环出气口均安装有气嘴；所述的通气圆环固定在底座上并嵌入环形凹槽内，左、...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。