The invention provides a controllable thinning method for two-dimensional atomic crystals of transition metal chalcogenides. The thinning method is that the layered transition metal chalcogenide materials are first immersed in chloroauric acid solution for a certain time, then removed and soaked in water for a certain time. After removing the residual water from the sample surface, the thinned transition metal chalcogenide material atomic crystal was obtained. The thinning method adopts chloroauric acid to treat the layered material, and can thinn it quickly. The method has the advantages of simple operation, fast thinning speed, good controllability and no damage to the quality of the sample, and can prepare a thin layer of two-dimensional atomic crystal of large area transition metal chalcogenide compound.
【技术实现步骤摘要】
一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法
本专利技术属于新材料领域，具体涉及一种二维原子晶体的厚度减薄方法，尤其涉及一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法。
技术介绍
以石墨烯为代表的二维原子晶体因其独特的光学、电学、热学、力学性能而获得了学术界和产业界的广泛关注。二维原子晶体是一类具有层状结构，层间以弱的范德华力结合，而面内原子以强的化学键结合的材料。其中过渡金属硫族化合物(MX2)这类二维材料具有丰富的材料种类、合适且随层数可调的禁带宽度(1.0～2.0eV)、高载流子迁移率(200-500cm2V-1s-1)，使得过渡金属硫族化合物(M＝Mo,W,Nb等过渡金属元素，X＝S,Se,Te等元素)有望代替传统半导体工业中的硅基和III-V族材料、或与其互补使用，进而成为未来纳米电子和光电子学的重要材料。目前，大量的科学研究工作已经证明过渡金属硫族化合物在传感器、柔性电子器件、场效应晶体管、光电探测器和发光二极管等诸多领域具有广阔的应用前景。MX2类二维原子晶体的电学和光学性质与其厚度密切相关，理论和实验均已证实，二层至体相MX2多为间接带隙半导...
【技术保护点】
1.一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法，其特征在于，所述减薄方法为：使用胶带对层状材料进行反复粘贴，将粘贴在胶带上的样品转移到硅片上，将带有样品的硅片浸泡在氯金酸溶液中一定时间后，再将所述硅片浸泡在水中一定时间，去除硅片表面的残留水分进而得到所述减薄后的二元原子晶体。
【技术特征摘要】
1.一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法，其特征在于，所述减薄方法为：使用胶带对层状材料进行反复粘贴，将粘贴在胶带上的样品转移到硅片上，将带有样品的硅片浸泡在氯金酸溶液中一定时间后，再将所述硅片浸泡在水中一定时间，去除硅片表面的残留水分进而得到所述减薄后的二元原子晶体。2.根据权利要求1所述的减薄方法，其特征在于，所述层状材料为MX2，其中M为过渡金属中的任意一种或其混合物，X为硫族元素中的任意一种或其混合物；优选地，所述M包括Mo、W、Ta或Nb中的任意一种或其混合物；优选地，所述X包括S、Se或Te中的任意一种或其混合物。3.根据权利要求1或2所述的减薄方法，其特征在于，所述胶带对层状材料进行反复粘贴的次数为1～100次。4.根据权利要求1-3任一项所述的减薄方法，其特征在于，所述硅片的表面镀有氧化层，其中氧化层厚度为10-1000纳米。5.根据权利要求1-...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘碧录，任洁，
申请(专利权)人：清华伯克利深圳学院筹备办公室，
类型：发明
国别省市：广东,44
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