【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电子装置的使用交叉共轭供体的窄带隙共轭聚合物相关申请的交叉引用本申请要求于2016年8月23日提交的第62/378,600号美国临时专利申请的优先权。该临时申请的全部内容通过引用并入本文。政府支持声明本专利技术是根据美国能源部授予的授权/合同DE-AC02-05CH11231在政府支持下完成的。政府拥有本专利技术的某些权利。
本专利技术涉及聚合物领域，更具体地涉及新的聚合物和利用环外交叉共轭供体制备窄带隙共轭聚合物的方法，以及这种聚合物的新的单体组分和所得产品，所述产品包括具有新功能的材料和有用的电子装置和光电装置。本专利技术的材料、方法和组合物提供了微调结构性能和/或电子性能的能力，以获得模块化的、可溶液加工的供体-受体(donor-acceptor，DA)共轭聚合物。
技术介绍
本专利技术大体上涉及新的聚合物化合物和制备包含环外交叉共轭取代基的模块化窄带隙共轭化合物和聚合物的方法，以及这种聚合物的新的单体组分和所得产品。这些产品包括具有新功能的材料和有用的电子装置。共轭有机分子在新一代电子材料的开发中发挥着关键作用。这些材料有效地产生和收集可见光，并且可用...
【技术保护点】
1.一种合成窄带隙共轭聚合物的方法，其包括使用至少一种交叉共轭供体，其中所述供体是环外交叉共轭供体烯烃取代基，其中所述聚合物包括交替的富电子(供体)部分和贫电子(受体)部分，从而允许内部电荷从所述供体转移到所述受体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.23 US 62/378,6001.一种合成窄带隙共轭聚合物的方法，其包括使用至少一种交叉共轭供体，其中所述供体是环外交叉共轭供体烯烃取代基，其中所述聚合物包括交替的富电子(供体)部分和贫电子(受体)部分，从而允许内部电荷从所述供体转移到所述受体。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述供体是环外烯烃取代的环戊二噻吩供体。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述受体是任何缺电子杂芳环体系。4.根据权利要求1所述的方法，其中合成的所述聚合物具有下式：其中FG和FG’选自未取代的C1-C36烃基、取代的C1-C36烃基、未取代的C6-C20芳基、取代的C6-C20芳基、未取代的C3-C20杂芳基、取代的C3-C20杂芳基、未取代的C0-C36亚烃基C6-C20芳基-C0-C36烃基、取代的C0-C36亚烃基、C6-C20芳基、C0-C36烃基、F、Cl、Br、I、CN、-R2、SR2-OH、-OR2、-COOH、-COOR2、-NH2、-NHR2或NR2R3，其中R2和R3独立地选自C1-C24烃基基团；πΑ是贫电子或缺电子的芳香族部分；πS表示共轭间隔基，其包含由单键隔开的分子中的双键或三键，横跨所述单键发生一些电子共享；m是至少为1的整数；Y选自S、-CH＝CH-、BR3、PR3、Se、Te、NH、NR4或Si，其中R3和R4包括合适的官能团，n是大于1的整数。5.根据权利要求4所述的方法，其中πΑ是包含缺电子杂芳环体系的链间单元。6.根据权利要求4所述的方法，其中πΑ选自取代的和未取代的部分，所述部分选自噻二唑并喹喔啉、喹喔啉、噻吩并噻二唑、噻吩并吡啶、噻吩并吡嗪、吡嗪并喹喔啉、苯并噻二唑、双苯并噻二唑、苯并双噻二唑、噻唑、噻二唑并噻...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰森·D·阿祖莱，本杰明·张，刘毅，亚历山大·E·伦敦，
申请(专利权)人：杰森·D·阿祖莱，本杰明·张，刘毅，亚历山大·E·伦敦，
类型：发明
国别省市：美国,US
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