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本发明提供一种过渡金属硫族化合物二维原子晶体的可控减薄方法，所述减薄方法为：将层状过渡金属硫族化合物材料首先在氯金酸溶液中浸泡一定时间，之后将其取出，在水中浸泡一定时间。去除样品表面的残留水分后，即得到减薄后的过渡金属硫族化合物材料原子晶体...
该专利属于清华-伯克利深圳学院筹备办公室所有，仅供学习研究参考，未经过清华-伯克利深圳学院筹备办公室授权不得商用。

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