基于基片集成波导的双频双工器制造技术

本发明专利技术揭示了一种基于基片集成波导的双频双工器，该双频双工器包括滤波器介质基板以及分别设置在滤波器介质基板上表面的顶层金属层、滤波器介质基板下表面的底层金属层，设置在滤波器介质基板上表面与滤波器介质基板下表面中间的金属层，在滤波器介质基板上表面和滤波器介质基板下表面的金属层上均设有T形输出端口，中间的金属层设置有输入馈电网络。本发明专利技术设计结构简单，易于工业加工，首先引入一个小型化的双频SIW双频双工器，较大程度地解决了滤波器具有相对较大尺寸的问题。其次，引入中间金属层输入馈电网络结构，进一步增大了基于SIW滤波器的增益，为双频SIW滤波器通带增益的提高和回波损耗的改善打下了基础。

Duplexer Based on Substrate Integrated Waveguide

【技术实现步骤摘要】
基于基片集成波导的双频双工器
本专利技术涉及一种基于基片集成波导的双频双工器，可用于毫米波

技术介绍
高频应用中，由于波长过小，过于高的容差要求常常使得微带线失效。而传统金属波导体积庞大，难于与其他微波、毫米波电路平面集成。由于基片集成波导是一种类似于普通金属波导的准封闭平面波导结构，它除了具有类似于微带传输线的平面集成特性外，几乎严格消除了由于辐射和基片中的导波模引起的电路中不同部分的相互干扰。同时它与有源器件的兼容性良好，便于平面集成及小型化，具有体积小、重量轻、装配简单、加工容易和成本低等传统波导所没有的优点，可以用来设计很多高Q值、低损耗的平面微波毫米波电路。然而基于基片集成波导的双层双频双工器的引入，减小了滤波器的尺寸，改善了滤波器的回波损耗，为基于SIW滤波器性能的提高提供了一条可行的思路。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提出一种基于基片集成波导的双频双工器。本专利技术的目的将通过以下技术方案得以实现：基于基片集成波导的双频双工器，包括滤波器介质基板以及分别设置在滤波器介质基板上表面的顶层金属层、滤波器介质基板下表面的底层金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于基片集成波导的双频双工器，其特征在于：包括滤波器介质基板以及分别设置在滤波器介质基板上表面的顶层金属层、滤波器介质基板下表面的底层金属层，设置在滤波器介质基板上表面与滤波器介质基板下表面中间的金属层，在滤波器介质基板上表面和滤波器介质基板下表面的金属层上均设有T形输出端口，中间的金属层设置有输入馈电网络。

【技术特征摘要】
1.基于基片集成波导的双频双工器，其特征在于：包括滤波器介质基板以及分别设置在滤波器介质基板上表面的顶层金属层、滤波器介质基板下表面的底层金属层，设置在滤波器介质基板上表面与滤波器介质基板下表面中间的金属层，在滤波器介质基板上表面和滤波器介质基板下表面的金属层上均设有T形输出端口，中间的金属层设置有输入馈电网络。2.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的双频双工器，其特征在于：所述介质基板的四周设置有金属通孔，每个所述金属通孔与滤波器介质基板、顶层金属层、底层金属层构成一个SIW腔体结构，中间具有50Ω的馈线，根据介质能够得出馈线的宽度；所述SIW滤波器介质基板的输入输出端口由微带线转共面波导构成，其中共面波导的缝隙长度和宽度根据50Ω的馈线确定。3.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的双频双工器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：许锋，李玉颖，张玉华，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32